公开(公告)号：US20130260555A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13786644

申请日：2013-03-06

申请人： Bhushan N. ZOPE ,  Avgerinos V. GELATOS ,  Bo ZHENG ,  Yu LEI ,  Xinyu FU ,  Srinivas GANDIKOTA ,  Sang-Ho YU ,  Mathew ABRAHAM

发明人： Bhushan N. ZOPE ,  Avgerinos V. GELATOS ,  Bo ZHENG ,  Yu LEI ,  Xinyu FU ,  Srinivas GANDIKOTA ,  Sang-Ho YU ,  Mathew ABRAHAM

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/66621

摘要： Methods for depositing a contact metal layer in contact structures of a semiconductor device are provided. In one embodiment, a method for depositing a contact metal layer for forming a contact structure in a semiconductor device is provided. The method comprises performing a cyclic metal deposition process to deposit a contact metal layer on a substrate and annealing the contact metal layer disposed on the substrate. The cyclic metal deposition process comprises exposing the substrate to a deposition precursor gas mixture to deposit a portion of the contact metal layer on the substrate, exposing the portion of the contact metal layer to a plasma treatment process, and repeating the exposing the substrate to a deposition precursor gas mixture and exposing the portion of the contact metal layer to a plasma treatment process until a predetermined thickness of the contact metal layer is achieved.

摘要翻译： 提供了在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。 在一个实施例中，提供了一种在半导体器件中沉积用于形成接触结构的接触金属层的方法。 该方法包括进行循环金属沉积工艺，以将接触金属层沉积在衬底上并退火设置在衬底上的接触金属层。 循环金属沉积工艺包括将衬底暴露于沉积前体气体混合物以将接触金属层的一部分沉积在衬底上，将接触金属层的该部分暴露于等离子体处理工艺，并重复将衬底暴露于 沉积前体气体混合物，并将接触金属层的部分暴露于等离子体处理工艺，直到实现接触金属层的预定厚度。

公开(公告)号：US20130078288A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13681438

申请日：2012-11-20

申请人： Chun Ho Yu

发明人： Chun Ho Yu

IPC分类号： A61K47/12 ,  A61K31/337 ,  A61K33/24 ,  A61K31/045 ,  A61K33/26 ,  A61K9/14 ,  A61K45/06 ,  A61K31/704

CPC分类号： A61K47/12 ,  A61K9/0019 ,  A61K9/14 ,  A61K31/045 ,  A61K31/201 ,  A61K31/202 ,  A61K31/337 ,  A61K31/704 ,  A61K33/24 ,  A61K33/26 ,  A61K41/0052 ,  A61K45/06 ,  A61K47/10 ,  A61K51/12 ,  B82Y5/00 ,  A61K2300/00

摘要： A method and composition for administering a therapeutic composition to a lesion comprising about 20% to about 50% ethanol and other novel therapeutic agents.

摘要翻译： 用于向包含约20％至约50％乙醇和其它新型治疗剂的病变施用治疗组合物的方法和组合物。

公开(公告)号：US20130052971A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13217902

申请日：2011-08-25

申请人： Abbas Jamshidi-Roudbari ,  Cheng-Ho Yu ,  Moon Jung Kim ,  Shih Chang Chang

发明人： Abbas Jamshidi-Roudbari ,  Cheng-Ho Yu ,  Moon Jung Kim ,  Shih Chang Chang

IPC分类号： H04B1/04

CPC分类号： H04B15/04

摘要： The antenna on hand held devices, such as the iPhone or iPad, can be subject to interference from other circuitry on the device. Such interference may come from high frequency switching of nearby display circuitry, such as de-multiplexors or other circuits. To address this issue, the switching rates may be slowed in certain circuits by adding resistance and/or capacitance, thus raising the RC time constant and slowing the switching times to reduce the high frequency components. Alternatively or in addition to, an EMI shield can be placed over some or all of the display driving circuitry to shield the antenna from high frequency interference.

