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    Process kit for RF physical vapor deposition
    11.
    发明授权
    Process kit for RF physical vapor deposition 有权
    射频物理气相沉积工艺套件

    公开(公告)号：US08668815B2

    公开(公告)日：2014-03-11

    申请号：US13457438

    申请日：2012-04-26

    申请人： Donny Young ,  Lara Hawrylchak

    发明人： Donny Young ,  Lara Hawrylchak

    IPC分类号： C25B9/00 ,  C23C14/00 ,  C25B11/00 ,  C25B13/00 ,  C23C16/00 ,  B05C11/11

    CPC分类号： H01J37/32651 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3441

    摘要： Embodiments of the invention generally relate to a process kit for a semiconductor processing chamber, and a semiconductor processing chamber having a kit. More specifically, embodiments described herein relate to a process kit including a cover ring, a shield, and an isolator for use in a physical deposition chamber. The components of the process kit work alone and in combination to significantly reduce particle generation and stray plasmas. In comparison with existing multiple part shields, which provide an extended RF return path contributing to RF harmonics causing stray plasma outside the process cavity, the components of the process kit reduce the RF return path thus providing improved plasma containment in the interior processing region.

    摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于半导体处理室的处理套件和具有套件的半导体处理室。 更具体地，本文所述的实施例涉及包括用于物理沉积室中的盖环，屏蔽和隔离器的处理套件。 过程组件的组件单独工作并组合起来，以显着减少颗粒产生和杂散等离子体。 与现有的多部分屏蔽相比，其提供了有助于RF谐波的扩展的RF返回路径，从而在处理空腔之外引起杂散等离子体，处理套件的部件降低了RF返回路径，从而在内部处理区域中提供了改进的等离子体容纳物。

    Encapsulated sputtering target
    12.
    发明授权
    Encapsulated sputtering target 有权
    封装溅射靶

    公开(公告)号：US08133368B2

    公开(公告)日：2012-03-13

    申请号：US12263013

    申请日：2008-10-31

    申请人： Lara Hawrylchak ,  Xianmin Tang ,  Vijay Parhke ,  Rongjun Wang

    发明人： Lara Hawrylchak ,  Xianmin Tang ,  Vijay Parhke ,  Rongjun Wang

    IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14

    CPC分类号： C23C14/3407

    摘要： Embodiments of the invention provide encapsulated sputtering targets and methods for preparing such targets prior to a physical vapor deposition (PVD) process. In one embodiment, an encapsulated target for PVD is provided which includes a target layer containing lanthanum disposed on a backing plate and an encapsulation layer containing titanium disposed on or over the target layer. In one example, the target layer contains metallic lanthanum or lanthanum oxide and the encapsulation layer contains titanium. The encapsulation layer may have a thickness within a range from about 1,000 Å to about 2,000 Å. In another embodiment, a method for preparing an encapsulated target prior to a PVD process is provided which includes positioning an encapsulated target within a PVD chamber and exposing the encapsulation layer to a plasma while removing the encapsulation layer and revealing an upper surface of the target layer.

    摘要翻译： 本发明的实施方案提供了封装的溅射靶和在物理气相沉积（PVD））方法之前制备这些靶的方法。 在一个实施方案中，提供了用于PVD的包封的靶，其包括设置在背板上的含有镧的靶层和包含设置在靶层上或上的钛的包封层。 在一个实例中，目标层包含金属镧或氧化镧，并且包封层含有钛。 封装层的厚度可以在大约从1000到大约2000的范围内。 在另一个实施方案中，提供了一种用于在PVD工艺之前制备封装的靶的方法，其包括将包封的靶定位在PVD室内并将封装层暴露于等离子体，同时移除封装层并露出靶层的上表面 。

    Apparatus And Methods For Backside Passivation
    15.
    发明申请
    Apparatus And Methods For Backside Passivation 有权
    背面钝化的装置和方法

    公开(公告)号：US20140147990A1

    公开(公告)日：2014-05-29

    申请号：US14087815

    申请日：2013-11-22

    申请人： Lara Hawrylchak ,  Jeff Tobin

    发明人： Lara Hawrylchak ,  Jeff Tobin

    IPC分类号： H01L21/3105

    CPC分类号： H01L21/02252 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/6719

    摘要： Provided apparatus and methods for back side passivation of a substrate. The systems comprise an elongate support with an open top surface forming a support ring so that when a substrate is on the support ring, a cavity is formed within the elongate support. A plasma generator is coupled to the cavity to generate a plasma within the cavity to deposit a passivation film on the back side of the substrate.

