公开(公告)号：TW201642369A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW105112461

申请日：2016-04-21

Applicant: 庫利克和索夫工業公司 ,  KULICKE AND SOFFA INDUSTRIES, INC.

Inventor： 克勞伯格 赫斯特 ,  CLAUBERG, HORST ,  科洛斯莫Jr 湯姆斯J ,  COLOSIMO, JR., THOMAS J.

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/75 ,  B23K20/002 ,  B23K20/023 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K2201/38 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75841 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本發明係提供一種熱壓接合系統的操作方法。所述的方法係包括以下步驟：透過一熱壓接合操作將一半導體元件的第一導電結構與一基板的第二導電結構接觸；以及，利用半導體元件及基板中的至少其中之一的一運動系統，將半導體元件沿著至少一大致水平的方向相對於基板移動

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种热压接合系统的操作方法。所述的方法系包括以下步骤：透过一热压接合操作将一半导体组件的第一导电结构与一基板的第二导电结构接触；以及，利用半导体组件及基板中的至少其中之一的一运动系统，将半导体组件沿着至少一大致水平的方向相对于基板移动

公开(公告)号：TW201332028A

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW101141742

申请日：2012-11-09

Applicant: 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

Inventor： 酒井泰治 ,  SAKAI, TAIJI ,  今泉延弘 ,  IMAIZUMI, NOBUHIRO

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76254 ,  B23K20/026 ,  B23K20/24 ,  B23K20/26 ,  B23K2201/42 ,  G21K5/02 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67144 ,  H01L23/488 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/118 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81014 ,  H01L2224/8102 ,  H01L2224/81031 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/2021 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 根據本揭露，提供一種電子裝置的製造方法，其中包括將第一電子組件的第一電極的頂表面暴露於有機酸，以紫外線光照射暴露在有機酸的該第一電極之該頂表面，並藉由加熱和將該第一電極和該第二電極彼此壓抵而接合該第一電子組件和該第二電子組件的該第一電極和該第二電極。

Abstract in simplified Chinese: 根据本揭露，提供一种电子设备的制造方法，其中包括将第一电子组件的第一电极的顶表面暴露于有机酸，以紫外线光照射暴露在有机酸的该第一电极之该顶表面，并借由加热和将该第一电极和该第二电极彼此压抵而接合该第一电子组件和该第二电子组件的该第一电极和该第二电极。

公开(公告)号：TWI475620B

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW101141742

申请日：2012-11-09

Applicant: 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

Inventor： 酒井泰治 ,  SAKAI, TAIJI ,  今泉延弘 ,  IMAIZUMI, NOBUHIRO

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76254 ,  B23K20/026 ,  B23K20/24 ,  B23K20/26 ,  B23K2201/42 ,  G21K5/02 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67144 ,  H01L23/488 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/118 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81014 ,  H01L2224/8102 ,  H01L2224/81031 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/2021 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

公开(公告)号：TW201436058A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102148960

申请日：2013-12-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃信華 ,  HUANG, XIN HUA ,  劉丙寅 ,  LIU, PING YIN ,  林宏樺 ,  LIN, HUNG HUA ,  匡訓沖 ,  KUANG, HSUN CHUNG ,  謝元智 ,  HSIEH, YUAN CHIH ,  趙蘭璘 ,  CHAO, LAN LIN ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA SHIUNG ,  陳曉萌 ,  CHEN, XIAO-MENG

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/02068 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/206 ,  B23K20/026 ,  B23K20/233 ,  B23K20/24 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/80894

Abstract: 本發明例提供一種混成接合封裝結構的製造方法，包括：在一第一封裝元件的一表面上進行電漿活化；從第一封裝元件的多個第一金屬墊之表面上移除多個氧化物區；以及進行一預接合以將第一封裝元件接合至一第二封裝元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明例提供一种混成接合封装结构的制造方法，包括：在一第一封装组件的一表面上进行等离子活化；从第一封装组件的多个第一金属垫之表面上移除多个氧化物区；以及进行一预接合以将第一封装组件接合至一第二封装组件。

公开(公告)号：TW201413786A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW102128888

