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公开(公告)号:TWI453840B
公开(公告)日:2014-09-21
申请号:TW097108282
申请日:2008-03-10
Inventor: 王忠裕 , WANG, CHUNG YU , 李建勳 , LEE, CHIEN HSIUN , 曹佩華 , TSAO, PEI HAW , 張國欽 , CHANG, KUO CHIN , 林忠毅 , LIN, CHUNG YI , 江浩然 , KIANG, BILL
IPC: H01L21/60 , H01L23/485 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05008 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48647 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/207 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
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公开(公告)号:TWI464834B
公开(公告)日:2014-12-11
申请号:TW100133139
申请日:2011-09-15
Inventor: 林宗澍 , LIN, TSUNG SHU , 謝玉宸 , SHIEH, YUH CHERN , 張國欽 , CHANG, KUO CHIN
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/3157 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15321 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201631729A
公开(公告)日:2016-09-01
申请号:TW104138917
申请日:2015-11-24
Inventor: 曹佩華 , TSAO, PEI HAW , 徐 安泰 , XU, AN-TAI , 蕭煥廷 , HSIAO, HUANG TING , 張國欽 , CHANG, KUO CHIN
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/00
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/145 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5329 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0221 , H01L2224/02215 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0382 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05073 , H01L2224/05566 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13007 , H01L2224/13018 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/16057 , H01L2224/16059 , H01L2224/16113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121
Abstract: 提供了一種半導體結構以及形成該半導體結構的方法。該半導體結構包括:半導體晶片;基板,該基板朝向該半導體晶片的主動表面;以及傳導凸塊,該傳導凸塊從該半導體晶片的主動表面朝著該基板延伸,其中該傳導凸塊包括:多個凸塊區段,該多個凸塊區段包括凸塊區段的第一組和凸塊區段的第二組,其中每一個凸塊區段在與該半導體晶片的該主動表面垂直之方向上具有相同的區段高度,並且每一個凸塊區段具有以該區段高度與該凸塊區段的平均截面面積的乘積定義的體積;其中該凸塊區段的該第一組的總體積與該凸塊區段的該第二組的總體積之比約在0.03和0.8之間。
Abstract in simplified Chinese: 提供了一种半导体结构以及形成该半导体结构的方法。该半导体结构包括:半导体芯片;基板,该基板朝向该半导体芯片的主动表面;以及传导凸块,该传导凸块从该半导体芯片的主动表面朝着该基板延伸,其中该传导凸块包括:多个凸块区段,该多个凸块区段包括凸块区段的第一组和凸块区段的第二组,其中每一个凸块区段在与该半导体芯片的该主动表面垂直之方向上具有相同的区段高度,并且每一个凸块区段具有以该区段高度与该凸块区段的平均截面面积的乘积定义的体积;其中该凸块区段的该第一组的总体积与该凸块区段的该第二组的总体积之比约在0.03和0.8之间。
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4.半導體封裝體及矽基封裝基板 SEMICONDUCTOR PACKAGE ASSEMBLY AND SILICON-BASED PACKAGE SUBSTRATE 有权
Simplified title: 半导体封装体及硅基封装基板 SEMICONDUCTOR PACKAGE ASSEMBLY AND SILICON-BASED PACKAGE SUBSTRATE公开(公告)号:TWI345291B
公开(公告)日:2011-07-11
申请号:TW096127294
申请日:2007-07-26
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L23/147 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/5386 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01327 , H01L2924/1461 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/157 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本發明提供一種半導體封裝體及矽基封裝基板,上述半導體封裝體包括一矽基封裝基板,其厚度小於200μm;一半導體晶片,包括至少一低介電常數介電層,其低介電常數小於3.0;以及複數個銲料凸塊,設置於該半導體晶片與該矽基封裝基板之間。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体封装体及硅基封装基板,上述半导体封装体包括一硅基封装基板,其厚度小于200μm;一半导体芯片,包括至少一低介电常数介电层,其低介电常数小于3.0;以及复数个焊料凸块,设置于该半导体芯片与该硅基封装基板之间。
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5.封裝體及控制封裝體翹曲的方法 PACKAGE AND METHOD FOR CONTROLLING PACKAGE WARPAGE 审中-公开
