公开(公告)号：US4694318A

公开(公告)日：1987-09-15

申请号：US678226

申请日：1984-12-05

申请人： Federico Capasso ,  Won-Tien Tsang

发明人： Federico Capasso ,  Won-Tien Tsang

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L27/14 ,  H01L31/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/544

摘要： A structure having a sawtooth graded bandgap region between two layers having the same conductivity type is useful as a photodetector.

摘要翻译： 具有相同导电类型的两层之间的具有锯齿形梯度带隙区域的结构可用作光电检测器。

公开(公告)号：US4679061A

公开(公告)日：1987-07-07

申请号：US745277

申请日：1985-06-14

申请人： Federico Capasso ,  Alfred Y. Cho ,  Albert L. Hutchinson ,  Khalid Mohammed

发明人： Federico Capasso ,  Alfred Y. Cho ,  Albert L. Hutchinson ,  Khalid Mohammed

IPC分类号： H01L31/0264 ,  G02B6/12 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L33/00 ,  H01L27/12

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L31/035236

摘要： Photoconductive gain is observed in a device comprising a superlattice having well and barrier layers, and cladding layers on the opposite sides of the superlattice with the barrier layers of the superlattice having an energy bandgap greater than the bandgap of the cladding layers.

摘要翻译： 在包括具有良好和阻挡层的超晶格的器件中观察到光电增益，并且在超晶格的相对侧上的覆层与超晶格的势垒层具有大于包覆层的带隙的能带隙。

公开(公告)号：US4597165A

公开(公告)日：1986-07-01

申请号：US555671

申请日：1983-11-28

申请人： Federico Capasso ,  Marlin W. Focht ,  Albert T. Macrander ,  Bertram Schwartz

发明人： Federico Capasso ,  Marlin W. Focht ,  Albert T. Macrander ,  Bertram Schwartz

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/04 ,  H01L27/15 ,  H01S3/18 ,  H01L21/208

CPC分类号： H01L21/3245 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/266 ,  H01L21/743 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/8252 ,  Y10S148/084

摘要： The property of materials in the InP system, whereby helium ion or deuteron bombarded p-type material becomes highly resistive but n-type material remains relatively conductive, is utilized to fabricate integrated circuits which include buried semiconductor interconnections or bus bars between devices.

摘要翻译： InP系统中的材料的性质，由此氦离子或氘核轰击的p型材料变得高度电阻，但是n型材料保持相对导电性，用于制造集成电路，其包括在器件之间的掩埋半导体互连或母线。

公开(公告)号：US20170082263A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：US15270680

申请日：2016-09-20

申请人： Steve Byrnes ,  Francesco Aieta ,  Federico Capasso ,  Alan Lenef

发明人： Steve Byrnes ,  Francesco Aieta ,  Federico Capasso ,  Alan Lenef

IPC分类号： F21V5/04 ,  G02B1/00 ,  F21K9/64 ,  G02B19/00 ,  F21V5/00 ,  G02B5/18 ,  G02B27/30

CPC分类号： F21V5/045 ,  B82Y20/00 ,  F21K9/64 ,  F21V5/002 ,  F21V5/046 ,  F21Y2101/00 ,  G02B1/002 ,  G02B1/005 ,  G02B1/007 ,  G02B5/1809 ,  G02B5/1876 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0052 ,  G02B27/30 ,  G02B2207/101 ,  H01Q15/0086

摘要： Metalenses and technologies incorporating the same are disclosed. In some embodiments, the metalenses are in the form of a hybrid multiregion collimating metalens that includes a first region and a second region, wherein the hybrid multiregion collimating metalens is configured to collimate (e.g., visible) light incident thereon. In some instances the first region includes an array of first unit cells that contain subwavelength spaced nanostructures, such that the first region functions as a subwavelength high contrast grating (SWHCG), whereas the second region includes an array of second unit cell, wherein the array of second unit cells includes a near periodic annular arrangement of nanostructures such that the second region approximates the functionality of a locally periodic radial diffraction grating. Lighting devices including such metalenses are also disclosed.

