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    Nuclear factor of activated t cell receptor
    3.
    发明申请
    Nuclear factor of activated t cell receptor 审中-公开
    活化的T细胞受体的核因子

    公开(公告)号：US20060292668A1

    公开(公告)日：2006-12-28

    申请号：US10528326

    申请日：2003-09-19

    申请人： Zhengbin Yao ,  Guanghu Hu ,  Kang Li ,  Jianhua Yang

    发明人： Zhengbin Yao ,  Guanghu Hu ,  Kang Li ,  Jianhua Yang

    IPC分类号： C07K14/705 ,  C07K16/28 ,  C07H21/04 ,  C12P21/06

    CPC分类号： C07K14/4702 ,  A61K38/00

    摘要： Novel nuclear factor of activated T cells (“NFAT”) activating receptor useful for producing agonist and antagonist antibodies that regulate the cellular production and expression of cytokines and cellular receptors. The receptor is a 270 amino acid type I transmembrane protein with a calculated molecular mass of about 30 kD. The receptor has a putative signal peptide at the N-terminal (amino acids 1-42), an Ig-domain (amino acids 43-150) in the extracellular region, a predicted transmembrane domain (amino acids 164-186), and an predicted ITAM motif (amino acids 220-235) in the cytoplasmic region. The receptor activates NFAT, IL-13 and TNF alpha promoter reporter activities.

    摘要翻译： 活化的T细胞（“NFAT”）激活受体的新核因子可用于产生调节细胞因子和细胞受体的细胞产生和表达的激动剂和拮抗剂抗体。 该受体是270个氨基酸的I型跨膜蛋白，其计算分子量约为30kD。 受体在N-末端（氨基酸1-42），细胞外区域中的Ig结构域（氨基酸43-150），预测的跨膜结构域（氨基酸164-186）和 在细胞质区域预测ITAM基序（氨基酸220-235）。 受体激活NFAT，IL-13和TNFα启动子记录活性。

    Two terminal memcapacitor device
    6.
    发明授权
    Two terminal memcapacitor device 有权
    两端式电容器

    公开(公告)号：US08779848B2

    公开(公告)日：2014-07-15

    申请号：US13383981

    申请日：2009-08-28

    申请人： Matthew D. Pickett ,  Julien Borghetti ,  Jianhua Yang

    发明人： Matthew D. Pickett ,  Julien Borghetti ,  Jianhua Yang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/24 ,  H01L29/167 ,  H01L49/02

    CPC分类号： G11C11/24 ,  H01G7/06 ,  H01L27/101 ,  H01L28/40 ,  H01L29/167 ,  H01L29/93

    摘要： A memcapacitor device includes a memcapacitive matrix interposed between a first electrode and a second electrode. The memcapacitive matrix includes deep level dopants having a first decay time constant and shallow level dopants having a second decay time constant. The second decay time constant is substantially shorter than the first decay time constant. The capacitance of the memcapacitor device depends upon an initial voltage applied across the memcapacitive matrix and a time dependent change in capacitance of the memcapacitor device depends upon the first decay time constant. A method for forming a memcapacitive device is also provided.

    摘要翻译： 电容器装置包括插入在第一电极和第二电极之间的存储电容矩阵。 电容矩阵包括具有第一衰减时间常数的深层掺杂剂和具有第二衰减时间常数的浅层掺杂剂。 第二衰减时间常数明显短于第一衰减时间常数。 存储器件器件的电容取决于施加在存储电容矩阵上的初始电压，并且存储器件器件的时间相关的电容变化取决于第一衰减时间常数。 还提供了一种用于形成电容器件的方法。

    Memristive switch device
    10.
    发明授权
    Memristive switch device 有权
    忆阻开关装置

    公开(公告)号：US08586959B2

    公开(公告)日：2013-11-19

    申请号：US12769557

    申请日：2010-04-28

    申请人： Matthew D. Pickett ,  Jianhua Yang ,  Dmitri Strukov

    发明人： Matthew D. Pickett ,  Jianhua Yang ,  Dmitri Strukov

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/146 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2409

    摘要： A memristive switch device can comprise a switch formed between a first electrode and a second electrode, where the switch includes a memristive layer and a select layer directly adjacent the memristive layer. The select layer blocks current to the memristive layer over a symmetric bipolar range of subthreshold voltages applied between the first and second electrodes.

    摘要翻译： 忆阻开关装置可以包括形成在第一电极和第二电极之间的开关，其中开关包括忆阻层和与忆阻层直接相邻的选择层。 选择层通过施加在第一和第二电极之间的亚阈值电压的对称双极性范围阻挡电流到忆阻层。