公开(公告)号：USD936421S1

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：US29775278

申请日：2021-03-22

申请人： Jianhua Yang

设计人： Xubiao Li

公开(公告)号：US09885937B2

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：US13991461

申请日：2011-01-07

申请人： Jianhua Yang ,  Alexandre M. Bratkovski ,  David A. Fattal ,  Minxian Max Zhang

发明人： Jianhua Yang ,  Alexandre M. Bratkovski ,  David A. Fattal ,  Minxian Max Zhang

IPC分类号： G02F1/29 ,  G02F1/015 ,  G02F1/01

CPC分类号： G02F1/292 ,  G02F1/0121 ,  G02F1/015 ,  G02F2001/0155 ,  G02F2201/307 ,  G02F2203/12 ,  G02F2203/22 ,  G02F2203/62

摘要： A dynamic optical crossbar array includes a first set of parallel transparent electrode lines, a bottom set of parallel electrode lines that cross said transparent electrode lines, and an optically variable material disposed between said first set of transparent electrode lines and said bottom set of electrode lines.

公开(公告)号：US09257645B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US14232521

申请日：2011-07-14

申请人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  Feng Miao

发明人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  Feng Miao

IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L45/1608 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

摘要： A memristor includes a first electrode; a second electrode; and a switching layer interposed between the first electrode and the second electrode, wherein the switching layer includes an electrically semiconducting or nominally insulating and weak ionic switching mixed metal oxide phase for forming at least one switching channel in the switching layer. A method of forming the memristor is also provided.

摘要翻译： 忆阻器包括第一电极; 第二电极; 以及介于所述第一电极和所述第二电极之间的开关层，其中所述开关层包括用于在所述开关层中形成至少一个开关沟道的电半导体或标称绝缘和弱离子开关复合金属氧化物相。 还提供了形成忆阻器的方法。

公开(公告)号：US09224821B2

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US14385544

申请日：2012-04-26

申请人： Minxian Max Zhang ,  Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

发明人： Minxian Max Zhang ,  Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/102 ,  G11C13/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/02 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/92 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/24 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/74 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/247 ,  H01L29/47 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8616 ,  H01L29/872 ,  H01L29/92 ,  H01L45/00 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： In one example, a customizable nonlinear electrical device includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a thin film metal-oxide layer sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer to form a first rectifying interface between the metal-oxide layer and the first conductive layer and a second rectifying interface between the metal-oxide layer and the second conductive layer. The metal-oxide layer includes an electrically conductive mixture of co-existing metal and metal oxides. A method forming a nonlinear electrical device is also provided.

摘要翻译： 在一个示例中，可定制的非线性电气装置包括第一导电层，第二导电层和夹在第一导电层和第二导电层之间的薄膜金属氧化物层，以在金属氧化物之间形成第一整流界面 层和第一导电层以及金属氧化物层和第二导电层之间的第二整流界面。 金属氧化物层包括共存的金属和金属氧化物的导电混合物。 还提供了形成非线性电气装置的方法。

公开(公告)号：US09196354B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US13387307

申请日：2010-02-09

申请人： John Paul Strachan ,  Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Ribeiro ,  Jianhua Yang

发明人： John Paul Strachan ,  Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Ribeiro ,  Jianhua Yang

IPC分类号： G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  G11C11/54

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C11/54 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0092

摘要： Apparatus and methods related to memory resistors are provided. A feedback controller applies adjustment signals to a memristor. A non-volatile electrical resistance of the memristor is sensed by the feedback controller during the adjustment. The memristor is adjusted to particular values lying between first and second limiting values with minimal overshoot. Increased memristor service life, faster operation, lower power consumption, and higher operational integrity are achieved by the present teachings.

摘要翻译： 提供了与存储电阻相关的装置和方法。 反馈控制器将调整信号应用于忆阻器。 在调节期间，反馈控制器感测到避震器的非易失性电阻。 忆阻器被调整到具有最小过冲的第一和第二极限值之间的特定值。 通过本发明实现了增加的忆阻器使用寿命，更快的操作，更低的功耗和更高的操作完整性。

公开(公告)号：US09178153B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US14233075

申请日：2011-07-20

申请人： Minxian Max Zhang ,  Jianhua Yang ,  R. Stanley Williams

发明人： Minxian Max Zhang ,  Jianhua Yang ,  R. Stanley Williams

IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L45/1658 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： A memristor including a dopant source is disclosed. The structure includes an electrode, a conductive alloy including a conducting material, a dopant source material, and a dopant, and a switching layer positioned between the electrode and the conductive alloy, wherein the switching layer includes an electronically semiconducting or nominally insulating and weak ionic switching material. A method for fabricating the memristor including a dopant source is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种包括掺杂剂源的忆阻器。 该结构包括电极，包括导电材料的导电合金，掺杂剂源材料和掺杂剂，以及位于电极和导电合金之间的开关层，其中开关层包括电子半导体或标称绝缘和弱离子 开关材料。 还公开了一种用于制造包括掺杂剂源的忆阻器的方法。

