公开(公告)号：US20080179291A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11801409

申请日：2007-05-08

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

摘要： A process is provided for removing polymer from a backside of a workpiece and/or photoresist from a front side of the workpiece. For backside polymer removal, the wafer is positioned near the ceiling to above a localized or remote plasma source having a side outlet through the sidewall of the chamber, and backside polymer is removed by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer backside. For front side photoresist removal, the wafer is positioned away from the ceiling and below the side outlet of the localized plasma source, and front side photoresist is remove by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer front side.

摘要翻译： 提供了用于从工件的前侧从工件和/或光致抗蚀剂的背面去除聚合物的方法。 对于背面聚合物去除，晶片位于天花板附近，位于具有通过室的侧壁的侧出口的局部或远程等离子体源的上方，并且通过在从侧面出口流动等离子体副产物的同时旋转工件来去除背面聚合物 到晶圆背面。 对于前侧光致抗蚀剂去除，晶片远离天花板并位于局部等离子体源的侧出口下方，并且通过在从侧出口流到晶片正面的等离子体副产物流动的同时旋转工件来除去前侧光致抗蚀剂 。

公开(公告)号：US20130087286A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13629267

申请日：2012-09-27

申请人： James D. Carducci ,  Hamid Tavassoli ,  Ajit Balakrishna ,  Zhigang Chen ,  Andrew Nguyen ,  Douglas A. Buchberger, JR. ,  Kartik Ramaswamy ,  Shahid Rauf ,  Kenneth S. Collins

发明人： James D. Carducci ,  Hamid Tavassoli ,  Ajit Balakrishna ,  Zhigang Chen ,  Andrew Nguyen ,  Douglas A. Buchberger, JR. ,  Kartik Ramaswamy ,  Shahid Rauf ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： H05H1/46

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  H01J2237/3344 ,  H05H1/46

摘要： Embodiments of the present invention provide a plasma chamber design that allows extremely symmetrical electrical, thermal, and gas flow conductance through the chamber. By providing such symmetry, plasma formed within the chamber naturally has improved uniformity across the surface of a substrate disposed in a processing region of the chamber. Further, other chamber additions, such as providing the ability to manipulate the gap between upper and lower electrodes as well as between a gas inlet and a substrate being processed, allows better control of plasma processing and uniformity as compared to conventional systems.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种等离子体室设计，其允许通过室极性对称的电，热和气流传导。 通过提供这种对称性，在室内形成的等离子体自然地改善了设置在室的处理区域中的衬底的表面上的均匀性。 此外，与常规系统相比，诸如提供操纵上电极和下电极之间的间隙以及气体入口和正被处理的衬底之间的间隙的其它腔室添加允许更好地控制等离子体处理和均匀性。

公开(公告)号：US20090156013A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12001989

申请日：2007-12-12

申请人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

发明人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209

摘要： Polymer is removed from the backside of a wafer held on a support pedestal in a reactor using an arcuate side gas injection nozzle extending through the reactor side wall with a curvature matched to the wafer edge and supplied with plasma by-products from a remote plasma source.

摘要翻译： 使用延伸穿过反应器侧壁的弧形侧气体注入喷嘴从保持在反应器中的支撑基座上的晶片的背面去除聚合物，其具有与晶片边缘匹配的曲率，并且从远程等离子体源提供等离子体副产物 。

公开(公告)号：US20110120505A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US13017569

申请日：2011-01-31

申请人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

发明人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

IPC分类号： B08B3/00 ,  B08B13/00 ,  H05H1/24 ,  B05B1/00

CPC分类号： H01L21/6708 ,  B05B1/18

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for front side protection while processing side and backside of a substrate. One embodiment of the present invention provides a showerhead configured to provide a purge gas to a front side of a substrate during a backside etch processing. The showerhead comprises a body configured to be disposed over the front side of the substrate. The body has a process surface configured to face the front side of the substrate. The process surface has an outer circular region, a central region, a middle region between the outer central region and the central region. The first plurality of holes are distributed in the outer circular region and configured to direct the purge gas towards an edge area of the front side of the substrate. No gas delivery hole is distributed within a substantial portion of the middle region.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了在处理基板的侧面和背面时用于正面保护的装置和方法。 本发明的一个实施例提供了一种喷淋头，其配置为在背面蚀刻处理期间向基板的前侧提供净化气体。 喷头包括构造成设置在基板的前侧上的主体。 主体具有配置为面向基板的前侧的工艺表面。 处理表面具有外圆周区域，中心区域，外部中心区域和中心区域之间的中间区域。 第一多个孔分布在外部圆形区域中，并被配置成将清洗气体引导到衬底前侧的边缘区域。 没有气体输送孔分布在中间区域的大部分内。

