公开(公告)号：US20060141794A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US10530612

申请日：2003-09-09

申请人： Franz Laermer ,  Andrea Urban

发明人： Franz Laermer ,  Andrea Urban

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/67069

摘要： A method and a plasma system are provided for anisotropically etching structures into a substrate positioned in an etching chamber, e.g., structures defined using an etching mask in a silicon substrate, using a plasma. For this purpose, the etching chamber is supplied at least intermittently with an etching gas and at least intermittently with a passivation gas, the passivation gas being supplied to the etching chamber in cycles having a time period between 0.05 second and 1 second. In the plasma system, in addition to a plasma source, via which the plasma acting on the substrate may be produced, an arrangement is provided for at least temporary supply of the etching gas and at least temporary supply of the passivation gas to the etching chamber, which arrangement is designed in such a way that the passivation gas may be supplied to the etching chamber in cycles having a time period between 0.05 second and 1 second.

摘要翻译： 提供了一种方法和等离子体系统，用于使用等离子体将结构各向异性地蚀刻到位于蚀刻室中的基板中，例如使用硅衬底中的蚀刻掩模限定的结构。 为此目的，蚀刻室至少间歇地被蚀刻气体提供，并且至少与钝化气体间歇地供给，钝化气体以0.05秒和1秒之间的时间周期被供给到蚀刻室。 在等离子体系统中，除了可以产生作用在衬底上的等离子体的等离子体源之外，还提供了至少临时供应蚀刻气体的装置，并且至少临时提供钝化气体到蚀刻室 ，这种布置被设计成使得钝化气体可以以0.05秒和1秒之间的时间周期递送到蚀刻室。

公开(公告)号：US20050083634A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10495648

申请日：2002-10-04

申请人： Kalus Breitschwerdt ,  Franz Laermer ,  Andrea Urban

发明人： Kalus Breitschwerdt ,  Franz Laermer ,  Andrea Urban

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H02H1/00

CPC分类号： H01L21/68785 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833

摘要： A holding device including a holding element, on which a substrate is electrostatically fixed, positioned on a substrate electrode. In one configuration, a load body on the substrate electrode presses the holding element onto it, and is connected via a clamping device, which presses the former onto the substrate electrode, with a base, which supports the substrate electrode, the load body and the base being electrically insulated from the substrate electrode. In another configuration, the side of the holding element faces the substrate as an electrically insulating ferroelectric or piezoelectric material. Another configuration includes a device via which a liquid convection medium is feedable into a space formed by the holding element and substrate or is removable from there again. A method for supplying heat or dissipating heat from the back of a substrate to which heat is applied from the front, and which is held by the holding device.

摘要翻译： 一种保持装置，其包括保持元件，基板静电固定在该保持元件上，位于基板电极上。 在一种构造中，基板电极上的负载体将保持元件按压在其上，并且通过将基板压在基板电极上的夹持装置连接，基座支撑基板电极，负载体和 基底与基底电极电绝缘。 在另一构造中，保持元件的侧面作为电绝缘铁电体或压电材料的基板。 另一种配置包括一种装置，通过该装置，液体对流介质可以被供给到由保持元件和基底形成的空间中，或者可以再次从该装置移除。 一种用于从基板背面向供热或散热的方法，该基板从前部施加热量，并由保持装置保持。

公开(公告)号：US05996409A

公开(公告)日：1999-12-07

申请号：US64495

申请日：1998-04-22

申请人： Karsten Funk ,  Franz Laermer ,  Bernhard Elsner ,  Wilhelm Frey

发明人： Karsten Funk ,  Franz Laermer ,  Bernhard Elsner ,  Wilhelm Frey

IPC分类号： B60R21/00 ,  B60R21/01 ,  B60R21/013 ,  B60R21/0132 ,  G01C19/56 ,  G01C19/5712 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01C19/00 ,  G01P15/08

CPC分类号： B60R21/0132 ,  B60R21/013 ,  G01C19/5712 ,  G01P15/097 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  B60G2800/9124 ,  B60R2021/0018 ,  B60R2021/01006 ,  B60R2021/01306 ,  G01P2015/0814

摘要： An acceleration sensing device includes a rotational speed sensor which is mounted on a substrate and detects rotational speed, at least one oscillating structure with a deflectable seismic mass, and an acceleration sensor that detects linear acceleration and has at least one additional seismic mass which is suspended on flexible elements so that it can be deflected. The seismic masses of the two sensors are deflected independently of one another.

