銲球之製造方法
    9.
    发明专利
    銲球之製造方法 失效
    焊球之制造方法

    公开(公告)号:TW538434B

    公开(公告)日:2003-06-21

    申请号:TW091104875

    申请日:2002-03-14

    IPC: H01L

    Abstract: 本發明揭露一種銲球之(Bump)製造方法,其係先圖案化銲球下金屬(Under Bump Metallurgy;UBM)堆疊結構之潤濕層(Wetting Layer)。然後,塗佈乾膜(Dry Film)層並將其圖案化,藉以在乾膜層中形成開口而暴露出潤濕層及另一部分之金屬堆疊結構。再利用電漿去除開口內之乾膜殘餘後,將銲錫膏(Solder Paste)置入並填滿開口,經熱回流(Reflow)後,在潤濕層上形成銲球。接著,去除其餘乾膜層,並以銲球為罩幕,去除銲球下多餘之金屬堆疊結構,而完成銲球下金屬層。由於,去除乾膜殘餘時、銲錫熱回流時、以及去除其餘乾膜層時,尚未圖案化之金屬堆疊結構可隔離其下的保護層(Passivation Layer)。因此,可避免在銲球周圍之保護層上產生污染,進而提高元件的穩定性。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种焊球之(Bump)制造方法,其系先图案化焊球下金属(Under Bump Metallurgy;UBM)堆栈结构之润湿层(Wetting Layer)。然后,涂布干膜(Dry Film)层并将其图案化,借以在干膜层中形成开口而暴露出润湿层及另一部分之金属堆栈结构。再利用等离子去除开口内之干膜残余后,将焊锡膏(Solder Paste)置入并填满开口,经热回流(Reflow)后,在润湿层上形成焊球。接着,去除其余干膜层,并以焊球为罩幕,去除焊球下多余之金属堆栈结构,而完成焊球下金属层。由于,去除干膜残余时、焊锡热回流时、以及去除其余干膜层时,尚未图案化之金属堆栈结构可隔离其下的保护层(Passivation Layer)。因此,可避免在焊球周围之保护层上产生污染,进而提高组件的稳定性。

    凸起封裝晶圓之背面研磨方法
    10.
    发明专利
    凸起封裝晶圓之背面研磨方法 有权
    凸起封装晶圆之背面研磨方法

    公开(公告)号:TW516116B

    公开(公告)日:2003-01-01

    申请号:TW091100579

    申请日:2002-01-16

    IPC: H01L

    Abstract: 本發明揭示一種凸起封裝晶圓(bumped wafer)之背面研磨方法。首先,提供一晶圓,此晶圓具有第一表面及其背側之第二表面,其中第一表面形成有複數凸塊。接著,在第一表面上及這些凸塊表面上形成一有機材料層以作為隔離保護層。其中,有機材料層係苯并疊氮化合物
    (benzotriazoles)及取代的苯并咪唑(substituted benzotriazoles)之任一種。然後,在有機材料層上黏附一紫外線膠帶,以固定晶圓並保護第一表面,以便於在第二表面進行研磨而薄化晶圓厚度。最後,實施一熱處理,其中溫度在150℃到240℃的範圍,以揮發去除有機材料層而使膠帶完全剝離第一表面且不殘留餘膠,進而增加後續封裝之可靠度並增加產品之良率。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种凸起封装晶圆(bumped wafer)之背面研磨方法。首先,提供一晶圆,此晶圆具有第一表面及其背侧之第二表面,其中第一表面形成有复数凸块。接着,在第一表面上及这些凸块表面上形成一有机材料层以作为隔离保护层。其中,有机材料层系苯并叠氮化合物 (benzotriazoles)及取代的苯并咪唑(substituted benzotriazoles)之任一种。然后,在有机材料层上黏附一紫外线胶带,以固定晶圆并保护第一表面,以便于在第二表面进行研磨而薄化晶圆厚度。最后,实施一热处理,其中温度在150℃到240℃的范围,以挥发去除有机材料层而使胶带完全剥离第一表面且不残留余胶,进而增加后续封装之可靠度并增加产品之良率。

Patent Agency Ranking