公开(公告)号：TWI315900B

公开(公告)日：2009-10-11

申请号：TW093103094

申请日：2004-02-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 林耕竹 ,  包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/405

Abstract: 一種改善內連線(Interconnect)結構之電性品質的方法，其係在金屬層及金屬層所在之介電層上先形成蝕刻終止層(Etching Stop Layer)之前置層(Pre-layer)，再利用例如電漿(Plasma)或電子束(E-beam)對此前置層進行處理，藉以改變蝕刻終止層與底下之介電層間之界面品質，然後形成蝕刻終止層之主體層(Bulk Layer)。

Abstract in simplified Chinese: 一种改善内连接(Interconnect)结构之电性品质的方法，其系在金属层及金属层所在之介电层上先形成蚀刻终止层(Etching Stop Layer)之前置层(Pre-layer)，再利用例如等离子(Plasma)或电子束(E-beam)对此前置层进行处理，借以改变蚀刻终止层与底下之介电层间之界面品质，然后形成蚀刻终止层之主体层(Bulk Layer)。

公开(公告)号：TW550745B

公开(公告)日：2003-09-01

申请号：TW091102031

申请日：2002-02-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 一種避免金屬導線產生缺陷之結構與方法，且特別是有關於一種避免金屬導線與阻障層之間因應力遷移而在介層窗插塞底部產生孔洞缺陷之結構與方法。本發明提供一層矽化金屬層，有效地轉化介層窗插塞底部之阻障層與金屬層間之接觸面特性，保有原阻障層避免電致遷移效應與高溫擴散之優點；更進一步避免上述接觸面發生應力遷移效應，造成孔洞缺陷。

Abstract in simplified Chinese: 一种避免金属导线产生缺陷之结构与方法，且特别是有关于一种避免金属导线与阻障层之间因应力迁移而在介层窗插塞底部产生孔洞缺陷之结构与方法。本发明提供一层硅化金属层，有效地转化介层窗插塞底部之阻障层与金属层间之接触面特性，保有原阻障层避免电致迁移效应与高温扩散之优点；更进一步避免上述接触面发生应力迁移效应，造成孔洞缺陷。

公开(公告)号：TW533546B

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：TW091109935

申请日：2002-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 謝靜華 ,  包天一

IPC: H01L

Abstract: 一種鑲嵌式結構及其製造方法，藉以用來改善在化學機械研磨法時金屬擴散阻礙層與低介電常數材料接觸時所造成之剝離現象，首先形成一基底，在基底上形成金屬層間介電層，一導線溝槽形成於金屬層間介電層中，接著一黏合層及金屬擴散阻礙層依序沈積在導線溝槽內表面，最後一金屬內連線形成並填滿在導線溝槽內。

Abstract in simplified Chinese: 一种镶嵌式结构及其制造方法，借以用来改善在化学机械研磨法时金属扩散阻碍层与低介电常数材料接触时所造成之剥离现象，首先形成一基底，在基底上形成金属层间介电层，一导线沟槽形成于金属层间介电层中，接着一黏合层及金属扩散阻碍层依序沉积在导线沟槽内表面，最后一金属内连接形成并填满在导线沟槽内。

公开(公告)号：TW503511B

公开(公告)日：2002-09-21

申请号：TW088116785

申请日：1999-09-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴珍貝 ,  劉重希 ,  包天一 ,  章勳明 ,  張家龍 ,  王慧玲 ,  鄭文功

IPC: H01L

Abstract: 本發明係揭露一種積體電路中含氟介電層之製程方法。由於銅金屬具備有多項電性優勢，遂逐漸成為進入深次微米領域時最有可能性的金屬材料，而在多重銅金屬內連線製程中，則利用有機低介電係數(low k)介電層，例如：含氟矽玻璃 (FSG)來降低元件之電阻-電容延遲時間。但是，在經過化學機械研磨 (CMP)處理之後，所述含氟矽玻璃之吸濕性質易導致其表面產生氣泡狀突起，所述現象將減低與後續沉積層間之附著力，影響元件之可靠度與良率，故本發明揭露一種在CMP研磨完成後，利用高溫處理及/或電漿處理來消弭所述含氟矽玻璃表面因吸濕而產生氣泡狀突起的情形，提高其層間附著力，減少元件缺陷的產生。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种集成电路中含氟介电层之制程方法。由于铜金属具备有多项电性优势，遂逐渐成为进入深次微米领域时最有可能性的金属材料，而在多重铜金属内连接制程中，则利用有机低介电系数(low k)介电层，例如：含氟硅玻璃 (FSG)来降低组件之电阻-电容延迟时间。但是，在经过化学机械研磨 (CMP)处理之后，所述含氟硅玻璃之吸湿性质易导致其表面产生气泡状突起，所述现象将减低与后续沉积层间之附着力，影响组件之可靠度与良率，故本发明揭露一种在CMP研磨完成后，利用高温处理及/或等离子处理来消弭所述含氟硅玻璃表面因吸湿而产生气泡状突起的情形，提高其层间附着力，减少组件缺陷的产生。

公开(公告)号：TW501217B

公开(公告)日：2002-09-01

申请号：TW090121653

申请日：2001-08-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一

IPC: H01L

Abstract: 一種用以量測介電材質膜層之表面介電常數的探針，其中此探針為一結構膜層以及一絕緣膜層所組成的複合層結構，而此結構膜層係由一第一導電區域、一第二導電區域以及一絕緣區域所組成，而此絕緣區域為連續波形狀且位於第一導電區域以及第二導電區域之間，用以隔離第一導電區域以及第二導電區域。

