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公开(公告)号：TWI538115B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103112138
申请日：2014-04-01
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49894 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/24137 , H01L2224/73209 , H01L2224/81005 , H01L2224/92133 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201803059A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106127638
申请日：2012-03-21
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 胡傳 , HU, CHUAN , 里夫 蕭納 , LIFF, SHAWNA M. , 克萊門斯 葛瑞格利 , CLEMONS, GREGORY S.
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/10126 , H01L2224/10135 , H01L2224/10156 , H01L2224/1131 , H01L2224/11332 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13021 , H01L2224/13111 , H01L2224/16111 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/1624 , H01L2224/2929 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H05K1/181 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014
摘要： 本發明之揭示係有關製造微電子封裝之領域，其中在被沉積在一第一基材上的一介電層中形成腔穴，以維持各被焊接的互連間之分離。在一實施例中，該等腔穴可具有傾斜側壁。在另一實施例中，可在該等腔穴中沉積一焊料膏，且可在加熱之後形成焊料結構。在其他實施例中，可將該等焊料結構放置在該等腔穴中，或可在該第一基材可被連接到的一第二基材上形成該等焊料結構。在另外的其他實施例中，可在該第一基材及第二基材上形成焊料結構。可使該等焊料結構接觸到且回焊到第二基材上之接觸墊或焊料結構，而將該等焊料結構用來形成焊料互連。
简体摘要： 本发明之揭示系有关制造微电子封装之领域，其中在被沉积在一第一基材上的一介电层中形成腔穴，以维持各被焊接的互连间之分离。在一实施例中，该等腔穴可具有倾斜侧壁。在另一实施例中，可在该等腔穴中沉积一焊料膏，且可在加热之后形成焊料结构。在其他实施例中，可将该等焊料结构放置在该等腔穴中，或可在该第一基材可被连接到的一第二基材上形成该等焊料结构。在另外的其他实施例中，可在该第一基材及第二基材上形成焊料结构。可使该等焊料结构接触到且回焊到第二基材上之接触垫或焊料结构，而将该等焊料结构用来形成焊料互连。
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公开(公告)号：TW201511190A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103112138
申请日：2014-04-01
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49894 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/24137 , H01L2224/73209 , H01L2224/81005 , H01L2224/92133 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/00
摘要： 本揭示內容之實施例係針對用於積體電路封裝組件的技術與架構，該等封裝組件包含玻璃防焊層及/或橋接件。於一實施例中，設備包含一或多個增層，其具有電選路部件；及防焊層，其由玻璃材料所構成，該防焊層係與該一或多個增層耦接，並具有設置在該防焊層中的開口，以允許封裝等級互連結構經過該一或多個開口與該等電選路部件耦接。其他實施例可被敘述及/或主張。
简体摘要： 本揭示内容之实施例系针对用于集成电路封装组件的技术与架构，该等封装组件包含玻璃防焊层及/或桥接件。于一实施例中，设备包含一或多个增层，其具有电选路部件；及防焊层，其由玻璃材料所构成，该防焊层系与该一或多个增层耦接，并具有设置在该防焊层中的开口，以允许封装等级互链接构经过该一或多个开口与该等电选路部件耦接。其他实施例可被叙述及/或主张。
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公开(公告)号：TW201301462A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101109702
申请日：2012-03-21
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 胡傳 , HU, CHUAN , 里夫 蕭納 , LIFF, SHAWNA M. , 克萊門斯 葛瑞格利 , CLEMONS, GREGORY S.
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/10126 , H01L2224/10135 , H01L2224/10156 , H01L2224/1131 , H01L2224/11332 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13021 , H01L2224/13111 , H01L2224/16111 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/1624 , H01L2224/2929 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H05K1/181 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014
摘要： 本發明之揭示係有關製造微電子封裝之領域，其中在被沉積在一第一基材上的一介電層中形成腔穴，以維持各被焊接的互連間之分離。在一實施例中，該等腔穴可具有傾斜側壁。在另一實施例中，可在該等腔穴中沉積一焊料膏，且可在加熱之後形成焊料結構。在其他實施例中，可將該等焊料結構放置在該等腔穴中，或可在該第一基材可被連接到的一第二基材上形成該等焊料結構。在另外的其他實施例中，可在該第一基材及第二基材上形成焊料結構。可使該等焊料結構接觸到且回焊到第二基材上之接觸墊或焊料結構，而將該等焊料結構用來形成焊料互連。
简体摘要： 本发明之揭示系有关制造微电子封装之领域，其中在被沉积在一第一基材上的一介电层中形成腔穴，以维持各被焊接的互连间之分离。在一实施例中，该等腔穴可具有倾斜侧壁。在另一实施例中，可在该等腔穴中沉积一焊料膏，且可在加热之后形成焊料结构。在其他实施例中，可将该等焊料结构放置在该等腔穴中，或可在该第一基材可被连接到的一第二基材上形成该等焊料结构。在另外的其他实施例中，可在该第一基材及第二基材上形成焊料结构。可使该等焊料结构接触到且回焊到第二基材上之接触垫或焊料结构，而将该等焊料结构用来形成焊料互连。
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公开(公告)号：TWI630694B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW106127638
申请日：2012-03-21
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 胡傳 , HU, CHUAN , 里夫 蕭納 , LIFF, SHAWNA M. , 克萊門斯 葛瑞格利 , CLEMONS, GREGORY S.