公开(公告)号：US09159476B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13982672

申请日：2011-02-01

申请人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  R Stanley Williams

发明人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  R Stanley Williams

IPC分类号： H01C7/10 ,  H01C7/04 ,  H01L47/00 ,  H01L27/26

CPC分类号： H01C7/10 ,  H01C7/041 ,  H01C7/043 ,  H01L27/26 ,  H01L47/00

摘要： Apparatus and methods related to negative differential resistance (NDR) are provided. An NDR device includes a spaced pair of electrodes and at least two different materials disposed there between. One of the two materials is characterized by negative thermal expansion, while the other material is characterized by positive thermal expansion. The two materials are further characterized by distinct electrical resistivities. The NDR device is characterized by a non-linear electrical resistance curve that includes a negative differential resistance range. The NDR device operates along the curve in accordance with an applied voltage across the pair of electrodes.

摘要翻译： 提供与负差分电阻（NDR）相关的装置和方法。 NDR装置包括间隔开的一对电极和设置在其间的至少两种不同的材料。 两种材料之一的特征在于负热膨胀，而另一种材料的特征在于正的热膨胀。 这两种材料的特征还有不同的电阻率。 NDR器件的特征在于包括负差分电阻范围的非线性电阻曲线。 NDR器件根据跨越该对电极的施加电压沿曲线工作。

公开(公告)号：US20140346426A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：US14371492

申请日：2012-02-29

申请人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

发明人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165

摘要： A memristor with a channel region in thermal equilibrium with a containing region. The channel region has a variable concentration of mobile ions. The containing region, formed of stoichiometric crystalline material, contains and is in thermal equilibrium with the channel region.

摘要翻译： 具有与含有区域的热平衡的通道区域的忆阻器。 通道区域具有可变浓度的移动离子。 由化学计量结晶材料形成的含有区域含有和与通道区域处于热平衡状态。

公开(公告)号：US08891284B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13383572

申请日：2009-09-04

申请人： R. Stanley Williams ,  Jianhua Yang ,  Matthew Pickett ,  Gilberto Ribeiro ,  John Paul Strachan

发明人： R. Stanley Williams ,  Jianhua Yang ,  Matthew Pickett ,  Gilberto Ribeiro ,  John Paul Strachan

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L21/8239 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A memristor based on mixed-metal-valence compounds comprises: a first electrode; a second electrode; a layer of a mixed-metal-valence phase in physical contact with at least one layer of a fully oxidized phase. The mixed-metal-valence phase is essentially a condensed phase of dopants for the fully oxidized phase that drift into and out of the fully oxidized phase in response to an applied electric field. One of the first and second electrodes is in electrical contact with either the layer of the mixed-metal-valence phase or a layer of a fully oxidized phase and the other is in electrical contact with the layer (or other layer) of the fully oxidized phase. The memristor is prepared by forming in either order the layer of the mixed-metal-valence phase and the layer of the fully oxidized phase, one on the other. A reversible diode and an ON-switched diode are also provided. A method of operating the memristor is further provided.

摘要翻译： 基于混合金属价化合物的忆阻器包括：第一电极; 第二电极; 与至少一层完全氧化相物理接触的混合金属价态相的一层。 混合金属价相基本上是完全氧化相的掺杂剂的凝聚相，其响应于施加的电场漂移进入和离开完全氧化相。 第一和第二电极之一与混合金属化合物相的层或完全氧化相的层电接触，另一个与完全氧化的层（或其它层）电接触 相。 忆阻器通过以任何顺序形成混合金属价态相和完全氧化相的层来制备，另一方面。 还提供了可逆二极管和ON开关二极管。 还提供了一种操作忆阻器的方法。

公开(公告)号：US08882217B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13283197

申请日：2011-10-27

申请人： Perry V. Lea ,  Gilberto M. Ribeiro ,  Matthew D. Pickett ,  Jianhua Yang

发明人： Perry V. Lea ,  Gilberto M. Ribeiro ,  Matthew D. Pickett ,  Jianhua Yang

IPC分类号： B41J29/38 ,  B41J2/05 ,  B41J2/175

CPC分类号： B41J2/1753 ,  B41J2/17546 ,  B41J2/17559

摘要： A printhead assembly for a printing device is provided that includes a printhead comprising non-volatile memory elements. The memory elements include memristive elements. Each memristive element includes an active region disposed between two electrodes. The active region includes a switching layer formed of a switching material capable of carrying a species of dopants and a conductive layer in electrical contact with the switching layer, the conductive layer being formed of a dopant source material that includes the species of dopants that are capable of drifting into the switching layer under an applied potential.

摘要翻译： 提供了一种用于打印装置的打印头组件，其包括包括非易失性存储器元件的打印头。 存储元件包括忆阻元件。 每个忆阻元件包括设置在两个电极之间的有源区。 有源区包括由能够承载多种掺杂剂和与开关层电接触的导电层的开关材料形成的开关层，该导电层由掺杂剂源材料形成，掺杂剂源材料包括能够掺杂的掺杂剂的种类 在施加电位下漂移到开关层。