公开(公告)号：TWI699869B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW105121525

申请日：2016-07-07

申请人： 美商英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 索比斯基 丹尼爾 ,  SOBIESKI, DANIEL ,  達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  波野帕提 斯里倫加 S. ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI ,  切雷克庫爾 莫維 ,  CELIKKOL, MERVE ,  李奎五 ,  LEE, KYU OH ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL ,  錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/18

公开(公告)号：TWI694574B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW105121527

申请日：2016-07-07

申请人： 美商英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  索比斯基 丹尼爾 ,  SOBIESKI, DANIEL ,  李奎五 ,  LEE, KYU OH ,  波野帕提 斯里倫加 S. ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TW201841308A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW106141221

申请日：2017-11-27

申请人： 美商英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 波野帕提 斯里 R. S. ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI ,  達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  甘 桑迪普 ,  GAAN, SANDEEP ,  梅伊 羅伯特 ,  MAY, ROBERT ,  派坦巴拉姆 史利尼維斯 ,  PIETAMBARAM, SRINIVAS

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

摘要： 本文揭示出具有帶有含有銅合金之濺鍍晶種層之高密度互連件之積體電路（IC）封裝體基體以及相關結構、裝置及方法。例如，在一些實施例中，封裝體基體可包括一第一介電層、配置在該第一介電層上之一濺鍍晶種層，其中該晶種層包括一銅合金、配置在該晶種層上之一圖案化傳導層、及在該圖案化傳導層上方之一第二介電層。

简体摘要： 本文揭示出具有带有含有铜合金之溅镀晶种层之高密度互连件之集成电路（IC）封装体基体以及相关结构、设备及方法。例如，在一些实施例中，封装体基体可包括一第一介电层、配置在该第一介电层上之一溅镀晶种层，其中该晶种层包括一铜合金、配置在该晶种层上之一图案化传导层、及在该图案化传导层上方之一第二介电层。

公开(公告)号：TW201719845A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105121527

申请日：2016-07-07

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  索比斯基 丹尼爾 ,  SOBIESKI, DANIEL ,  李奎五 ,  LEE, KYU OH ,  波野帕提 斯里倫加 S. ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K1/0298 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H05K1/113 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/181 ,  H05K3/188 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/422 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09218 ,  H05K2201/09372 ,  H05K2201/095 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09654 ,  H05K2203/0548

摘要： 一些實例形式涉及一種電子封裝體。該電子封裝體包括：一第一介電層，該第一介電層包括在該第一介電層之一表面上形成之一電氣跡線；以及位於該第一介電層之該表面上之一第二介電層。該第二介電層包括一開口。該電氣跡線位於該開口內。該電子封裝體包括一電氣互連件，該電氣互連件填充該開口，且在該第二介電層之一上表面上方延伸，以使得該電氣互連件電氣連接至在該第一介電層上之該電氣跡線。

简体摘要： 一些实例形式涉及一种电子封装体。该电子封装体包括：一第一介电层，该第一介电层包括在该第一介电层之一表面上形成之一电气迹线；以及位于该第一介电层之该表面上之一第二介电层。该第二介电层包括一开口。该电气迹线位于该开口内。该电子封装体包括一电气互连件，该电气互连件填充该开口，且在该第二介电层之一上表面上方延伸，以使得该电气互连件电气连接至在该第一介电层上之该电气迹线。

公开(公告)号：TW201802835A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106103672

申请日：2017-02-03

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  傑恩 拉胡爾 ,  JAIN, RAHUL ,  梅伊 羅伯特 A. ,  MAY, ROBERT ALAN ,  厲生 ,  LI, SHENG ,  波野帕提 斯里倫加 S. ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI

IPC分类号： H01B13/00 ,  H01B5/00 ,  H05K3/28 ,  H05K3/34 ,  H05K1/02

CPC分类号： H05K3/0041 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/09 ,  H05K3/0055 ,  H05K3/3452 ,  H05K2203/0502 ,  H05K2203/0548 ,  H05K2203/0562 ,  H05K2203/0588 ,  H05K2203/095

摘要： 一種形成電子總成之方法。該方法包括利用阻焊劑覆蓋介電層上之圖案化導電層；將金屬層沉積至該阻焊劑上；將光阻劑沉積至該金屬層上；圖案化該光阻劑；蝕刻自該光阻劑暴露之該金屬層，以便形成金屬遮罩；移除該光阻劑；以及電漿蝕刻自該金屬遮罩暴露之該阻焊劑。一種用於緊固電子卡之電子總成。該電子總成包括：圖案化導電層，其處於介電層上；以及阻焊劑，其覆蓋該圖案化導電層及該介電層，其中該阻焊劑包括暴露該圖案化導電層之開口，其中該阻焊劑中之該等開口在該等個別開口之側壁上僅具有有機材料。