公开(公告)号：US09246310B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US13197058

申请日：2011-08-03

申请人： Anish Goyal ,  Benjamin G. Lee ,  Christian Pfluegl ,  Laurent Diehl ,  Mikhail Belkin ,  Antonio Sanchez-Rubio ,  Federico Capasso

发明人： Anish Goyal ,  Benjamin G. Lee ,  Christian Pfluegl ,  Laurent Diehl ,  Mikhail Belkin ,  Antonio Sanchez-Rubio ,  Federico Capasso

IPC分类号： H01S5/34 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/12 ,  H01S5/14 ,  H01S5/40

CPC分类号： H01S5/3402 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/06837 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/12 ,  H01S5/141 ,  H01S5/4087

摘要： A laser source based on a quantum cascade laser array (QCL), wherein the outputs of at least two elements in the array are collimated and overlapped in the far field using an external diffraction grating and a transform lens.

摘要翻译： 一种基于量子级联激光器阵列（QCL）的激光源，其中阵列中的至少两个元件的输出使用外部衍射光栅和变换透镜在远场中被准直和重叠。

公开(公告)号：US08848273B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13832403

申请日：2013-03-15

申请人： Nanfang Yu ,  Federico Capasso ,  Zeno Gaburro ,  Patrice Genevet ,  Mikhail Kats ,  Francesco Aieta

发明人： Nanfang Yu ,  Federico Capasso ,  Zeno Gaburro ,  Patrice Genevet ,  Mikhail Kats ,  Francesco Aieta

IPC分类号： G02F1/01 ,  G02B1/00 ,  H01Q15/00 ,  H01Q15/10 ,  B82Y20/00

CPC分类号： G02F1/01 ,  B82Y20/00 ,  G02B1/002 ,  G02F2203/10 ,  H01Q15/0006 ,  H01Q15/10 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774

摘要： An optical plate includes a substrate and a resonator structure formed on or in the substrate, wherein the resonator structure is configured to produce an abrupt change in phase, amplitude and/or polarization of incident radiation.

摘要翻译： 光学板包括衬底和形成在衬底上或衬底中的谐振器结构，其中谐振器结构被配置为产生入射辐射的相位，振幅和/或极化的突然变化。

公开(公告)号：US20110315898A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13223409

申请日：2011-09-01

申请人： Federico Capasso ,  Nanfang Yu ,  Romain Blanchard

发明人： Federico Capasso ,  Nanfang Yu ,  Romain Blanchard

IPC分类号： G21K1/10

CPC分类号： G02B6/2726 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/105 ,  G02B6/12 ,  G02B6/1226 ,  G02B6/276

摘要： A radiation-emitting device (e.g., a laser) includes an active region configured to generate a radiation emission linearly polarized along a first polarization direction and a device facet covered by an insulating layer and a metal layer on the insulating layer. The metal layer defines an aperture through which the radiation emission from the active region can be transmitted and coupled into surface plasmons on the outer side of the metal layer. The long axis of the aperture is non-orthogonal to the first polarization direction, and a sequential series of features are defined in or on the device facet or in the metal layer and spaced apart from the aperture, wherein the series of features are configured to manipulate the surface plasmons and to scatter surface plasmons into the far field with a second polarization direction distinct from the first polarization direction.

摘要翻译： 辐射发射装置（例如，激光器）包括被配置为产生沿着第一偏振方向线性偏振的辐射发射的有源区和由绝缘层和绝缘层上的金属层覆盖的器件面。 金属层限定了孔，通过该孔，来自有源区的辐射发射可通过该孔被传输并耦合到金属层的外侧上的表面等离子体。 孔的长轴与第一偏振方向不正交，并且顺序的特征部分被限定在器件面或金属层中或金属层中并与孔隔开，其中该系列特征被配置为 操纵表面等离子体激元并将表面等离子体激元以不同于第一偏振方向的第二偏振方向散射到远场中。

公开(公告)号：US20110222564A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13112889

申请日：2011-05-20

申请人： Mikhail A. Belkin ,  Federico Capasso ,  Alexey Belyanin

发明人： Mikhail A. Belkin ,  Federico Capasso ,  Alexey Belyanin

IPC分类号： H01S3/131 ,  H01S3/10

CPC分类号： H01S1/02 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/3534 ,  H01S5/0604 ,  H01S5/0608 ,  H01S5/1046 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3402 ,  H01S2302/02

摘要： Apparatus and methods for generating radiation via difference frequency generation (DFG). In one exemplary implementation, a quantum cascade laser (QCL) has a significant second-order nonlinear susceptibility (χ(2)) integrated in an active region of the QCL. The QCL is configured to generate first radiation at a first frequency ω1, second radiation at a second frequency ω2, and third radiation at a third frequency ω3=ω1−ω2 based on difference frequency generation (DFG) arising from the nonlinear susceptibility. In one aspect, the QCL may be configured to generate appreciable THz radiation at room temperature.

