公开(公告)号：TWI532131B

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW102148605

申请日：2013-12-27

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 鄭世杰 ,  CHENG, SHIH JYE ,  盧東寶 ,  LU, TUNG BAO

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/1146

公开(公告)号：TWI462204B

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：TW102142573

申请日：2013-11-22

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 鄭世杰 ,  CHENG, SHIH JYE ,  盧東寶 ,  LU, TUNG BAO

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

公开(公告)号：TW201523819A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW102148605

申请日：2013-12-27

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 鄭世杰 ,  CHENG, SHIH JYE ,  盧東寶 ,  LU, TUNG BAO

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/1146

摘要： 一種半導體結構包括：一裝置；在該裝置上方之一導電襯墊；及安置在該導電襯墊上之一Ag1-xYx合金柱，其中該Ag1-xYx合金之Y包含以任意重量百分比與Ag形成完全固溶體之金屬，且其中該Ag1-xYx合金之X在約0.005至約0.25之範圍內。

简体摘要： 一种半导体结构包括：一设备；在该设备上方之一导电衬垫；及安置在该导电衬垫上之一Ag1-xYx合金柱，其中该Ag1-xYx合金之Y包含以任意重量百分比与Ag形成完全固溶体之金属，且其中该Ag1-xYx合金之X在约0.005至约0.25之范围内。

公开(公告)号：TWI462243B

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：TW102141593

申请日：2013-11-15

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 鄭世杰 ,  CHENG, SHIH JYE ,  盧東寶 ,  LU, TUNG BAO

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/4825 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0655 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

公开(公告)号：TW201444004A

公开(公告)日：2014-11-16

申请号：TW102142573

申请日：2013-11-22

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 鄭世杰 ,  CHENG, SHIH JYE ,  盧東寶 ,  LU, TUNG BAO

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

摘要： 本發明提供一種用於製造一半導體結構之方法。該方法包括：在一半導體晶粒上形成一導電襯墊；在該導電襯墊上方形成一晶種層；在該晶種層上方界定一第一遮罩層；及在該第一遮罩層中形成一銀合金凸塊本體。該在該第一遮罩層中形成一銀合金凸塊本體包括以下操作：製備一第一基於氰化物之電鍍浴；將該第一基於氰化物之電鍍浴之一pH值控制在約6至約8之一範圍內；將該半導體晶粒浸沒至該第一基於氰化物之電鍍浴中；及將約0.1 ASD至約0.5 ASD之一電鍍電流密度施加至該半導體晶粒。

简体摘要： 本发明提供一种用于制造一半导体结构之方法。该方法包括：在一半导体晶粒上形成一导电衬垫；在该导电衬垫上方形成一晶种层；在该晶种层上方界定一第一遮罩层；及在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体。该在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体包括以下操作：制备一第一基于氰化物之电镀浴；将该第一基于氰化物之电镀浴之一pH值控制在约6至约8之一范围内；将该半导体晶粒浸没至该第一基于氰化物之电镀浴中；及将约0.1 ASD至约0.5 ASD之一电镀电流密度施加至该半导体晶粒。

公开(公告)号：TW201436136A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102141593

申请日：2013-11-15

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 鄭世杰 ,  CHENG, SHIH JYE ,  盧東寶 ,  LU, TUNG BAO

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/4825 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/8169 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0655 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

摘要： 一半導體結構包括：一裝置；在該裝置上之一導電襯墊；及在該導電襯墊上方之一Ag1-xYx合金凸塊。該Ag1-xYx凸塊之Y包含以任意權重百分比與Ag形成完全固溶體之金屬，且該Ag1-xYx合金凸塊之X在約0.005至約0.25之一範圍內。一個標準差與該Ag1-xYx合金凸塊之一粒徑分佈之一均值之間的一差異在約0.2 μm至約0.4 μm之一範圍內。該Ag1-xYx合金凸塊在一縱向橫截面平面上之一平均粒徑在約0.5 μm至約1.5 μm之一範圍內。

简体摘要： 一半导体结构包括：一设备；在该设备上之一导电衬垫；及在该导电衬垫上方之一Ag1-xYx合金凸块。该Ag1-xYx凸块之Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体之金属，且该Ag1-xYx合金凸块之X在约0.005至约0.25之一范围内。一个标准差与该Ag1-xYx合金凸块之一粒径分布之一均值之间的一差异在约0.2 μm至约0.4 μm之一范围内。该Ag1-xYx合金凸块在一纵向横截面平面上之一平均粒径在约0.5 μm至约1.5 μm之一范围内。

公开(公告)号：TW201244867A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW101103537

申请日：2012-02-03

申请人： 富士通股份有限公司

发明人： 山上高豊 ,  久保田崇 ,  石川邦子 ,  北嶋雅之

IPC分类号： B23K ,  H05K

CPC分类号： H01L24/13 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  C22C9/00 ,  C23C24/106 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49883 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13709 ,  H01L2224/13711 ,  H01L2224/13713 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13813 ,  H01L2224/13839 ,  H01L2224/13844 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13899 ,  H01L2224/13913 ,  H01L2224/13939 ,  H01L2224/13944 ,  H01L2224/13947 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81509 ,  H01L2224/81511 ,  H01L2224/81513 ,  H01L2224/81639 ,  H01L2224/81644 ,  H01L2224/81647 ,  H01L2224/81699 ,  H01L2224/81711 ,  H01L2224/81713 ,  H01L2224/81739 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： 一種導電性接合材料包括：由高熔點金屬顆粒、中熔點金屬顆粒及低熔點金屬顆粒形成之金屬組份，高熔點金屬顆粒具有第一熔點或更高；中熔點金屬顆粒具有第一溫度或更高且第二溫度或更低之第二熔點，該第二溫度低於該第一熔點且高於該第一溫度；低熔點金屬顆粒具有第三熔點或更低，該第三熔點低於該第一溫度。

简体摘要： 一种导电性接合材料包括：由高熔点金属颗粒、中熔点金属颗粒及低熔点金属颗粒形成之金属组份，高熔点金属颗粒具有第一熔点或更高；中熔点金属颗粒具有第一温度或更高且第二温度或更低之第二熔点，该第二温度低于该第一熔点且高于该第一温度；低熔点金属颗粒具有第三熔点或更低，该第三熔点低于该第一温度。