简体摘要： 一种形成电子总成之方法。该方法包括利用阻焊剂覆盖介电层上之图案化导电层；将金属层沉积至该阻焊剂上；将光阻剂沉积至该金属层上；图案化该光阻剂；蚀刻自该光阻剂暴露之该金属层，以便形成金属遮罩；移除该光阻剂；以及等离子蚀刻自该金属遮罩暴露之该阻焊剂。一种用于紧固电子卡之电子总成。该电子总成包括：图案化导电层，其处于介电层上；以及阻焊剂，其覆盖该图案化导电层及该介电层，其中该阻焊剂包括暴露该图案化导电层之开口，其中该阻焊剂中之该等开口在该等个别开口之侧壁上仅具有有机材料。

公开(公告)号：TW201818471A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW106112898

申请日：2017-04-18

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  波野帕提 斯里倫加 S. ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/373

摘要： 本文中之實施例係關於一種封裝，其使用氧化鋁作為一黏附及高熱導率層，該封裝具有：一積層，其具有一第一側及與該第一側相對之一第二側；一第一跡線，其施加至該積層之該第一側；一氧化鋁層，其與該第一跡線及該積層之該第一側之一曝露區耦接；一層壓積層，其在該氧化鋁層之與該積層相對之一側上與該氧化鋁層耦接，其中該層壓積層包括至該跡線之一或多個導孔；以及一種子層，其與該層壓積層耦接。可描述及/或主張其他實施例。

简体摘要： 本文中之实施例系关于一种封装，其使用氧化铝作为一黏附及高热导率层，该封装具有：一积层，其具有一第一侧及与该第一侧相对之一第二侧；一第一迹线，其施加至该积层之该第一侧；一氧化铝层，其与该第一迹线及该积层之该第一侧之一曝露区耦接；一层压积层，其在该氧化铝层之与该积层相对之一侧上与该氧化铝层耦接，其中该层压积层包括至该迹线之一或多个导孔；以及一种子层，其与该层压积层耦接。可描述及/或主张其他实施例。

公开(公告)号：TW201812930A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106118138

申请日：2017-06-01

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 查瓦里 斯里查伊特拉 ,  CHAVALI, SRI CHAITRA ,  阿盧爾 西德哈爾斯 K. ,  ALUR, SIDDHARTH K. ,  史裘克曼 阿曼達 E. ,  SCHUCKMAN, AMANDA E. ,  阿盧爾 安魯薩瓦利 P. ,  ALUR, AMRUTHAVALLI PALLAVI ,  沙拉瑪 伊斯蘭 A. ,  SALAMA, ISLAM A. ,  鄧宜康 ,  DENG, YIKANG ,  達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389

摘要： 本揭示內容的各式具體例係針對半導體封裝體以及用於製造半導體封裝體的方法。再者，本案所揭示為針對使用帶有與模具材料實質上相似的機械性能的光可成像介電(PID)層的系統和方法。本揭示內容可在例如用於晶圓/面板級重新分佈層(RDL)及/或扇出型封裝應用的無凸塊無雷射嵌入式基材結構(BLESS)技術的情況下使用。本案揭示的具體例可減少在半導體封裝體的各式加工步驟期間的多個乾式抗蝕膜(DFR)層壓步驟的需求，以及由於薄PID材料的可用性亦可利於多層的數目。

简体摘要： 本揭示内容的各式具体例系针对半导体封装体以及用于制造半导体封装体的方法。再者，本案所揭示为针对使用带有与模具材料实质上相似的机械性能的光可成像介电(PID)层的系统和方法。本揭示内容可在例如用于晶圆/皮肤级重新分布层(RDL)及/或扇出型封装应用的无凸块无激光嵌入式基材结构(BLESS)技术的情况下使用。本案揭示的具体例可减少在半导体封装体的各式加工步骤期间的多个干式抗蚀膜(DFR)层压步骤的需求，以及由于薄PID材料的可用性亦可利于多层的数目。

公开(公告)号：TW201732336A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105134425

申请日：2016-10-25

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 梅伊 羅伯特A ,  MAY, ROBERT ALAN ,  達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  傑恩 拉胡爾 ,  JAIN, RAHUL ,  波野帕提 斯里倫加S ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI ,  摩撒蘭 馬龍 ,  MOUSSALLEM, MAROUN ,  梅尼派利 拉伍N ,  MANEPALLI, RAHUL N. ,  派坦巴拉姆 史利尼維斯 ,  PIETAMBARAM, SRINIVAS