摘要翻译： 加速度感测装置包括安装在基板上并检测转速的转速传感器，具有可偏转地震质量的至少一个振荡结构和检测线性加速度的至少一个额外的地震块悬挂的加速度传感器 在柔性元件上，使其可以偏转。 两个传感器的地震质量彼此独立地偏转。

公开(公告)号：US08946090B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US12452692

申请日：2008-07-02

申请人： Volker Becker ,  Franz Laermer ,  Tino Fuchs ,  Christina Leinenbach

发明人： Volker Becker ,  Franz Laermer ,  Tino Fuchs ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32135

摘要： A method for selective etching of an SiGe mixed semiconductor layer on a silicon semiconductor substrate by dry chemical etching of the SiGe mixed semiconductor layer with the aid of an etching gas selected from the group including ClF3 and/or ClF5, a gas selected from the group including Cl2 and/or HCl being added to the etching gas.

摘要翻译： 借助于选自ClF3和/或ClF5的蚀刻气体，通过SiGe混合半导体层的干法化学蚀刻来选择性地蚀刻硅半导体衬底上的SiGe混合半导体层的方法， 包括添加到蚀刻气体中的Cl 2和/或HCl。

公开(公告)号：US08637945B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13259570

申请日：2010-04-07

申请人： Frank Reichenbach ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Franz Laermer ,  Ulrike Scholz ,  Kathrin van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

发明人： Frank Reichenbach ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Franz Laermer ,  Ulrike Scholz ,  Kathrin van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： H04R19/005 ,  Y10T428/31663

摘要： A component having a robust, but acoustically sensitive microphone structure is provided and a simple and cost-effective method for its production. This microphone structure includes an acoustically active diaphragm, which functions as deflectable electrode of a microphone capacitor, a stationary, acoustically permeable counter element, which functions as counter electrode of the microphone capacitor, and an arrangement for detecting and analyzing the capacitance changes of the microphone capacitor. The diaphragm is realized in a diaphragm layer above the semiconductor substrate of the component and covers a sound opening in the substrate rear. The counter element is developed in a further layer above the diaphragm. This further layer generally extends across the entire component surface and compensates level differences, so that the entire component surface is largely planar according to this additional layer. This allows a foil to be applied on the layer configuration of the microphone structures exposed in the wafer composite, which makes it possible to dice up the components in a standard sawing process.

摘要翻译： 提供具有坚固但声学敏感的麦克风结构的部件，并且是用于其生产的简单且成本有效的方法。 这种麦克风结构包括一个声学活动的隔膜，它起着麦克风电容器的可偏转电极的作用，一个固定的，声学可渗透的计数元件，起着麦克风电容器的对电极的作用，以及用于检测和分析麦克风的电容变化的装置 电容器。 膜片在元件的半导体衬底上方的隔膜层中实现，并覆盖衬底后部的声音开口。 计数元件在膜片上方的另一层中显影。 该另一层通常跨越整个组件表面延伸并补偿水平差，使得根据该附加层，整个组件表面大部分是平面的。 这允许将箔施加在暴露在晶片复合材料中的麦克风结构的层结构上，这使得可以在标准锯切工艺中引导部件。

公开(公告)号：US08629011B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13161194

申请日：2011-06-15

申请人： Brett M. Diamond ,  Franz Laermer ,  Andrew J. Doller ,  Michael J. Daley ,  Phillip Sean Stetson ,  John M. Muza

发明人： Brett M. Diamond ,  Franz Laermer ,  Andrew J. Doller ,  Michael J. Daley ,  Phillip Sean Stetson ,  John M. Muza

IPC分类号： H01L21/339

CPC分类号： H04R19/005 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0119 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/075 ,  B81C2203/0778 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

摘要： A method of manufacturing a microphone using epitaxially grown silicon. A monolithic wafer structure is provided. A wafer surface of the structure includes poly-crystalline silicon in a first horizontal region and mono-crystalline silicon in a second horizontal region surrounding a perimeter of the first horizontal region. A hybrid silicon layer is epitaxially deposited on the wafer surface. Portions of the hybrid silicon layer that contact the poly-crystalline silicon use the poly-crystalline silicon as a seed material and portions that contact the mono-crystalline silicon use the mono-crystalline silicon as a seed material. As such, the hybrid silicon layer includes both mono-crystalline silicon and poly-crystalline silicon in the same layer of the same wafer structure. A CMOS/membrane layer is then deposited on top of the hybrid silicon layer.

摘要翻译： 使用外延生长硅制造麦克风的方法。 提供了一种单片晶圆结构。 该结构的晶片表面包括第一水平区域中的多晶硅和围绕第一水平区域的周边的第二水平区域中的单晶硅。 杂化硅层外延沉积在晶片表面上。 接触多晶硅的混合硅层的部分使用多晶硅作为种子材料，并且接触单晶硅的部分使用单晶硅作为种子材料。 这样，混合硅层在同一晶片结构的相同层中包括单晶硅和多晶硅两者。 然后将CMOS /膜层沉积在混合硅层的顶部。

公开(公告)号：US08607450B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US12811936

申请日：2008-12-17

申请人： Julia Cassemeyer ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ralf Reichenbach

发明人： Julia Cassemeyer ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ralf Reichenbach

IPC分类号： B23P17/00

CPC分类号： F04B43/043 ,  F04B19/006

摘要： A method for manufacturing a micropump, which may be for the metered delivery of insulin, multiple layers being situated on the front side of a first carrier layer, which has a front side and a rear side, and microfluidic functional elements being formed by structuring at least one of the layers. It is provided that the structuring of the at least one layer for manufacturing all microfluidic functional elements is exclusively performed by front side structuring. Furthermore, a micropump is disclosed.

