公开(公告)号：US20090272492A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12143092

申请日：2008-06-20

申请人： Dan Katz ,  David Palagashvili ,  Brain K. Hatcher ,  Theodoros Panagopoulos ,  Valentin N. Todorow ,  Edward P. Hammond, IV ,  Alexander M. Paterson ,  Rodolfo P. Belen

发明人： Dan Katz ,  David Palagashvili ,  Brain K. Hatcher ,  Theodoros Panagopoulos ,  Valentin N. Todorow ,  Edward P. Hammond, IV ,  Alexander M. Paterson ,  Rodolfo P. Belen

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： A gas distribution assembly for the ceiling of a plasma reactor includes a center fed hub and an equal path length distribution gas manifold underlying the center fed hub.

摘要翻译： 用于等离子体反应器的天花板的气体分配组件包括中心供给的轮毂和位于中心供给轮毂下方的相等路径长度的分配气体歧管。

公开(公告)号：US20080206483A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11679122

申请日：2007-02-26

申请人： ALEXANDER PATERSON ,  Valentin N. Todorov ,  Theodoros Panagopoulos ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Edward P. Hammond ,  John P. Holland

发明人： ALEXANDER PATERSON ,  Valentin N. Todorov ,  Theodoros Panagopoulos ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Edward P. Hammond ,  John P. Holland

IPC分类号： H05H1/00

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

摘要： A method of processing a workpiece in the chamber of a plasma reactor having a ceiling overlying the workpiece by introducing a process gas into the chamber through a gas distribution plate in the ceiling. The gas is introduced by distributing gas flow from a first gas input to plural gas distribution orifices extending through a manifold of the gas distribution plate, and distributing gas flow from each of the plural gas distribution orifices to plural gas injection orifices in a showerhead of the gas distribution plate. The method further includes restricting gas flow in the gas distribution plate to paths having arcuate lengths about an axis of symmetry less than a complete circle. The method also includes capacitively and inductively coupling plasma source power into the chamber through the gas distribution. The method further includes adjusting the plasma ion density radial distribution in the process region by adjusting the ratio between the amounts of the capacitively coupled VHF power and the inductively coupled power.

摘要翻译： 一种在等离子体反应器的腔室中处理工件的方法，该等离子体反应器具有通过天花板中的气体分配板将工艺气体引入室中，该顶板覆盖工件。 通过将气体流从第一气体输入分配到延伸穿过气体分配板的歧管的多个气体分配孔，并将气体流从多个气体分配孔中的每一个分配到多个气体喷射孔中，从而引入气体 气体分配板。 该方法还包括将气体分配板中的气流限制在具有小于完整圆的对称轴的弧形长度的路径上。 该方法还包括通过气体分布将等离子体源功率电容和电感耦合到腔室中。 该方法还包括通过调节电容耦合VHF功率和电感耦合功率的量之间的比例来调节处理区域中的等离子体离子密度径向分布。

公开(公告)号：US20080230008A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11689405

申请日：2007-03-21

申请人： Alexander Paterson ,  Theodoros Panagopoulos ,  Valentin N. Todorov ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Edward P. Hammond ,  John P. Holland

发明人： Alexander Paterson ,  Theodoros Panagopoulos ,  Valentin N. Todorov ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Edward P. Hammond ,  John P. Holland

IPC分类号： C23C16/513 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01J37/32146 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

摘要： An apparatus for processing a substrate has a chamber, a high frequency power source, and a low frequency power source. The chamber has a first and second electrode disposed therein. The high frequency power source is electrically coupled to either the first or second electrode to supply a first RF signal. The low frequency power source electrically coupled to either the first or second electrode to supply a second RF signal. The first RF signal is pulsed on and off so as to enhance electron loss in the chamber.