摘要翻译： 通过差频发生（DFG）产生辐射的装置和方法。 在一个示例性实现中，量子级联激光器（QCL）具有集成在QCL的有源区域中的显着的二阶非线性磁化率（χ（2））。 QCL被配置为基于由非线性磁化率产生的差频产生（DFG），以第一频率ω1，第二频率ω2的第二辐射和第三频率ω3=ω1-ω2的第三辐射产生第一辐射。 在一个方面，QCL可以被配置成在室温下产生可感知的THz辐射。

公开(公告)号：US20110180894A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13062018

申请日：2009-09-04

申请人： Lars Samuelson ,  Federico Capasso ,  Jonas Ohlsson

发明人： Lars Samuelson ,  Federico Capasso ,  Jonas Ohlsson

IPC分类号： H01L31/107 ,  B82Y15/00

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1075 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention provides a photodiode comprising a p-i-n or pn junction at least partly formed by first and second regions (2) made of semiconductor materials having opposite conductivity type, wherein the p-i-n or pn junction comprises a light absorption region (11) for generation of charge carriers from absorbed light. One section of the p-i-n or pn junction is comprises by one or more nanowires (7) that are spaced apart and arranged to collect charge carriers generated in the light absorption region (11). At least one low doped region (10) made of a low doped or intrinsic semiconductor material provided between the nanowires (7) and one of said first region (1) and said second region (2) enables custom made light absorption region and/or avalanche multiplication region of the active region (9).

摘要翻译： 本发明提供了一种光电二极管，其包括至少部分地由具有相反导电类型的半导体材料制成的第一和第二区域（2）形成的pin或pn结，其中pin或pn结包括用于产生 电荷载体从吸收的光。 p-i-n或pn结的一个部分由一个或多个间隔开并布置成收集在光吸收区域（11）中产生的电荷载流子的纳米线（7）构成。 提供在纳米线（7）与所述第一区域（1）和所述第二区域（2）中的一个之间的由低掺杂或本征半导体材料制成的至少一个低掺杂区域（10）使定制的光吸收区域和/或 活动区域（9）的雪崩倍增区域。

公开(公告)号：US20110058176A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12263948

申请日：2008-11-03

申请人： Christian Pflugl ,  Benjamin G. Lee ,  Laurent Diehl ,  Mikhail A. Belkin ,  Federico Capasso ,  Thomas J. Tague, JR.

发明人： Christian Pflugl ,  Benjamin G. Lee ,  Laurent Diehl ,  Mikhail A. Belkin ,  Federico Capasso ,  Thomas J. Tague, JR.

IPC分类号： G01J3/45 ,  G01J5/02

CPC分类号： G01J3/108 ,  B82Y20/00 ,  G01J3/4338 ,  H01S5/024 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/4062 ,  H01S5/4087

摘要： A mid infrared spectrometer comprises a high brightness broadband source that generates an output with a broad spectral range in the order of hundreds of wave numbers, a wavelength dispersive element and a detector. In one embodiment, the source comprises an array of semiconductor laser devices operating simultaneously. Each device emits light at wavelength different from the wavelengths emitted by the other devices in the array and the devices are arranged so that the combined output continuously covers the broad spectral range. In another embodiment, each of the lasers in the array is a quantum cascade laser device. In still another embodiment, the quantum cascade laser devices in the array are operated in the regime of Risken-Nummedal-Graham-Haken (RNGH) instabilities. In yet another embodiment, each of the lasers in the array is a mode-locked quantum cascade laser device.

摘要翻译： 中红外光谱仪包括高亮度宽带源，其产生具有数百个波数量级的宽光谱范围的输出，波长色散元件和检测器。 在一个实施例中，源包括同时操作的半导体激光器件阵列。 每个器件发射波长不同于阵列中其他器件发射的波长的光，并且器件被布置成使得组合输出连续地覆盖宽光谱范围。 在另一个实施例中，阵列中的每个激光器是量子级联激光器件。 在又一个实施例中，阵列中的量子级联激光器件在Risken-Nummedal-Graham-Haken（RNGH）不稳定的状态下运行。 在另一个实施例中，阵列中的每个激光器是锁模量子级联激光器件。