摘要翻译： 手持式设备（如iPhone或iPad）的天线可能受到设备上其他电路的干扰。 这种干扰可能来自附近的显示电路（例如解复用器或其他电路）的高频切换。 为了解决这个问题，通过增加电阻和/或电容，某些电路中的开关速率可能会降低，从而提高RC时间常数并减慢开关时间，以减少高频分量。 或者或除此之外，可以将EMI屏蔽物放置在部分或全部显示驱动电路上，以将天线屏蔽在高频干扰之下。

公开(公告)号：US08383437B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US13223958

申请日：2011-09-01

申请人： Ji-Young Park ,  Shin-Il Choi ,  Jong-Hyun Choung ,  Sang Gab Kim ,  Seon-Il Kim ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Kyong-Min Kang ,  Suck-Jun Lee ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Yu-Jin Lee

发明人： Ji-Young Park ,  Shin-Il Choi ,  Jong-Hyun Choung ,  Sang Gab Kim ,  Seon-Il Kim ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Kyong-Min Kang ,  Suck-Jun Lee ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Yu-Jin Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733

摘要： An etchant according to exemplary embodiments of the present invention includes about 0.5 wt % to about 20 wt % of persulfate, about 0.01 wt % to about 2 wt % of a fluorine compound, about 1 wt % to about 10 wt % of inorganic acid, about 0.5 wt % to about 5 wt % of a cyclic amine compound, about 0.1 wt % to about 5 wt % of a chlorine compound, about 0.05 wt % to about 3 wt % of copper salt, about 0.1 wt % to about 10 wt % of organic acid or organic acid salt, and water.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施方案的蚀刻剂包括约0.5重量％至约20重量％的过硫酸盐，约0.01重量％至约2重量％的氟化合物，约1重量％至约10重量％的无机酸， 约0.5重量％至约5重量％的环胺化合物，约0.1重量％至约5重量％的氯化合物，约0.05重量％至约3重量％的铜盐，约0.1重量％至约10重量％ ％的有机酸或有机酸盐，和水。

公开(公告)号：US08367278B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12824086

申请日：2010-06-25

申请人： Oh-Seob Kwon ,  Jae-Yong Kim ,  Sung-Chul Kim ,  Kyoung-Bo Kim ,  Il-Jeong Lee ,  Cheol-Ho Yu ,  Yong-Woo Park ,  Han-Hee Yoon ,  In-Young Jung

发明人： Oh-Seob Kwon ,  Jae-Yong Kim ,  Sung-Chul Kim ,  Kyoung-Bo Kim ,  Il-Jeong Lee ,  Cheol-Ho Yu ,  Yong-Woo Park ,  Han-Hee Yoon ,  In-Young Jung

IPC分类号： G03F1/32

CPC分类号： G03F1/50

摘要： Embodiments relate to halftone masks that can uniformly form the height of an underlying layer in two regions that are spaced apart from each other, a manufacturing method thereof, and a method for forming a film using the same. The halftone mask includes a first light blocking unit and a second light blocking unit, and a semi-transmitting unit that is disposed adjacent to the side of the second light blocking unit. The first and second light blocking units block light and are spaced apart from each other at a predetermined interval. The semi-transmitting unit is positioned at a side far from the first light blocking unit and reduces intensity of light. Sum of the second length of the second light blocking unit and the third length of the semi-transmitting unit is larger than the first length of the first blocking unit.