摘要翻译： 一种制造微型泵的方法，该微型泵可以用于计量输送胰岛素，多层位于具有前侧和后侧的第一载体层的前侧，微流体功能元件通过在 至少一层。 提供用于制造所有微流控功能元件的至少一层的结构化仅通过前端结构进行。 此外，公开了一种微型泵。

公开(公告)号：US08501516B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12740607

申请日：2008-10-13

申请人： Franz Laermer ,  Tino Fuchs ,  Christina Leinenbach

发明人： Franz Laermer ,  Tino Fuchs ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： B81C1/00103 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0136

摘要： A method for producing micromechanical patterns having a relief-like sidewall outline shape or an angle of inclination that is able to be set, the micromechanical patterns being etched out of a SiGe mixed semiconductor layer that is present on or deposited on a silicon semiconductor substrate, by dry chemical etching of the SiGe mixed semiconductor layer; the sidewall outline shape of the micromechanical pattern being developed by varying the germanium proportion in the SiGe mixed semiconductor layer that is to be etched; a greater germanium proportion being present in regions that are to be etched more strongly; the variation in the germanium proportion in the SiGe mixed semiconductor layer being set by a method selected from the group including depositing a SiGe mixed semiconductor layer having varying germanium content, introducing germanium into a silicon semiconductor layer or a SiGe mixed semiconductor layer, introducing silicon into a germanium layer or an SiGe mixed semiconductor layer and/or by thermal oxidation of a SiGe mixed semiconductor layer.

摘要翻译： 一种用于生产具有凸起状侧壁轮廓形状或能够被设定的倾斜角的微机械图案的方法，从存在于或沉积在硅半导体衬底上的SiGe混合半导体层中蚀刻微机械图案， 通过干法化学蚀刻SiGe混合半导体层; 通过改变要蚀刻的SiGe混合半导体层中的锗比例来显影微机械图案的侧壁轮廓形状; 存在于要被更强蚀刻的区域中更大的锗比例; SiGe混合半导体层中的锗比例的变化通过选自包括沉积具有不同锗含量的SiGe混合半导体层，将锗引入到硅半导体层或SiGe混合半导体层中的方法来设置，将硅引入 锗层或SiGe混合半导体层和/或通过SiGe混合半导体层的热氧化。

公开(公告)号：US08377315B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12810973

申请日：2008-11-19

申请人： Dick Scholten ,  Tjalf Pirk ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ralf Reichenbach ,  Ando Feyh

发明人： Dick Scholten ,  Tjalf Pirk ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ralf Reichenbach ,  Ando Feyh

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： A61K9/0019 ,  A61B5/02755 ,  A61K9/0024 ,  A61K9/2009 ,  A61K31/337 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/0023 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0115 ,  Y10T428/249978

摘要： A method for manufacturing porous microstructures in a silicon semiconductor substrate, porous microstructures manufactured according to this method, and the use thereof.

摘要翻译： 一种用于制造硅半导体衬底中的多孔微结构的方法，根据该方法制造的多孔微结构及其用途。

公开(公告)号：US08354033B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US12227509

申请日：2007-04-27

申请人： Dick Scholten ,  Julia Cassemeyer ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ando Feyh ,  Christian Maeurer

发明人： Dick Scholten ,  Julia Cassemeyer ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ando Feyh ,  Christian Maeurer

IPC分类号： B44C1/22 ,  C25F3/00

CPC分类号： B81C1/00119 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/003 ,  A61M2037/0038 ,  A61M2037/0046 ,  A61M2037/0053 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0115

摘要： A method for producing porous microneedles (10) situated in an array on a silicon substrate includes: providing a silicon substrate, applying a first etching mask, patterning microneedles using a DRIE process (“deep reactive ion etching”), removing the first etching mask, at least partially porosifying the Si substrate, the porosification beginning on the front side of the Si substrate and a porous reservoir being formed.

摘要翻译： 一种制造位于硅衬底上的多孔微针（10）的方法，包括：提供硅衬底，施加第一蚀刻掩模，使用DRIE工艺（深反应离子蚀刻）图案化微针，去除第一蚀刻掩模， 至少部分地使Si衬底开孔，从Si衬底的正面开始的开孔化和形成的多孔容器。