申请日：2013-08-12

Applicant: EV集團E塔那有限公司 ,  EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： 威普林格 馬克斯 ,  WIMPLINGER, MARKUS ,  瑞柏翰 柏赫德 ,  REBHAN, BERNHARD

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC classification number: B32B37/16 ,  B23K20/02 ,  B23K20/023 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  B32B37/10 ,  B32B37/12 ,  B32B38/0036 ,  B32B2309/025 ,  B32B2309/12 ,  B32B2311/12 ,  C23C14/24 ,  C23C16/44 ,  C23C28/02 ,  C25D5/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/29664 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/29684 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係關於一種藉由沉積第一材料而對第一基板(1)塗佈第一擴散接合層(5)之方法，其在第一基板(1)之第一表面(1o)上形成第一擴散接合層(5)，以使該第一擴散接合層(5)形成具有小於1μm之與該第一表面(1o)平行之平均粒徑H之粒表面。此外，本發明係關於一種採用以下步驟，尤其係以下順序將已如此塗佈之第一基板(1)接合至具有第二擴散接合層(4)之第二基板(3)之方法：- 使第一基板(1)之第一擴散接合層(5)與第二基板(3)之第二擴散接合層接觸，- 將該等基板(1、3)壓在一起而形成該第一及第二基板(1、3)間之永久金屬擴散接合。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种借由沉积第一材料而对第一基板(1)涂布第一扩散接合层(5)之方法，其在第一基板(1)之第一表面(1o)上形成第一扩散接合层(5)，以使该第一扩散接合层(5)形成具有小于1μm之与该第一表面(1o)平行之平均粒径H之粒表面。此外，本发明系关于一种采用以下步骤，尤其系以下顺序将已如此涂布之第一基板(1)接合至具有第二扩散接合层(4)之第二基板(3)之方法：- 使第一基板(1)之第一扩散接合层(5)与第二基板(3)之第二扩散接合层接触，- 将该等基板(1、3)压在一起而形成该第一及第二基板(1、3)间之永久金属扩散接合。

公开(公告)号：TWI604574B

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW103109662

申请日：2014-03-14

Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

Inventor： 寺伸幸 ,  TERASAKI, NOBUYUKI ,  長友義幸 ,  NAGATOMO, YOSHIYUKI

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  B32B15/01

CPC classification number: H05K1/09 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K35/002 ,  B23K35/005 ,  B23K2201/38 ,  B23K2203/08 ,  B23K2203/10 ,  B23K2203/12 ,  B23K2203/18 ,  B23K2203/26 ,  B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L2224/32225 ,  H05K1/02

公开(公告)号：TW201707821A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105111379

申请日：2016-04-12

Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

Inventor： 寺伸幸 ,  TERASAKI, NOBUYUKI ,  長友義幸 ,  NAGATOMO, YOSHIYUKI

IPC: B23K20/00 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3677 ,  B23K11/185 ,  B23K11/22 ,  B23K20/002 ,  B23K20/008 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/2333 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/08 ,  B23K2203/10 ,  B23K2203/12 ,  B23K2203/18 ,  B23K2203/26 ,  C22C21/04 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/473 ,  H01L2023/4037 ,  H01L2224/32225 ,  H05K7/20163

Abstract: 本發明之接合體係將由銅、鎳或銀所成的金屬構件與由固相線溫度未達構成前述金屬構件的金屬元素與鋁之共晶溫度的鋁合金所成的鋁合金構件予以接合而成之接合體，鋁合金構件與金屬構件係被固相擴散接合，於鋁合金構件中之與金屬構件的接合界面側，形成分散有結晶粒的縱橫比為2.5以下且結晶粒徑為15μm以下的Si相之冷硬層，前述冷硬層的厚度為50μm以上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之接合体系将由铜、镍或银所成的金属构件与由固相线温度未达构成前述金属构件的金属元素与铝之共晶温度的铝合金所成的铝合金构件予以接合而成之接合体，铝合金构件与金属构件系被固相扩散接合，于铝合金构件中之与金属构件的接合界面侧，形成分散有结晶粒的纵横比为2.5以下且结晶粒径为15μm以下的Si相之冷硬层，前述冷硬层的厚度为50μm以上。

公开(公告)号：TWI563576B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：TW102148960

