公开(公告)号：TWI430483B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW099123934

申请日：2010-07-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 王忠裕 ,  WANG, CHUNG YU

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/17 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI482322B

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：TW099115077

申请日：2010-05-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 王忠裕 ,  WANG, CHUNG YU

IPC: H01L33/64

CPC classification number: H01L33/64 ,  H01L24/17 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI490991B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW101112571

申请日：2012-04-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳志壕 ,  CHEN, CHIH HAO ,  李隆華 ,  LEE, LONG HUA ,  蘇峻興 ,  SU, CHUN HSING ,  蔡宜霖 ,  TSAI, YI LIN ,  葉宮辰 ,  YEH, KUNG CHEN ,  王忠裕 ,  WANG, CHUNG YU ,  洪瑞斌 ,  HUNG, JUI PIN ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/304 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665

公开(公告)号：TWI458140B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW099124277

申请日：2010-07-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 王忠裕 ,  WANG, CHUNG YU

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI413285B

公开(公告)日：2013-10-21

申请号：TW099119856

申请日：2010-06-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 王忠裕 ,  WANG, CHUNG YU

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/647 ,  H01L23/481 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201322391A

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW101112571

申请日：2012-04-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳志壕 ,  CHEN, CHIH HAO ,  李隆華 ,  LEE, LONG HUA ,  蘇峻興 ,  SU, CHUN HSING ,  蔡宜霖 ,  TSAI, YI LIN ,  葉宮辰 ,  YEH, KUNG CHEN ,  王忠裕 ,  WANG, CHUNG YU ,  洪瑞斌 ,  HUNG, JUI PIN ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/304 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 一種晶圓級封裝，包括一接合至支撐晶圓的半導體晶粒。半導體晶粒在其基板具有至少一個階梯式凹陷。一底膠層形成於半導體晶粒及支撐晶圓之間。再者，底膠層的高度受限於階梯式凹陷。在晶圓級封裝的製程中，階梯式凹陷幫助降低晶圓級封裝上的應力。

Abstract in simplified Chinese: 一种晶圆级封装，包括一接合至支撑晶圆的半导体晶粒。半导体晶粒在其基板具有至少一个阶梯式凹陷。一底胶层形成于半导体晶粒及支撑晶圆之间。再者，底胶层的高度受限于阶梯式凹陷。在晶圆级封装的制程中，阶梯式凹陷帮助降低晶圆级封装上的应力。

公开(公告)号：TWI453840B

公开(公告)日：2014-09-21

申请号：TW097108282

申请日：2008-03-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 王忠裕 ,  WANG, CHUNG YU ,  李建勳 ,  LEE, CHIEN HSIUN ,  曹佩華 ,  TSAO, PEI HAW ,  張國欽 ,  CHANG, KUO CHIN ,  林忠毅 ,  LIN, CHUNG YI ,  江浩然 ,  KIANG, BILL

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TW201130176A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：TW099115077

申请日：2010-05-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王忠裕

IPC: H01L

CPC classification number: H01L33/64 ,  H01L24/17 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種封裝系統,包括:一基板,具有穿過該基板之至少一第一導熱結構;至少一第二導熱結構,設置於該至少一導熱結構之上;以及至少一發光二極體,設置於該至少一第二導熱結構之上。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装系统,包括:一基板,具有穿过该基板之至少一第一导热结构;至少一第二导热结构,设置于该至少一导热结构之上;以及至少一发光二极管,设置于该至少一第二导热结构之上。

公开(公告)号：TW538434B

公开(公告)日：2003-06-21

申请号：TW091104875

申请日：2002-03-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  黃傳德 ,  曹佩華 ,  陳志强 ,  黃文賜

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露一種銲球之(Bump)製造方法，其係先圖案化銲球下金屬(Under Bump Metallurgy；UBM)堆疊結構之潤濕層(Wetting Layer)。然後，塗佈乾膜(Dry Film)層並將其圖案化，藉以在乾膜層中形成開口而暴露出潤濕層及另一部分之金屬堆疊結構。再利用電漿去除開口內之乾膜殘餘後，將銲錫膏(Solder Paste)置入並填滿開口，經熱回流(Reflow)後，在潤濕層上形成銲球。接著，去除其餘乾膜層，並以銲球為罩幕，去除銲球下多餘之金屬堆疊結構，而完成銲球下金屬層。由於，去除乾膜殘餘時、銲錫熱回流時、以及去除其餘乾膜層時，尚未圖案化之金屬堆疊結構可隔離其下的保護層(Passivation Layer)。因此，可避免在銲球周圍之保護層上產生污染，進而提高元件的穩定性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种焊球之(Bump)制造方法，其系先图案化焊球下金属(Under Bump Metallurgy；UBM)堆栈结构之润湿层(Wetting Layer)。然后，涂布干膜(Dry Film)层并将其图案化，借以在干膜层中形成开口而暴露出润湿层及另一部分之金属堆栈结构。再利用等离子去除开口内之干膜残余后，将焊锡膏(Solder Paste)置入并填满开口，经热回流(Reflow)后，在润湿层上形成焊球。接着，去除其余干膜层，并以焊球为罩幕，去除焊球下多余之金属堆栈结构，而完成焊球下金属层。由于，去除干膜残余时、焊锡热回流时、以及去除其余干膜层时，尚未图案化之金属堆栈结构可隔离其下的保护层(Passivation Layer)。因此，可避免在焊球周围之保护层上产生污染，进而提高组件的稳定性。

公开(公告)号：TW516116B

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：TW091100579

申请日：2002-01-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 曹佩華 ,  黃傳德 ,  王忠裕 ,  陳志强 ,  黃文賜

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭示一種凸起封裝晶圓(bumped wafer)之背面研磨方法。首先，提供一晶圓，此晶圓具有第一表面及其背側之第二表面，其中第一表面形成有複數凸塊。接著，在第一表面上及這些凸塊表面上形成一有機材料層以作為隔離保護層。其中，有機材料層係苯并疊氮化合物
(benzotriazoles)及取代的苯并咪唑(substituted benzotriazoles)之任一種。然後，在有機材料層上黏附一紫外線膠帶，以固定晶圓並保護第一表面，以便於在第二表面進行研磨而薄化晶圓厚度。最後，實施一熱處理，其中溫度在150℃到240℃的範圍，以揮發去除有機材料層而使膠帶完全剝離第一表面且不殘留餘膠，進而增加後續封裝之可靠度並增加產品之良率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种凸起封装晶圆(bumped wafer)之背面研磨方法。首先，提供一晶圆，此晶圆具有第一表面及其背侧之第二表面，其中第一表面形成有复数凸块。接着，在第一表面上及这些凸块表面上形成一有机材料层以作为隔离保护层。其中，有机材料层系苯并叠氮化合物 (benzotriazoles)及取代的苯并咪唑(substituted benzotriazoles)之任一种。然后，在有机材料层上黏附一紫外线胶带，以固定晶圆并保护第一表面，以便于在第二表面进行研磨而薄化晶圆厚度。最后，实施一热处理，其中温度在150℃到240℃的范围，以挥发去除有机材料层而使胶带完全剥离第一表面且不残留余胶，进而增加后续封装之可靠度并增加产品之良率。