公开(公告)号：US08329593B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12001989

申请日：2007-12-12

申请人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

发明人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209

摘要： Polymer is removed from the backside of a wafer held on a support pedestal in a reactor using an arcuate side gas injection nozzle extending through the reactor side wall with a curvature matched to the wafer edge and supplied with plasma by-products from a remote plasma source.

摘要翻译： 使用延伸穿过反应器侧壁的弧形侧气体注入喷嘴从保持在反应器中的支撑基座上的晶片的背面去除聚合物，其具有与晶片边缘匹配的曲率，并且从远程等离子体源提供等离子体副产物 。

公开(公告)号：US07879183B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US12038499

申请日：2008-02-27

申请人： Imad Yousif ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

发明人： Imad Yousif ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23C16/00 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/6708 ,  B05B1/18

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for front side protection while processing side and backside of a substrate. One embodiment of the present invention provides a showerhead configured to provide a purge gas to a front side of a substrate during a backside etch processing. The showerhead comprises a body configured to be disposed over the front side of the substrate. The body has a process surface configured to face the front side of the substrate. The process surface has an outer circular region, a central region, a middle region between the outer central region and the central region. The first plurality of holes are distributed in the outer circular region and configured to direct the purge gas towards an edge area of the front side of the substrate. No gas delivery hole is distributed within a substantial portion of the middle region.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了在处理基板的侧面和背面时用于正面保护的装置和方法。 本发明的一个实施例提供了一种喷淋头，其配置为在背面蚀刻处理期间向基板的前侧提供净化气体。 喷头包括构造成设置在基板的前侧上的主体。 主体具有配置为面向基板的前侧的工艺表面。 处理表面具有外圆周区域，中心区域，外部中心区域和中心区域之间的中间区域。 第一多个孔分布在外部圆形区域中，并被配置成将清洗气体引导到衬底前侧的边缘区域。 没有气体输送孔分布在中间区域的大部分内。

公开(公告)号：US20090214798A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12038499

申请日：2008-02-27

申请人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

发明人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67 ,  B05B1/14

CPC分类号： H01L21/6708 ,  B05B1/18

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for front side protection while processing side and backside of a substrate. One embodiment of the present invention provides a showerhead configured to provide a purge gas to a front side of a substrate during a backside etch processing. The showerhead comprises a body configured to be disposed over the front side of the substrate. The body has a process surface configured to face the front side of the substrate. The process surface has an outer circular region, a central region, a middle region between the outer central region and the central region. The first plurality of holes are distributed in the outer circular region and configured to direct the purge gas towards an edge area of the front side of the substrate. No gas delivery hole is distributed within a substantial portion of the middle region.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了在处理基板的侧面和背面时用于正面保护的装置和方法。 本发明的一个实施例提供了一种喷淋头，其配置为在背面蚀刻处理期间向基板的前侧提供净化气体。 喷头包括构造成设置在基板的前侧上的主体。 主体具有配置为面向基板的前侧的工艺表面。 处理表面具有外圆周区域，中心区域，外部中心区域和中心区域之间的中间区域。 第一多个孔分布在外部圆形区域中，并被配置成将清洗气体引导到衬底前侧的边缘区域。 没有气体输送孔分布在中间区域的大部分内。

公开(公告)号：US08075728B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12038887

申请日：2008-02-28

申请人： Ajit Balakrishna ,  Shahid Rauf ,  Andrew Nguyen ,  Michael D. Willwerth ,  Valentin N. Todorow

发明人： Ajit Balakrishna ,  Shahid Rauf ,  Andrew Nguyen ,  Michael D. Willwerth ,  Valentin N. Todorow