IPC分类号： G02B6/132

CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02B6/134

摘要： 此文件係討論一包括一第一金屬之導波管，其具有一鄰近於一介電材料之外表面及一用以界定導波管的一路徑之內表面，一在導波管的內表面接收一光學信號及沿著導波管之路徑的至少一部分傳輸該光學信號之方法，及其他。一將一導波管整合於一基板中之方法係包括將犧牲性金屬沉積於一載體基板的一第一表面上以形成導波管的一核心，將一第一金屬沉積於犧牲性金屬及載體基板的第一表面之至少一部分上方，形成導波管的一外表面及一與犧牲性金屬分離之導體，及將介電材料在導體周圍沉積於載體基板的第一表面上方。

简体摘要： 此文档系讨论一包括一第一金属之导波管，其具有一邻近于一介电材料之外表面及一用以界定导波管的一路径之内表面，一在导波管的内表面接收一光学信号及沿着导波管之路径的至少一部分传输该光学信号之方法，及其他。一将一导波管集成于一基板中之方法系包括将牺牲性金属沉积于一载体基板的一第一表面上以形成导波管的一内核，将一第一金属沉积于牺牲性金属及载体基板的第一表面之至少一部分上方，形成导波管的一外表面及一与牺牲性金属分离之导体，及将介电材料在导体周围沉积于载体基板的第一表面上方。

公开(公告)号：TW201813032A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106118299

申请日：2017-06-02

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 波野帕提 斯里倫加 S. ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI ,  梅尼派利 拉伍 N. ,  MANEPALLI, RAHUL N. ,  塞納維拉特納 迪蘭 ,  SENEVIRATNE, DILAN ,  派坦巴拉姆 史利尼維斯 V. ,  PIETAMBARAM, SRINIVAS V. ,  達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  梅伊 羅伯特 A. ,  MAY, ROBERT ALAN ,  沙拉瑪 伊斯蘭 A. ,  SALAMA, ISLAM A.

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/059 ,  H01L2924/15311

摘要： 揭示了具備上方具有鈍化材之互連件的半導體封裝體。該鈍化層可為任何適宜的介電材料，其可覆蓋於半導體封裝體中的增建介電層和互連層的金屬線上方。可在該增建介電質中形成通孔並且可從該通孔的底部去除該鈍化層。藉由去除在該通孔底部的該鈍化層，亦可從該通孔的底部去除任何殘餘的增建介電質。於是，去除殘餘的增建介電質的步驟可不需要去污製程，該去污製程將會以不同方式粗化金屬及/或介電質表面。由於使用鈍化層所能產生的更平滑的金屬及/或介電質表面可允許更大的製程寬容度及/或彈性，以製造相對較小尺寸的互連特徵及/或相對改良的信號頻率和信號完整性。

简体摘要： 揭示了具备上方具有钝化材之互连件的半导体封装体。该钝化层可为任何适宜的介电材料，其可覆盖于半导体封装体中的增建介电层和互连层的金属在线方。可在该增建介电质中形成通孔并且可从该通孔的底部去除该钝化层。借由去除在该通孔底部的该钝化层，亦可从该通孔的底部去除任何残余的增建介电质。于是，去除残余的增建介电质的步骤可不需要去污制程，该去污制程将会以不同方式粗化金属及/或介电质表面。由于使用钝化层所能产生的更平滑的金属及/或介电质表面可允许更大的制程宽容度及/或弹性，以制造相对较小尺寸的互连特征及/或相对改良的信号频率和信号完整性。

公开(公告)号：TW201719857A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105121525

申请日：2016-07-07

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 索比斯基 丹尼爾 ,  SOBIESKI, DANIEL ,  達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 ,  DARMAWIKARTA, KRISTOF ,  波野帕提 斯里倫加 S. ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI ,  切雷克庫爾 莫維 ,  CELIKKOL, MERVE ,  李奎五 ,  LEE, KYU OH ,  艾根 肯麥爾 ,  AYGUN, KEMAL ,  錢治國 ,  QIAN, ZHIGUO

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/147 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/3511

摘要： 本發明大體上論述用於包括一無機中介件之多晶片封裝之方法及裝置。一種裝置可包括：一基體，該基體於其中包括低密度互連電路；該基體上之一無機中介件，該無機中介件包括電連接至該低密度互連電路之高密度互連電路，該無機中介件包括無機材料；以及兩個或兩個以上晶片，其電連接至該無機中介件，該等兩個或兩個以上晶片經由該高密度互連電路彼此電連接。

简体摘要： 本发明大体上论述用于包括一无机中介件之多芯片封装之方法及设备。一种设备可包括：一基体，该基体于其中包括低密度互连电路；该基体上之一无机中介件，该无机中介件包括电连接至该低密度互连电路之高密度互连电路，该无机中介件包括无机材料；以及两个或两个以上芯片，其电连接至该无机中介件，该等两个或两个以上芯片经由该高密度互连电路彼此电连接。