申请日：2013-12-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃信華 ,  HUANG, XIN HUA ,  劉丙寅 ,  LIU, PING YIN ,  林宏樺 ,  LIN, HUNG HUA ,  匡訓沖 ,  KUANG, HSUN CHUNG ,  謝元智 ,  HSIEH, YUAN CHIH ,  趙蘭璘 ,  CHAO, LAN LIN ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA SHIUNG ,  陳曉萌 ,  CHEN, XIAO-MENG

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/02068 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/206 ,  B23K20/026 ,  B23K20/233 ,  B23K20/24 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/80894

公开(公告)号：TW201613714A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104128611

申请日：2015-08-31

Applicant: 同和電子科技有限公司 ,  DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.

Inventor： 遠藤圭一 ,  ENDOH, KEIICHI ,  三好宏昌 ,  MIYOSHI, HIROMASA ,  本村公一 ,  MOTOMURA, KIMIKAZU ,  栗田哲 ,  KURITA, SATORU

IPC: B23K35/26

CPC classification number: B23K35/302 ,  B22F1/0011 ,  B22F1/0059 ,  B22F7/008 ,  B22F7/062 ,  B22F9/02 ,  B22F9/24 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/19 ,  B23K5/00 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K35/025 ,  B23K35/36 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/12 ,  C22C9/00 ,  H01B1/22 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本發明提供一種低價的接合材及使用其之接合方法，該接合材容易印刷於被接合物上且可抑制被接合物彼此之接合部產生孔洞。 本發明係一種接合材，其係由銅糊構成，且該銅糊含有：銅粉，其平均粒徑為0.1~1μm且含0.3質量%以下的碳；及一元醇、二元醇、三元醇、萜烯系醇等之醇系溶劑；其中，銅粉含量為80~95質量%，醇系溶劑含量為5~20質量%。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种低价的接合材及使用其之接合方法，该接合材容易印刷于被接合物上且可抑制被接合物彼此之接合部产生孔洞。 本发明系一种接合材，其系由铜煳构成，且该铜煳含有：铜粉，其平均粒径为0.1~1μm且含0.3质量%以下的碳；及一元醇、二元醇、三元醇、萜烯系醇等之醇系溶剂；其中，铜粉含量为80~95质量%，醇系溶剂含量为5~20质量%。

公开(公告)号：TW201521161A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW103132850

申请日：2014-09-23

Applicant: 東麗工程股份有限公司 ,  TORAY ENGINEERING CO., LTD.

Inventor： 西村幸治 ,  NISHIMURA, KOJI ,  寺田勝美 ,  TERADA, KATSUMI ,  真下祐樹 ,  MASHIMO, YUKI ,  川上幹夫 ,  KAWAKAMI, MIKIO

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/75 ,  B23K20/026 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 本發明提供一種可比較容易地求出於接合時用以獲得所需之接合溫度分佈之加熱構件之設定溫度分佈，且接合品質無機差之安裝裝置及安裝方法。具體而言，提供如下安裝裝置及安裝方法，該安裝裝置包括：平台，其以將半導體晶片加熱壓接而接合於配線基板之安裝保持配線基板；熱壓接工具，其將半導體晶片按壓於配線基板；加熱構件，其對熱壓接工具進行加熱；及控制構件，其具有以任意之設定溫度分佈使上述加熱構件運轉之功能；且上述控制構件包含如下功能：藉由獲得表示上述加熱構件之設定溫度與接合部溫度之關係之傳遞函數，而求出用以將接合部溫度設為所需之分佈之上述加熱構件之設定溫度分佈。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可比较容易地求出于接合时用以获得所需之接合温度分布之加热构件之设置温度分布，且接合品质无机差之安装设备及安装方法。具体而言，提供如下安装设备及安装方法，该安装设备包括：平台，其以将半导体芯片加热压接而接合于配线基板之安装保持配线基板；热压接工具，其将半导体芯片按压于配线基板；加热构件，其对热压接工具进行加热；及控制构件，其具有以任意之设置温度分布使上述加热构件运转之功能；且上述控制构件包含如下功能：借由获得表示上述加热构件之设置温度与接合部温度之关系之传递函数，而求出用以将接合部温度设为所需之分布之上述加热构件之设置温度分布。