公开(公告)号：US20110193094A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US13086961

申请日：2011-04-14

申请人： Benjamin A. Haskell ,  Melvin B. McLaurin ,  Steven P. DenBaars ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell ,  Melvin B. McLaurin ,  Steven P. DenBaars ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method of growing highly planar, fully transparent and specular m-plane gallium nitride (GaN) films. The method provides for a significant reduction in structural defect densities via a lateral overgrowth technique. High quality, uniform, thick m-plane GaN films are produced for use as substrates for polarization-free device growth.

摘要翻译： 生长高度平面，完全透明和镜面的m面氮化镓（GaN）膜的方法。 该方法通过侧向过度生长技术显着降低结构缺陷密度。 制造高品质，均匀，厚的m面GaN膜用作无极化器件生长的衬底。

公开(公告)号：US07956360B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US11697457

申请日：2007-04-06

申请人： Benjamin A. Haskell ,  Melvin B. McLaurin ,  Steven P. DenBaars ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell ,  Melvin B. McLaurin ,  Steven P. DenBaars ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method of growing highly planar, fully transparent and specular m-plane gallium nitride (GaN) films. The method provides for a significant reduction in structural defect densities via a lateral overgrowth technique. High quality, uniform, thick m-plane GaN films are produced for use as substrates for polarization-free device growth.

摘要翻译： 生长高度平面，完全透明和镜面的m面氮化镓（GaN）膜的方法。 该方法通过侧向过度生长技术显着降低结构缺陷密度。 制造高品质，均匀，厚的m面GaN膜用作无极化器件生长的衬底。

公开(公告)号：US20110103418A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12913638

申请日：2010-10-27

申请人： Matthew T. Hardy ,  You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Kathryn M. Kelchner

发明人： Matthew T. Hardy ,  You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Kathryn M. Kelchner

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L33/22 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L33/0045 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

摘要： An optoelectronic device, comprising an active region and a waveguide structure to provide optical confinement of light emitted from the active region; a pair of facets on opposite ends of the device, having opposite surface polarity; and one of the facets which has been roughened by a crystallographic chemical etching process, wherein the device is a nonpolar or semipolar (Ga,In,Al,B)N based device.

摘要翻译： 一种光电子器件，包括有源区和波导结构，以提供从有源区发射的光的光学限制; 在装置的相对端上的一对具有相反表面极性的小面; 和通过结晶化学蚀刻工艺被粗糙化的其中一个方面，其中该器件是基于非极性或半极性（Ga，In，Al，B）N的器件。

公开(公告)号：US20110101301A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12916218

申请日：2010-10-29

申请人： You-Da Lin ,  Arpan Chakraborty ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

发明人： You-Da Lin ,  Arpan Chakraborty ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： A light emitting device with a coupled quantum well structure in an active region. The coupled quantum well structure may include two or more wells are separated by one or more mini-barriers, and the wells and mini-barriers together are sandwiched by barriers. The coupled quantum well structure provides almost the same effect as a wide quantum well, due to the coupling of the wavefunctions through the mini-barrier. The light emitting device may be a nonpolar, semipolar or polar (Al,Ga,In)N based light emitting device.

摘要翻译： 一种在有源区域中具有耦合的量子阱结构的发光器件。 耦合的量子阱结构可以包括两个或更多个孔被一个或多个微型屏障隔开，并且阱和微型屏障一起夹在屏障之间。 耦合量子阱结构提供了与宽量子阱几乎相同的效果，这是由于通过微型屏障的波函数的耦合。 发光器件可以是非极性，半极性或极性（Al，Ga，In）N基发光器件。

公开(公告)号：US07847293B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US11670332

申请日：2007-02-01

申请人： Benjamin A. Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L21/36

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US07691658B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11655573

申请日：2007-01-19

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1−xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1−xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。

公开(公告)号：US20100052008A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12364272

申请日：2009-02-02

申请人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  Asako Hirai ,  Makoto Saito ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

发明人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  Asako Hirai ,  Makoto Saito ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/16

摘要： An off-axis cut of a nonpolar III-nitride wafer towards a polar (−c) orientation results in higher polarization ratios for light emission than wafers without such off-axis cuts. A 5° angle for an off-axis cut has been confirmed to provide the highest polarization ratio (0.9) than any other examined angles for off-axis cuts between 0 and 27°.

摘要翻译： 非极性III族氮化物晶片向极（-c）取向的偏轴切割导致比没有这种离轴切割的晶片更高的发光偏振比。 已经确认了用于离轴切割的5°角，以提供在0和27°之间的离轴切割的任何其它检查角度的最高偏振比（0.9）。

公开(公告)号：US20090315055A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12464711

申请日：2009-05-12

申请人： Adele Tamboli ,  Evelyn Lynn Hu ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Adele Tamboli ,  Evelyn Lynn Hu ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/32

摘要： A method for photoelectrochemical (PEC) etching of a p-type gallium nitride (GaN) layer of a heterostructure, comprising using an internal bias in a semiconductor structure to prevent electrons from reaching a surface of the p-type layer, and to promote holes reaching the surface of the p-type layer, wherein the semiconductor structure includes the p-type layer, an active layer for absorbing PEC illumination, and an n-type layer.

摘要翻译： 一种用于对异质结构的p型氮化镓（GaN）层进行光电化学（PEC）蚀刻的方法，包括使用半导体结构中的内部偏压来防止电子到达p型层的表面，并且促进孔 到达p型层的表面，其中半导体结构包括p型层，用于吸收PEC照明的有源层和n型层。

公开(公告)号：US20090294775A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12474143

申请日：2009-05-28

申请人： Makoto Saito ,  Shin-Ichiro Kawabata ,  Derrick S. Kamber ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Makoto Saito ,  Shin-Ichiro Kawabata ,  Derrick S. Kamber ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  C30B25/02 ,  C30B28/14 ,  C30B30/00

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A method of obtaining a hexagonal würtzite type epitaxial layer with a low impurity concentration of alkali-metal by using a hexagonal würtzite substrate possessing a higher impurity concentration of alkali-metal, wherein a surface of the substrate upon which the epitaxial layer is grown has a crystal plane which is different from the c-plane.

摘要翻译： 一种通过使用具有较高杂质浓度的碱金属的六方晶系铁氧体基板来获得具有低杂质浓度的碱金属的六方晶系的外延层的方法，其中生长该外延层的基板的表面具有 与c平面不同的晶体平面。

公开(公告)号：US20090194761A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12364258

申请日：2009-02-02

申请人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

发明人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L33/34 ,  H01L33/16

摘要： An increase in the Indium (In) content in light-emitting layers of light-emitting diode (LED) structures prepared on nonpolar III-nitride substrates result in higher polarization ratios for light emission than LED structures containing lesser In content. Polarization ratios should be higher than 0.7 at wavelengths longer than 470 nm.

摘要翻译： 在非极性III族氮化物衬底上制备的发光二极管（LED）结构的发光层中的铟（In）含量的增加导致与含有较少In含量的LED结构相比较高的发光极化比。 在470nm以上的波长下，极化率应高于0.7。