Abstract in simplified Chinese: 一种用以量测介电材质膜层之表面介电常数的探针，其中此探针为一结构膜层以及一绝缘膜层所组成的复合层结构，而此结构膜层系由一第一导电区域、一第二导电区域以及一绝缘区域所组成，而此绝缘区域为连续波形状且位于第一导电区域以及第二导电区域之间，用以隔离第一导电区域以及第二导电区域。

公开(公告)号：TW492147B

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：TW090121654

申请日：2001-08-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳筆聰 ,  李連忠 ,  章勳明 ,  古淑娥 ,  包天一 ,  黎麗萍

IPC: H01L

Abstract: 一種形成黏性強化層於銅層與蝕刻停止層間的方法，其至少包含下列步驟：形成一黏性強化層於一銅層之上，其中此銅層位於一半導體基底上，而此黏性強化層之形成方法包含以氮氣、氧氣、氮氣與烷基矽烷之混合氣體、或烷基矽烷為反應氣體，利用電漿增強式化學汽相沈積法沉積而得；形成一蝕刻停止層於此黏性強化層之上。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成黏性强化层于铜层与蚀刻停止层间的方法，其至少包含下列步骤：形成一黏性强化层于一铜层之上，其中此铜层位于一半导体基底上，而此黏性强化层之形成方法包含以氮气、氧气、氮气与烷基硅烷之混合气体、或烷基硅烷为反应气体，利用等离子增强式化学汽相沉积法沉积而得；形成一蚀刻停止层于此黏性强化层之上。

公开(公告)号：TW447077B

公开(公告)日：2001-07-21

申请号：TW089114286

申请日：2000-07-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 李連忠 ,  包天一 ,  林正忠 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 一種化學氣相沉積之低介電常數介電層與碳化矽層或氮化矽層或氮矽氧化層其中之一之接合特性法改善之方法，特別是具有化學氣相沉積之低介電常數介電層碳摻雜的介電層。先經過電漿處理後再形成碳化矽層或氮化矽層或氮矽氧化層其中之一種於底材上。本發明係藉由Ｎ2、Ar及He其中一種和氧分子，N2O氣體混合做為電漿氣體處理該介電層以改善接合特性。此外，若以純氧氣體處理時，必須要降低電漿處理之溫度，例如17℃，也可以達到接合性提高之效果。

Abstract in simplified Chinese: 一种化学气相沉积之低介电常数介电层与碳化硅层或氮化硅层或氮硅氧化层其中之一之接合特性法改善之方法，特别是具有化学气相沉积之低介电常数介电层碳掺杂的介电层。先经过等离子处理后再形成碳化硅层或氮化硅层或氮硅氧化层其中之一种于底材上。本发明系借由Ｎ2、Ar及He其中一种和氧分子，N2O气体混合做为等离子气体处理该介电层以改善接合特性。此外，若以纯氧气体处理时，必须要降低等离子处理之温度，例如17℃，也可以达到接合性提高之效果。

公开(公告)号：TWI600118B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW104139087

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 姚欣潔 ,  YAO, HSIN CHIEH ,  迪雅茲 卡羅斯H ,  DIAZ, CARLOS H. ,  蔡政勳 ,  TSAI, CHENG HSIUNG ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNG JU ,  黃建樺 ,  HUANG, CHIEN HUA ,  田希文 ,  TIEN, HSI WEN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN ,  包天一 ,  BAO, TIEN I ,  吳永旭 ,  WU, YUNG HSU

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53295

公开(公告)号：TWI365507B

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：TW096115051

申请日：2007-04-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  陳海清 ,  包天一

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係提供一種半導結構的形成方法，包括提供一基板，形成一低介電常數介電層於該基板上，形成一導線至該低介電常數介電層中，且在一含碳矽烷化學品下，熱處理該導線以形成一阻障層於該導線上。形成一襯阻障層於開口中以形成此導線。此襯阻障層含有與阻障層相同的材料，在形成阻障層前，可去除此襯阻障層，且襯阻障層可含有一可被矽化之金屬。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种半导结构的形成方法，包括提供一基板，形成一低介电常数介电层于该基板上，形成一导线至该低介电常数介电层中，且在一含碳硅烷化学品下，热处理该导线以形成一阻障层于该导在线。形成一衬阻障层于开口中以形成此导线。此衬阻障层含有与阻障层相同的材料，在形成阻障层前，可去除此衬阻障层，且衬阻障层可含有一可被硅化之金属。

公开(公告)号：TWI338933B

公开(公告)日：2011-03-11

申请号：TW095132338

申请日：2006-09-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 張惠林 ,  盧永誠 ,  包天一

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種半導體結構，包括：一低介電常數介電層；一上蓋層，位於該低介電常數介電層上，其中該上蓋層包括擇自由包括CNx、SiCN、SiCO、SiC及其組合物所組成族群之一材料；一介層物位於該低介電常數層中；以及一金屬導線位於該低介電常數介電層中並覆蓋該介層物，該金屬導線實體接觸該介層物。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构，包括：一低介电常数介电层；一上盖层，位于该低介电常数介电层上，其中该上盖层包括择自由包括CNx、SiCN、SiCO、SiC及其组合物所组成族群之一材料；一介层物位于该低介电常数层中；以及一金属导线位于该低介电常数介电层中并覆盖该介层物，该金属导线实体接触该介层物。