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
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公开(公告)号：TWI603446B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW104142718
申请日：2012-03-21
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 胡傳 , HU, CHUAN , 里夫 蕭納 , LIFF, SHAWNA M. , 克萊門斯 葛瑞格利 , CLEMONS, GREGORY S.
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/10126 , H01L2224/10135 , H01L2224/10156 , H01L2224/1131 , H01L2224/11332 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13021 , H01L2224/13111 , H01L2224/16111 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/1624 , H01L2224/2929 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H05K1/181 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TWI524486B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW101109702
申请日：2012-03-21
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 胡傳 , HU, CHUAN , 里夫 蕭納 , LIFF, SHAWNA M. , 克萊門斯 葛瑞格利 , CLEMONS, GREGORY S.
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/10126 , H01L2224/10135 , H01L2224/10156 , H01L2224/1131 , H01L2224/11332 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13021 , H01L2224/13111 , H01L2224/16111 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/1624 , H01L2224/2929 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H05K1/181 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201616627A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104142718
申请日：2012-03-21
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 胡傳 , HU, CHUAN , 里夫 蕭納 , LIFF, SHAWNA M. , 克萊門斯 葛瑞格利 , CLEMONS, GREGORY S.
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/10126 , H01L2224/10135 , H01L2224/10156 , H01L2224/1131 , H01L2224/11332 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13021 , H01L2224/13111 , H01L2224/16111 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/1624 , H01L2224/2929 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H05K1/181 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014
摘要： 本發明之揭示係有關製造微電子封裝之領域，其中在被沉積在一第一基材上的一介電層中形成腔穴，以維持各被焊接的互連間之分離。在一實施例中，該等腔穴可具有傾斜側壁。在另一實施例中，可在該等腔穴中沉積一焊料膏，且可在加熱之後形成焊料結構。在其他實施例中，可將該等焊料結構放置在該等腔穴中，或可在該第一基材可被連接到的一第二基材上形成該等焊料結構。在另外的其他實施例中，可在該第一基材及第二基材上形成焊料結構。可使該等焊料結構接觸到且回焊到第二基材上之接觸墊或焊料結構，而將該等焊料結構用來形成焊料互連。
简体摘要： 本发明之揭示系有关制造微电子封装之领域，其中在被沉积在一第一基材上的一介电层中形成腔穴，以维持各被焊接的互连间之分离。在一实施例中，该等腔穴可具有倾斜侧壁。在另一实施例中，可在该等腔穴中沉积一焊料膏，且可在加热之后形成焊料结构。在其他实施例中，可将该等焊料结构放置在该等腔穴中，或可在该第一基材可被连接到的一第二基材上形成该等焊料结构。在另外的其他实施例中，可在该第一基材及第二基材上形成焊料结构。可使该等焊料结构接触到且回焊到第二基材上之接触垫或焊料结构，而将该等焊料结构用来形成焊料互连。
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公开(公告)号：TWI467717B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW099137777
申请日：2010-11-03
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
IPC分类号： H01L23/485 , H05K3/46
CPC分类号： H01L23/49822 , B32B2457/08 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/3675 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L2224/16227 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/81815 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05442 , H01L2924/14 , H01L2924/15184 , H01L2924/15788 , H01L2924/16251 , H05K3/42 , H05K3/4605 , H05K2201/0195 , H05K2201/096 , Y10T156/10 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI593073B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104120577
申请日：2015-06-25
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 胡釧 , HU, CHUAN , 邱 嘉平 , CHIU, CHIA-PIN , 史旺 喬安娜 , SWAN, JOHANNA
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/0557 , H01L2224/12105 , H01L2224/82039 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/3511
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