    摘要翻译： 提供衬底的背面钝化的设备和方法。 该系统包括具有开口顶表面的细长支撑件，其形成支撑环，使得当基板位于支撑环上时，在细长支撑件内形成空腔。 等离子体发生器耦合到空腔以在空腔内产生等离子体，以在衬底的背面上沉积钝化膜。

    Encapsulated sputtering target
    17.
    发明授权
    Encapsulated sputtering target 有权
    封装溅射靶

    公开(公告)号：US08435392B2

    公开(公告)日：2013-05-07

    申请号：US13397184

    申请日：2012-02-15

    申请人： Lara Hawrylchak ,  Xianmin Tang ,  Vijay Parhke ,  Rongjun Wang

    发明人： Lara Hawrylchak ,  Xianmin Tang ,  Vijay Parhke ,  Rongjun Wang

    IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14

    CPC分类号： C23C14/3407

    摘要： Embodiments of the invention provide encapsulated sputtering targets for physical vapor deposition. In one embodiment, an encapsulated target contains a target layer containing a first metal or an oxide of the first metal disposed over a backing plate, an adhesion interlayer disposed between the target layer and the backing plate, and an encapsulation layer containing a second metal or an oxide of the second metal disposed over the target layer and an annular sidewall of the backing plate. The target layer is encapsulated by the backing plate and the encapsulation layer and the first metal is different than the second metal. In some examples, the first metal is lanthanum or lithium and the target layer contains metallic lanthanum, lanthanum oxide, or metallic lithium. In other examples, the second metal is titanium or aluminum and the encapsulation layer contains metallic titanium, titanium oxide, metallic aluminum, or aluminum oxide.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供用于物理气相沉积的封装溅射靶。 在一个实施方案中，包封的靶含有包含设置在背板上的第一金属或第一金属的氧化物的目标层，设置在靶层和背衬板之间的粘合中间层，以及包含第二金属或 设置在目标层上的第二金属的氧化物和背板的环形侧壁。 目标层被背板封装，并且封装层和第一金属不同于第二金属。 在一些实例中，第一金属是镧或锂，靶层含有金属镧，氧化镧或金属锂。 在其他实例中，第二金属是钛或铝，并且包封层含有金属钛，氧化钛，金属铝或氧化铝。

    METHOD AND APPARATUS FOR SELECTIVE NITRIDATION PROCESS
    19.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR SELECTIVE NITRIDATION PROCESS 审中-公开
    选择性硝化过程的方法和装置

    公开(公告)号：US20130040444A1

    公开(公告)日：2013-02-14

    申请号：US13536443

    申请日：2012-06-28

    申请人： MATTHEW S. ROGERS ,  Roger Curtis ,  Lara Hawrylchak ,  Ken Kaung Lai ,  Bernard L. Hwang ,  Jeffrey Tobin ,  Christopher Olsen ,  Malcom J. Bevan

    发明人： MATTHEW S. ROGERS ,  Roger Curtis ,  Lara Hawrylchak ,  Ken Kaung Lai ,  Bernard L. Hwang ,  Jeffrey Tobin ,  Christopher Olsen ,  Malcom J. Bevan

    IPC分类号： H01L21/26

    CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3211 ,  H01L27/11524

    摘要： Embodiments of the invention provide an improved apparatus and methods for nitridation of stacks of materials. In one embodiment, a remote plasma system includes a remote plasma chamber defining a first region for generating a plasma comprising ions and radicals, a process chamber defining a second region for processing a semiconductor device, the process chamber comprising an inlet port formed in a sidewall of the process chamber, the inlet port being in fluid communication with the second region, and a delivery member disposed between the remote plasma chamber and the process chamber and having a passageway in fluid communication with the first region and the inlet port, wherein the delivery member is configured such that a longitudinal axis of the passageway intersects at an angle of about 20 degrees to about 80 degrees with respect to a longitudinal axis of the inlet port.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种用于氮化堆叠材料的改进的装置和方法。 在一个实施例中，远程等离子体系统包括限定用于产生包括离子和自由基的等离子体的第一区域的远程等离子体室，限定用于处理半导体器件的第二区域的处理室，所述处理室包括形成在侧壁 处理室的入口端口与第二区域流体连通，以及设置在远程等离子体室和处理室之间并具有与第一区域和入口流体连通的通道的输送构件，其中输送 构件被构造成使得通道的纵向轴线相对于入口的纵向轴线以大约20度至大约80度的角度相交。