Simplified title: 封装体及控制封装体翘曲的方法 PACKAGE AND METHOD FOR CONTROLLING PACKAGE WARPAGE公开(公告)号:TW201246470A
公开(公告)日:2012-11-16
申请号:TW100133139
申请日:2011-09-15
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/3157 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15321 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供的方法包括測定積體電路封裝體設計的翹曲,積體電路封裝體設計包含基底,具有頂端阻焊層在第一主要表面上,以及底部阻焊層在相對於第一主要表面的第二主要表面上,第一主要表面具有積體電路晶片接著在頂端阻焊層之上。修改此設計,包含修改由頂端阻焊層或底部阻焊層所組成之群組的其中之一的平均厚度,使得翹曲降低,並依據此修改的設計製造積體電路封裝體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供的方法包括测定集成电路封装体设计的翘曲,集成电路封装体设计包含基底,具有顶端阻焊层在第一主要表面上,以及底部阻焊层在相对于第一主要表面的第二主要表面上,第一主要表面具有集成电路芯片接着在顶端阻焊层之上。修改此设计,包含修改由顶端阻焊层或底部阻焊层所组成之群组的其中之一的平均厚度,使得翘曲降低,并依据此修改的设计制造集成电路封装体。
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6.半導體封裝結構及其製造方法 A SEMICONDUCTOR PACKAGE ASSEMBLY AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
Simplified title: 半导体封装结构及其制造方法 A SEMICONDUCTOR PACKAGE ASSEMBLY AND METHODS OF FORMING THE SAME公开(公告)号:TWI360188B
公开(公告)日:2012-03-11
申请号:TW095147873
申请日:2006-12-20
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/055 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本發明提供一種半導體封裝的製造方法包括:提供一封裝基板,該封裝基板包括一基底材料;形成一內連線結構於該封裝基板上,其中該內連線結構包括複數個深插塞於該內連線結構之底部;連接至少一晶片至該封裝基板之一第一表面;自相對於該第一表面之一第二表面薄化該封裝基板,其中至少一部份之該基底材料被移除;以及於薄化該封裝基板之後,連接複數個球柵陣列球至暴露於該封裝基板之該第二表面上之該些深插塞。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体封装的制造方法包括:提供一封装基板,该封装基板包括一基底材料;形成一内连接结构于该封装基板上,其中该内连接结构包括复数个深插塞于该内连接结构之底部;连接至少一芯片至该封装基板之一第一表面;自相对于该第一表面之一第二表面薄化该封装基板,其中至少一部份之该基底材料被移除;以及于薄化该封装基板之后,连接复数个球栅数组球至暴露于该封装基板之该第二表面上之该些深插塞。
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公开(公告)号:TWI613784B
公开(公告)日:2018-02-01
申请号:TW104138917
申请日:2015-11-24
Inventor: 曹佩華 , TSAO, PEI HAW , 徐 安泰 , XU, AN-TAI , 蕭煥廷 , HSIAO, HUANG TING , 張國欽 , CHANG, KUO CHIN
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/00
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/145 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5329 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0221 , H01L2224/02215 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0382 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05073 , H01L2224/05566 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13007 , H01L2224/13018 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/16057 , H01L2224/16059 , H01L2224/16113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121
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8.半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF 有权
Simplified title: 半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF公开(公告)号:TWI377630B
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:TW096130832
申请日:2007-08-21
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/116 , H01L2224/11902 , H01L2224/13019 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本發明係揭露一種強化的晶圓級晶片尺寸封裝的銅導電柱,其具有凸出上表面的的一或多個接腳狀物。當軟銲料球狀物銲至上述導電柱時,軟銲料則將上述接腳狀物封入其中。上述接腳狀物不但能增加上述軟銲料球狀物與上述導電柱之間的銲點剪應力強度,亦可因為增加了上述導電柱/接腳狀物與上述軟銲料球狀物之間的表面積,而增加了電性連接的可靠度。還有,形成一不規則的銲點可延緩形成於上述銲點的金屬間化合物中的裂痕的成長。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种强化的晶圆级芯片尺寸封装的铜导电柱,其具有凸出上表面的的一或多个接脚状物。当软焊料球状物焊至上述导电柱时,软焊料则将上述接脚状物封入其中。上述接脚状物不但能增加上述软焊料球状物与上述导电柱之间的焊点剪应力强度,亦可因为增加了上述导电柱/接脚状物与上述软焊料球状物之间的表面积,而增加了电性连接的可靠度。还有,形成一不守则的焊点可延缓形成于上述焊点的金属间化合物中的裂痕的成长。
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