摘要翻译： 用于处理衬底的设备具有腔室，高频电源和低频电源。 该室具有设置在其中的第一和第二电极。 高频电源电耦合到第一或第二电极以提供第一RF信号。 所述低频电源电耦合到所述第一或第二电极以提供第二RF信号。 第一RF信号被脉冲打开和关闭，以增强腔室中的电子损失。

公开(公告)号：US20090142930A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11998829

申请日：2007-11-30

申请人： Edward P. Hammond, IV ,  Rodolfo P. Belen ,  Alexander M. Paterson ,  Brian K. Hatcher ,  Valentin N. Todorow ,  Dan Katz

发明人： Edward P. Hammond, IV ,  Rodolfo P. Belen ,  Alexander M. Paterson ,  Brian K. Hatcher ,  Valentin N. Todorow ,  Dan Katz

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32137 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/28035

摘要： A method of processing a wafer in a plasma, in which target values of two different plasma process parameters are simultaneously realized under predetermined process conditions by setting respective power levels of VHF and HF power simultaneously coupled to the wafer to respective optimum levels.

摘要翻译： 一种在等离子体中处理晶片的方法，其中通过将同时耦合到晶片的VHF和HF功率的相应功率电平设置为相应的最佳电平，在预定的工艺条件下同时实现两个不同等离子体工艺参数的目标值。

公开(公告)号：US20090156011A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12001986

申请日：2007-12-12

申请人： Rodolfo P. Belen ,  Edward P. Hammond, IV ,  Dan Katz ,  Valentin N. Todorow ,  Brian K. Hatcher ,  Alexander M. Paterson

发明人： Rodolfo P. Belen ,  Edward P. Hammond, IV ,  Dan Katz ,  Valentin N. Todorow ,  Brian K. Hatcher ,  Alexander M. Paterson

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32137 ,  H01L22/20

摘要： In a plasma etch process, critical dimension (CD), CD bias and CD bias microloading are controlled independently of plasma process conditions or parameters, such as RF power levels, pressure and gas flow rate, by depressing or elevating the workpiece support pedestal to vary the gap between the workpiece and the chamber ceiling facing the workpiece, using an axially adjustable workpiece support.

摘要翻译： 在等离子体蚀刻工艺中，临时尺寸（CD），CD偏压和CD偏压微载荷独立于等离子体工艺条件或参数（例如RF功率水平，压力和气体流量）被控制，通过按压或升高工件支撑座以改变 使用可轴向调节的工件支撑件，工件与室顶面之间的工件间隙。

公开(公告)号：US20090218317A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12039350

申请日：2008-02-28

申请人： RODOLFO P. BELEN ,  Edward P. Hammond, IV ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Alexander M. Paterson ,  Valentin N. Todorow

发明人： RODOLFO P. BELEN ,  Edward P. Hammond, IV ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Alexander M. Paterson ,  Valentin N. Todorow

IPC分类号： C23F1/08 ,  C23F1/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for processing a substrate with increased uniformity. One embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The apparatus comprises a chamber body defining a processing volume, a substrate support disposed in the processing volume, a showerhead disposed in the processing volume opposite to the substrate support, and a plasma generation assembly configured to ignite a plasma from the processing gases in the processing gas in the processing volume. The showerhead is configured to provide one or more processing gases to the processing volume. The showerhead has two or more distribution zones each independently controllable.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于以均匀性增加来处理衬底的装置和方法。 本发明的一个实施例提供一种用于处理衬底的装置。 该装置包括限定处理体积的室主体，设置在处理容积中的基板支撑件，设置在与基板支撑件相对的处理体积中的喷头，以及等离子体产生组件，其被配置为在处理中点燃来自处理气体的等离子体 气体处理量。 喷头构造成为处理量提供一种或多种处理气体。 喷头具有两个或更多个分配区，每个分配区可独立控制。

公开(公告)号：US08066895B2

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：US12039350

申请日：2008-02-28

申请人： Rodolfo P. Belen ,  Edward P. Hammond, IV ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Alexander M. Paterson ,  Valentin N. Todorow

发明人： Rodolfo P. Belen ,  Edward P. Hammond, IV ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Alexander M. Paterson ,  Valentin N. Todorow