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/3244

摘要： A flow equalizer plate is provided for use in a substrate process chamber. The flow equalizer plate has an annular shape with a flow obstructing inner region, and a perforated outer region that permits the passage of a processing gas, but retains specific elements in the processing gas, such as active radicals or ions. The inner and outer regions have varying radial widths so as to balance a flow of processing gas over a surface of a substrate. In certain embodiments, the flow equalizer plate may be utilized to correct chamber flow asymmetries due to a lateral offset of an exhaust port relative to a center line of a substrate support between the process volume and the exhaust port.

摘要翻译： 提供流量均衡器板用于衬底处理室。 流量均衡器板具有流动阻挡内部区域的环形形状，以及允许处理气体通过但在处理气体中保留特定元素的穿孔外部区域，例如活性自由基或离子。 内部和外部区域具有变化的径向宽度，以平衡处理气体在衬底表面上的流动。 在某些实施例中，流量均衡器板可用于校正由于排气口相对于处理容积和排气口之间的衬底支撑件的中心线的横向偏移造成的室流动不对称性。

公开(公告)号：US20090218043A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12038887

申请日：2008-02-28

申请人： Ajit Balakrishna ,  Shahid Rauf ,  Andrew Nguyen ,  Michael D. Willwerth ,  Valentin N. Todorow

发明人： Ajit Balakrishna ,  Shahid Rauf ,  Andrew Nguyen ,  Michael D. Willwerth ,  Valentin N. Todorow

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/3244

摘要： A flow equalizer plate is provided for use in a substrate process chamber. The flow equalizer plate has an annular shape with a flow obstructing inner region, and a perforated outer region that permits the passage of a processing gas, but retains specific elements in the processing gas, such as active radicals or ions. The inner and outer regions have varying radial widths so as to balance a flow of processing gas over a surface of a substrate. In certain embodiments, the flow equalizer plate may be utilized to correct chamber flow asymmetries due to a lateral offset of an exhaust port relative to a center line of a substrate support between the process volume and the exhaust port.

摘要翻译： 提供流量均衡器板用于衬底处理室。 流量均衡器板具有流动阻挡内部区域的环形形状，以及允许处理气体通过但在处理气体中保留特定元素的穿孔外部区域，例如活性自由基或离子。 内部和外部区域具有变化的径向宽度，以平衡处理气体在衬底表面上的流动。 在某些实施例中，流量均衡器板可用于校正由于排气口相对于处理容积和排气口之间的衬底支撑件的中心线的横向偏移造成的室流动不对称性。

公开(公告)号：US20090188624A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12020043

申请日：2008-01-25

申请人： KALLOL BERA ,  James D. Carducci ,  Ajit Balakrishna ,  Shahid Rauf ,  Kenneth S. Collins ,  Andrew Nguyen ,  Hamid Noorbakhsh

发明人： KALLOL BERA ,  James D. Carducci ,  Ajit Balakrishna ,  Shahid Rauf ,  Kenneth S. Collins ,  Andrew Nguyen ,  Hamid Noorbakhsh

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01J37/32834 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719

摘要： Methods and apparatus for processing substrates are provided herein. In some embodiments, an apparatus for processing a substrate may include a process chamber having an inner volume and an exhaust system coupled thereto, wherein the exhaust system includes a plurality of first conduits, each first conduit having an inlet adapted to receive exhaust from the inner volume of the process chamber. A pumping plenum is coupled to each of the plurality of first conduits. The pumping plenum has a pumping port adapted to pump the exhaust from the chamber. The conductance between each inlet of the plurality of first conduits and the pumping port is substantially equivalent.

摘要翻译： 本文提供了处理衬底的方法和装置。 在一些实施例中，用于处理衬底的设备可以包括具有与其相连的内部体积和排气系统的处理室，其中排气系统包括多个第一管道，每个第一管道具有适于从内部 处理室的体积。 泵送气室连接到多个第一管道中的每一个。 泵送气室具有适于泵送来自腔室的排气的泵送口。 多个第一导管的每个入口与泵送端口之间的电导基本相当。