公开(公告)号：US5434751A

公开(公告)日：1995-07-18

申请号：US225876

申请日：1994-04-11

申请人： Herbert S. Cole, Jr. ,  Theresa A. Sitnik-Nieters ,  Robert J. Wojnarowski ,  John H. Lupinski

发明人： Herbert S. Cole, Jr. ,  Theresa A. Sitnik-Nieters ,  Robert J. Wojnarowski ,  John H. Lupinski

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/538 ,  H05K1/00 ,  H05K1/11

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L21/485 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L24/73 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15787 ,  H05K1/0286 ,  H05K3/4676 ,  Y10T29/49155

摘要： A multichip module (incorporating a high density interconnect structure) has: a first portion containing a substrate with semiconductor chips therein, with each chip having contact pads; a second portion comprising a (HDI) structure interconnecting the chip pads; and a solvent-soluble release layer bonding the two portions together and allowing for easy removal of the HDI structure from the substrate of the module by immersion in an appropriate solvent for the release layer.

摘要翻译： 多芯片模块（包括高密度互连结构）具有：包含其中具有半导体芯片的衬底的第一部分，每个芯片具有接触焊盘; 第二部分包括互连芯片焊盘的（HDI）结构; 以及将两部分结合在一起的溶剂可溶性剥离层，并且通过浸渍在用于剥离层的合适溶剂中，可以容易地从模块的基材上除去HDI结构。

公开(公告)号：US5391516A

公开(公告)日：1995-02-21

申请号：US774427

申请日：1991-10-10

申请人： Robert J. Wojnarowski ,  Bernard Gorowitz

发明人： Robert J. Wojnarowski ,  Bernard Gorowitz

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/268 ,  H01L21/311 ,  H01L21/441

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14

摘要： Semiconductor device contact pads are enhanced by forming a metal plate over at least a portion of the contact pad. "Enhancement" includes repair such as by bridging a reinforcing pad area over probe damage, general reinforcement or enlargement of a contact pad, and placement of a protective buffer pad over a contact pad. These methods are applicable to any semiconductor device with contact pads on a surface thereof, such as entire wafers, individual dice, and multi-chip High Density Interconnect (HDI) modules. The pad enhancement plate is formed by applying a planarizing dielectric layer over the entire device (if not already formed in the initial stages of HDI processing), and an enhancement access via is then formed to expose a portion of the contact pad to be enhanced. The entire device is metallized, and metal not over the exposed portion of the contact pad is subsequently removed. Localized heating of the metal plate can be achieved by a laser to effectuate a selective pseudo-weld or produce sintering for a low resistance ohmic contact.

摘要翻译： 通过在接触垫的至少一部分上形成金属板来增强半导体器件接触焊盘。 “增强”包括修复，例如通过桥接加强垫区域超过探测器损伤，通常加强或扩大接触垫，以及将保护性缓冲垫放置在接触垫上。 这些方法适用于具有其表面上的接触焊盘的任何半导体器件，例如整个晶片，单个晶片和多芯片高密度互连（HDI）模块。 通过在整个装置（如果在HDI处理的初始阶段尚未形成）中施加平坦化介电层来形成焊盘增强板，然后形成增强接入通路，以使接触焊盘的一部分暴露出增强。 整个装置被金属化，并且随后去除接触垫的暴露部分之上的金属。 可以通过激光来实现金属板的局部加热，以实现选择性伪焊接或产生用于低电阻欧姆接触的烧结。

公开(公告)号：US5302547A

公开(公告)日：1994-04-12

申请号：US14609

申请日：1993-02-08

申请人： Robert J. Wojnarowski ,  Herbert S. Cole ,  Richard J. Saia ,  Thomas B. Gorczyca ,  Ernest W. Balch

发明人： Robert J. Wojnarowski ,  Herbert S. Cole ,  Richard J. Saia ,  Thomas B. Gorczyca ,  Ernest W. Balch

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306

CPC分类号： H05K3/0041 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/036 ,  H05K2201/0166 ,  H05K2201/0195 ,  H05K3/0032 ,  Y10S438/94 ,  Y10S438/945

摘要： A differentiable ablation approach to patterning dielectrics which are not of the same absorbance uses an absorbant dielectric at a specified laser wavelength over a non-absorbant dielectric at that wavelength. The absorbant dielectric may be laser-patterned and become an integral mask enabling plasma etching of the underlying non-absorbant dielectric. If the patterning of the absorbant dielectric involves vias, polymer ridges formed around via surfaces during laser patterning may be removed at the same time the underlying non-absorbant dielectric is etched using a transparent, oxygen plasma resistant mask. Alternatively, an inert mask may be used instead of the absorbant dielectric to allow plasma etching of the non-absorbant dielectric.

摘要翻译： 对于不相同吸光度的电介质图案的可微分消融方法，在该波长处的非吸收性电介质上使用指定的激光波长的吸收介质。 吸收介质可以是激光图案化的，并且成为能够对下面的非吸收性电介质进行等离子体蚀刻的整体掩模。 如果吸收介质的图案化涉及通孔，则可以在激光图案化期间在通孔表面周围形成的聚合物脊在同时使用透明的耐氧等离子体掩模蚀刻下面的非吸收性电介质。 或者，可以使用惰性掩模来代替吸收介质，以允许对非吸收性介质的等离子体蚀刻。