IPC分类号： B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C23F1/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for processing a substrate with increased uniformity. One embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The apparatus comprises a chamber body defining a processing volume, a substrate support disposed in the processing volume, a showerhead disposed in the processing volume opposite to the substrate support, and a plasma generation assembly configured to ignite a plasma from the processing gases in the processing gas in the processing volume. The showerhead is configured to provide one or more processing gases to the processing volume. The showerhead has two or more distribution zones each independently controllable.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于以均匀性增加来处理衬底的装置和方法。 本发明的一个实施例提供一种用于处理衬底的装置。 该装置包括限定处理体积的室主体，设置在处理容积中的基板支撑件，设置在与基板支撑件相对的处理体积中的喷头，以及等离子体产生组件，其被配置为在处理中点燃来自处理气体的等离子体 气体处理量。 喷头构造成为处理量提供一种或多种处理气体。 喷头具有两个或更多个分配区，每个分配区可独立控制。

公开(公告)号：US08017526B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US11998829

申请日：2007-11-30

申请人： Edward P. Hammond, IV ,  Rodolfo P. Belen ,  Alexander M. Paterson ,  Brian K. Hatcher ,  Valentin N. Todorow ,  Dan Katz

发明人： Edward P. Hammond, IV ,  Rodolfo P. Belen ,  Alexander M. Paterson ,  Brian K. Hatcher ,  Valentin N. Todorow ,  Dan Katz

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32137 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/28035

摘要： A method of processing a wafer in a plasma, in which target values of two different plasma process parameters are simultaneously realized under predetermined process conditions by setting respective power levels of VHF and HF power simultaneously coupled to the wafer to respective optimum levels.

摘要翻译： 一种在等离子体中处理晶片的方法，其中通过将同时耦合到晶片的VHF和HF功率的相应功率电平设置为相应的最佳电平，在预定工艺条件下同时实现两个不同等离子体工艺参数的目标值。

公开(公告)号：US20080149592A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11986545

申请日：2007-11-20

申请人： Rodolfo P. Belen ,  Edward P. Hammond ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Theodoros Panagopoulos ,  Alexander M. Paterson ,  Valentin N. Todorow

发明人： Rodolfo P. Belen ,  Edward P. Hammond ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Theodoros Panagopoulos ,  Alexander M. Paterson ,  Valentin N. Todorow

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/033

摘要： Line edge smoothness in a hardmask etch process is improved by widening the chamber pressure process window by applying VHF power and increasing the chamber pressure to near the maximum value of the widened process window.

摘要翻译： 硬掩模蚀刻工艺中的线边缘平滑度通过使用VHF功率加宽腔室压力过程窗口并将腔室压力增加到接近加宽过程窗口的最大值来改善。

公开(公告)号：US20070245961A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11410781

申请日：2006-04-24

申请人： Alexander Paterson ,  Valentin Todorow ,  Theodoros Panagopoulos ,  Brian Hatcher ,  Dan Katz ,  Edward Hammond ,  John Holland ,  Alexander Matyushkin

发明人： Alexander Paterson ,  Valentin Todorow ,  Theodoros Panagopoulos ,  Brian Hatcher ,  Dan Katz ,  Edward Hammond ,  John Holland ,  Alexander Matyushkin

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165

摘要： A method of processing a workpiece in the chamber of a plasma reactor includes introducing a process gas into the chamber, simultaneously (a) capacitively coupling VHF plasma source power into a process region of the chamber that overlies the wafer, and (b) inductively coupling RF plasma source power into the process region, and controlling dissociation of species in the process region by controlling the effective frequency of the VHF source power. In a preferred embodiment, the step of coupling VHF source power is performed by coupling VHF source power from different generators having different VHF frequencies, and the step of controlling the effective frequency is performed by controlling the ratio of power coupled by the different generators.

摘要翻译： 在等离子体反应器的腔室中处理工件的方法包括将工艺气体引入到腔室中，同时（a）将VHF等离子体源功率电容耦合到覆盖在晶片上的腔室的工艺区域中，以及（b）电感耦合 RF等离子体源功率进入过程区域，并通过控制VHF源功率的有效频率来控制处理区域中物种的离解。 在优选实施例中，通过耦合具有不同VHF频率的不同发生器的VHF源功率来执行耦合VHF源功率的步骤，并且通过控制由不同发生器耦合的功率比来执行控制有效频率的步骤。