摘要翻译： 实施例涉及可以在彼此间隔开的两个区域中均匀地形成下层的高度的半色调掩模，其制造方法和使用其形成膜的方法。 半色调掩模包括第一遮光单元和第二遮光单元，以及邻近第二遮光单元的一侧设置的半透射单元。 第一和第二光阻挡单元阻挡光并以预定间隔彼此间隔开。 半透射单元位于远离第一遮光单元的一侧，并且减小光的强度。 第二遮光单元的第二长度和半透射单元的第三长度之和大于第一遮光单元的第一长度。

公开(公告)号：US20120231626A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13415727

申请日：2012-03-08

申请人： SANG-HYEOB LEE ,  Sang Ho Yu ,  Kai Wu

发明人： SANG-HYEOB LEE ,  Sang Ho Yu ,  Kai Wu

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285

CPC分类号： C23C16/0272 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L27/10891

摘要： The invention provides a method of forming a film stack on a substrate, comprising performing a silicon containing gas soak process to form a silicon containing layer over the substrate, reacting with the silicon containing layer to form a tungsten silicide layer on the substrate, depositing a tungsten nitride layer on the substrate, subjecting the substrate to a nitridation treatment using active nitrogen species from a remote plasma, and depositing a conductive bulk layer directly on the tungsten nitride layer.

摘要翻译： 本发明提供了一种在衬底上形成膜堆叠的方法，包括进行含硅气体保温工艺以在衬底上形成含硅层，与含硅层反应以在衬底上形成硅化钨层，沉积 氮化硅层，使用来自远程等离子体的活性氮物质进行氮化处理，并将导电体层直接沉积在氮化钨层上。

公开(公告)号：US20120214303A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13456904

申请日：2012-04-26

申请人： SESHADRI GANGULI ,  Sang-Ho Yu ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

发明人： SESHADRI GANGULI ,  Sang-Ho Yu ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： Embodiments of the invention generally provide methods for forming cobalt silicide. In one embodiment, a method for forming a cobalt silicide material includes exposing a substrate having a silicon-containing material to either a wet etch solution or a pre-clean plasma during a first step and then to a hydrogen plasma during a second step of a pre-clean process. The method further includes depositing a cobalt metal layer on the silicon-containing material by a CVD process, heating the substrate to form a first cobalt silicide layer comprising CoSi at the interface of the cobalt metal layer and the silicon-containing material during a first annealing process, removing any unreacted cobalt metal from the substrate during an etch process, and heating the substrate to form a second cobalt silicide layer comprising CoSi2 during a second annealing process.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供形成硅化钴的方法。 在一个实施例中，用于形成钴硅化物材料的方法包括在第一步骤期间将具有含硅材料的衬底暴露于湿蚀刻溶液或预清洁等离子体中，然后在第二步骤期间暴露于氢等离子体 预清洁过程。 该方法还包括通过CVD工艺在含硅材料上沉积钴金属层，加热衬底以在第一退火期间在钴金属层和含硅材料的界面处形成包含CoSi的第一钴硅化物层 在蚀刻过程中从衬底去除任何未反应的钴金属，以及在第二退火过程中加热衬底以形成包含CoSi 2的第二钴硅化物层。

公开(公告)号：US20120153287A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13168408

申请日：2011-06-24

申请人： Hong-Sick PARK ,  Wang-Woo LEE ,  Sang-Tae KIM ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Kyong-Min KANG ,  Young-Jin YOON ,  Suck-Jun LEE ,  O-Byoung KWON ,  In-Ho YU ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM ,  Dong-Ki KIM

发明人： Hong-Sick PARK ,  Wang-Woo LEE ,  Sang-Tae KIM ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Kyong-Min KANG ,  Young-Jin YOON ,  Suck-Jun LEE ,  O-Byoung KWON ,  In-Ho YU ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM ,  Dong-Ki KIM

IPC分类号： H01L33/16 ,  C09K13/08 ,  C09K13/06

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733

摘要： An etchant includes: 5 to 20 wt % of persulfate, 1 to 10 wt % of at least one compound of an inorganic acid, an inorganic acid salt, or a mixture thereof, 0.3 to 5 wt % of a cyclic amine compound, 1 to 10 wt % of at least one compound of an organic acid, an organic acid salt, or a mixture thereof, 0.1 to 5 wt % of p-toluenesulfonic acid, and water, based on the total weight of the etchant. A copper-titanium etchant further includes 0.01 to 2 wt % of a fluoride-containing compound. A method of forming a display device using the etchant, and a display device, are also disclosed.

