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    Nonvolatile Memory Devices Having Cells with Oxygen Diffusion Barrier Layers Therein and Methods of Manufacturing the Same
    14.
    发明申请
    Nonvolatile Memory Devices Having Cells with Oxygen Diffusion Barrier Layers Therein and Methods of Manufacturing the Same 有权
    具有氧扩散阻挡层的电池的非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20110291066A1

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：US13150596

    申请日：2011-06-01

    申请人： In-gyu Baek ,  Myung-jong Kim ,  Yong-ho Ha

    发明人： In-gyu Baek ,  Myung-jong Kim ,  Yong-ho Ha

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

    摘要： A nonvolatile memory cell includes first and second electrodes and a data storage layer extending between the first and second electrodes. An oxygen diffusion barrier layer is provided, which extends between the data storage layer and the first electrode. An oxygen gettering layer is also provided, which extends between the oxygen diffusion barrier layer and the data storage layer. The oxygen diffusion barrier layer includes aluminum oxide, the oxygen gettering layer includes titanium, the data storage layer includes a metal oxide, such as magnesium oxide, and at least one of the first and second electrodes includes a material selected from a group consisting of tungsten, polysilicon, aluminum, titanium nitride silicide and conductive nitrides.

    摘要翻译： 非易失性存储单元包括第一和第二电极以及在第一和第二电极之间延伸的数据存储层。 提供氧扩散阻挡层，其在数据存储层和第一电极之间延伸。 还提供了氧吸气层，其在氧扩散阻挡层和数据存储层之间延伸。 氧扩散阻挡层包括氧化铝，氧吸气层包括钛，数据存储层包括诸如氧化镁的金属氧化物，并且第一和第二电极中的至少一个包括选自钨 ，多晶硅，铝，氮化钛硅化物和导电氮化物。

    Phase-change material layer and phase-change memory device including the phase-change material layer
    17.
    发明授权
    Phase-change material layer and phase-change memory device including the phase-change material layer 有权
    相变材料层和包括相变材料层的相变存储器件

    公开(公告)号：US07791932B2

    公开(公告)日：2010-09-07

    申请号：US11860975

    申请日：2007-09-25

    申请人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Hee-Ju Shin ,  Sang-Wook Lim

    发明人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Hee-Ju Shin ,  Sang-Wook Lim

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device includes a substrate having a contact region, an insulating interlayer on the substrate, a lower electrode electrically connected to the contact region, a phase-change material layer pattern formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the phase-change material layer pattern. The phase-change material layer pattern includes a chalcogenide compound doped with carbon and at least one of nitrogen and metal. The phase-change memory device may have a considerably reduced driving current without increasing a set resistance thereof. Further, the phase-change material layer pattern may have an increased crystallization temperature so as to ensure improved data retention characteristics of the phase-change memory device.

    摘要翻译： 相变存储器件包括：具有接触区域的基板，基板上的绝缘中间层，与接触区域电连接的下部电极;形成在下部电极上的相变材料层图案;以及上部电极， 相变材料层图案。 相变材料层图案包括掺杂有碳和氮和金属中的至少一种的硫族化合物。 相变存储器件可以具有显着降低的驱动电流，而不增加其设定电阻。 此外，相变材料层图案可以具有增加的结晶温度，以确保相变存储器件的数据保持特性的改善。

    Method of forming a chalcogenide compound target
    18.
    发明授权
    Method of forming a chalcogenide compound target 有权
    形成硫属化物化合物靶的方法

    公开(公告)号：US07727458B2

    公开(公告)日：2010-06-01

    申请号：US11860931

    申请日：2007-09-25

    申请人： Yong-Ho Ha ,  Bong-Jin Kuh ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Sang-Wook Lim ,  Hee-Ju Shin

    发明人： Yong-Ho Ha ,  Bong-Jin Kuh ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Sang-Wook Lim ,  Hee-Ju Shin

    IPC分类号： C04B35/64

    CPC分类号： H01L45/06 ,  C04B35/56 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/428 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： In a method of forming a chalcogenide compound target, a first powder including germanium carbide or germanium is prepared, and a second powder including antimony carbide or antimony is prepared. A third powder including tellurium carbide or tellurium is prepared. A powder mixture is formed by mixing the first to the third powders. After a shaped is formed body by molding the powder mixture. The chalcogenide compound target is obtained by sintering the powder mixture. The chalcogenide compound target may include a chalcogenide compound that contains carbon and metal, or carbon, metal and nitrogen considering contents of carbon, metal and nitrogen, so that a phase-change material layer formed using the chalcogenide compound target may stable phase transition, enhanced crystallized temperature and increased resistance. A phase-change memory device including the phase-change material layer may have reduced set resistance and driving current while improving durability and sensing margin.

    摘要翻译： 在形成硫属化物化合物靶的方法中，制备包括碳化锗或锗的第一粉末，并制备包含锑或锑的第二粉末。 制备包括碲化镉或碲的第三种粉末。 通过混合第一至第三粉末形成粉末混合物。 通过模制粉末混合物形成成形体后。 通过烧结粉末混合物获得硫属化物化合物靶。 考虑碳，金属和氮的含量，硫属化物化合物靶可以包括含有碳和金属或碳，金属和氮的硫属化物化合物，使得使用硫属化物化合物靶形成的相变材料层可以稳定的相变，增强 结晶温度和阻力增加。 包括相变材料层的相变存储器件可以降低设定电阻和驱动电流，同时提高耐久性和感测裕度。