摘要翻译： 蚀刻剂包括：5〜20重量％的过硫酸盐，1〜10重量％的至少一种无机酸化合物，无机酸盐或其混合物，0.3〜5重量％的环状胺化合物，1〜 10重量％的至少一种有机酸，有机酸盐或其混合物的化合物，0.1至5重量％的对甲苯磺酸和水，基于蚀刻剂的总重量。 另外，铜 - 钛蚀刻剂还含有0.01〜2重量％的含氟化合物。 还公开了使用蚀刻剂形成显示装置的方法和显示装置。

公开(公告)号：US08187970B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12969445

申请日：2010-12-15

申请人： Seshadri Ganguli ,  Sang-Ho Yu ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

发明人： Seshadri Ganguli ,  Sang-Ho Yu ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： Methods for forming cobalt silicide materials are disclosed herein. In one example, a method for forming a cobalt silicide material includes exposing a substrate having a silicon-containing material to either a wet etch solution or a pre-clean plasma during a first step and then to a hydrogen plasma during a second step of a pre-clean process. The exemplary method further includes depositing a cobalt metal layer on the silicon-containing material by a CVD process, heating the substrate to form a first cobalt silicide layer comprising CoSi at the interface of the cobalt metal layer and the silicon-containing material during a first annealing process, removing any unreacted cobalt metal from the first cobalt silicide layer during an etch process, and heating the substrate to form a second cobalt silicide layer comprising CoSi2 during a second annealing process.

摘要翻译： 本文公开了形成钴硅化物材料的方法。 在一个实例中，用于形成钴硅化物材料的方法包括在第一步骤期间将具有含硅材料的衬底暴露于湿蚀刻溶液或预清洁等离子体中，然后在第二步骤期间暴露于氢等离子体 预清洁过程。 所述示例性方法还包括通过CVD工艺在所述含硅材料上沉积钴金属层，加热所述衬底以在所述钴金属层与所述含硅材料的界面处的第一钴酸钴层中形成包含CoSi的第一钴硅化物层 退火工艺，在蚀刻过程期间从第一钴硅化物层去除任何未反应的钴金属，以及在第二退火工艺期间加热衬底以形成包含CoSi 2的第二钴硅化物层。

公开(公告)号：US20120081471A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13226943

申请日：2011-09-07

申请人： Wen Hsiung LIAO ,  Rong Ho YU ,  Cheng Ming CHANG ,  Hsien Chung TAI

发明人： Wen Hsiung LIAO ,  Rong Ho YU ,  Cheng Ming CHANG ,  Hsien Chung TAI

IPC分类号： B41J2/05

CPC分类号： B41J2/0458 ,  B41J2/04521 ,  B41J2/04523 ,  B41J2/04541

摘要： The present invention relates to an ink-jet chip, adaptive for a printing device, at least comprising: a plurality of ink-jet heating elements and an ink-jet signal generating circuit. The ink-jet signal generating circuit at least includes: a counter electrically connected with the printing device, for receiving a counter control signal and a pulse signal, and generating a plurality of counter signals corresponding to the counter control signal and the pulse signal; and a decoder electrically connected with the counter, for receiving and decoding the plurality of counter signals, for generating a plurality of address signals, and selecting a corresponding ink-jet heating element basing on the plurality of address signals.

摘要翻译： 本发明涉及适用于打印装置的喷墨芯片，至少包括：多个喷墨加热元件和喷墨信号发生电路。 喷墨信号发生电路至少包括：与打印装置电连接的计数器，用于接收计数器控制信号和脉冲信号，并产生对应于计数器控制信号和脉冲信号的多个计数器信号; 以及与计数器电连接的解码器，用于接收和解码多个计数器信号，用于产生多个地址信号，以及基于多个地址信号选择相应的喷墨加热元件。