公开(公告)号：US08368094B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12813621

申请日：2010-06-11

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Chien-Yuan Wang ,  Jin-Ywan Lin ,  Chiu-Lin Yao

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Chien-Yuan Wang ,  Jin-Ywan Lin ,  Chiu-Lin Yao

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

摘要： A optoelectronic device comprises a semiconductor stack layer; a first transparent conductive oxide (abbreviate as “TCO” hereinafter) layer located on the semiconductor stack layer, wherein the first TCO layer has at least one opening; and a second TCO layer covering the first TCO layer, wherein the second TCO layer is filled into the opening of the first TCO layer and contacted with the semiconductor stack layer, and one of the first TCO layer and the second TCO layer forms an ohmic contact with the semiconductor stack layer.

摘要翻译： 光电子器件包括半导体叠层层; 位于半导体堆叠层上的第一透明导电氧化物（以下简称TCO），其中第一TCO层具有至少一个开口; 以及覆盖所述第一TCO层的第二TCO层，其中所述第二TCO层填充到所述第一TCO层的开口中并与所述半导体堆叠层接触，并且所述第一TCO层和所述第二TCO层中的一个形成欧姆接触 与半导体堆叠层。

公开(公告)号：US20120211794A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13459342

申请日：2012-04-30

申请人： Chien-Fu SHEN ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

发明人： Chien-Fu SHEN ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

摘要： This disclosure discloses a light-emitting device. The light-emitting device comprises: a light-emitting stack having an upper surface and a lower surface; a pad, arranged on the upper surface, comprising: a first bonding region; and a second bonding region physically connected to the first bonding region through a connecting region having a connecting width; a first electrode connected to the first bonding region; a second electrode connected to the second bonding region; and a third electrode extending from the pad and arranged between the first electrode and the second electrode. At least one of the first electrode, the second electrode, and the third electrode has a width smaller than the connecting width.

摘要翻译： 本公开公开了一种发光装置。 发光装置包括：具有上表面和下表面的发光叠层; 布置在所述上​​表面上的垫，包括：第一接合区域; 以及通过具有连接宽度的连接区域物理地连接到所述第一接合区域的第二接合区域; 连接到所述第一接合区域的第一电极; 连接到所述第二接合区域的第二电极; 以及从所述焊盘延伸并且布置在所述第一电极和所述第二电极之间的第三电极。 第一电极，第二电极和第三电极中的至少一个具有小于连接宽度的宽度。

公开(公告)号：US08210699B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US13195620

申请日：2011-08-01

申请人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chih-Chiang Lu

发明人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chih-Chiang Lu

IPC分类号： F21V9/16

CPC分类号： G02F1/353 ,  F21K9/64 ,  F21V9/30 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An embodiment of the invention discloses a wavelength converting system. The wavelength converting system comprises: a wavelength converter having a first area and a second area; a first light source disposed under the first area and inducing a first mixed light being visible above the first area; a second light source disposed under the second area and inducing a second mixed light being visible above the second area; and a carrier supporting the first light source and the second light source. The first light source and the second light source have a dominant wavelength difference of 1 nm˜20 nm, and the first mixed light and the second mixed light have a color temperature difference less than 100K.

摘要翻译： 本发明的实施例公开了一种波长转换系统。 波长转换系统包括：具有第一区域和第二区域的波长转换器; 第一光源，设置在所述第一区域下方，并且在所述第一区域上方引导可见的第一混合光; 第二光源，设置在所述第二区域下方，并且在所述第二区域上方引导可见的第二混合光; 以及支撑第一光源和第二光源的载体。 第一光源和第二光源具有1nm〜20nm的主波长差，第一混合光和第二混合光的色温差小于100K。

公开(公告)号：US20120132944A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13306487

申请日：2011-11-29

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Chien-Yuan Wang ,  Tsung-Xian Lee ,  Chih-Ming Wang ,  Ming-Chi Hsu ,  Han-Min Wu

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Chien-Yuan Wang ,  Tsung-Xian Lee ,  Chih-Ming Wang ,  Ming-Chi Hsu ,  Han-Min Wu

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/58 ,  H01L33/46 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0091

摘要： Disclosed is a light-emitting device comprising: a carrier; a light-emitting element disposed on the carrier; a first light guide layer covering the light-emitting element, and disposed on the carrier; a wavelength conversion and light guide layer covering the first light guide layer and the light-emitting element, and disposed on the carrier; and a low refractive index layer disposed between the first light guide layer and the wavelength conversion and light guide layer; wherein the first light guide layer comprises a gradient refractive index, the wavelength conversion and light guide layer comprises a dome shape structure and is used to convert a wavelength of light emitted from the light-emitting element and transmit light, and the low refractive index layer is used to reflect light from the wavelength conversion and light guide layer.

摘要翻译： 公开了一种发光装置，包括：载体; 设置在所述载体上的发光元件; 覆盖所述发光元件的第一导光层，并设置在所述载体上; 覆盖第一导光层和发光元件的波长转换和导光层，并设置在载体上; 以及设置在所述第一导光层与所述波长转换和导光层之间的低折射率层; 其中所述第一导光层包括梯度折射率，所述波长转换和导光层包括圆顶形结构，并用于转换从所述发光元件发射的光的波长并透射光，并且所述低折射率层 用于反射来自波长转换和光导层的光。

公开(公告)号：US20120025250A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13193970

申请日：2011-07-29

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Wei-Yu Chen ,  Li-Ming Chang ,  Chien-Yuan Wang ,  Chiu-Lin Yao

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Wei-Yu Chen ,  Li-Ming Chang ,  Chien-Yuan Wang ,  Chiu-Lin Yao

IPC分类号： H01L33/20

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/387 ,  H01L2933/0016

摘要： This application provides a semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof. The semiconductor light-emitting device comprises a semiconductor light-emitting structure and a thinned substrate. The semiconductor light-emitting structure comprises a plurality of semiconductor layers and a plurality of first channels, wherein a plurality of first channels has a predetermined depth that penetrating at least two layers of the plurality of semiconductor layers.

摘要翻译： 本申请提供了一种半导体发光器件及其制造方法。 半导体发光器件包括半导体发光结构和薄化衬底。 半导体发光结构包括多个半导体层和多个第一通道，其中多个第一通道具有穿透多个半导体层的至少两层的预定深度。

公开(公告)号：US08063557B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US11893220

申请日：2007-08-14

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Ta-Cheng Hsu ,  Ya-Ju Lee ,  Wei-Chih Peng ,  Chi-Wei Lu ,  Ya-Lan Yang ,  Ying-Yong Su ,  Meng-Lnn Tsai

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Ta-Cheng Hsu ,  Ya-Ju Lee ,  Wei-Chih Peng ,  Chi-Wei Lu ,  Ya-Lan Yang ,  Ying-Yong Su ,  Meng-Lnn Tsai

IPC分类号： H01J1/62

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/08 ,  H01L33/508

摘要： A light-emitting device comprising a substrate, a light-emitting stack, and a transparent adhesive layer having wavelength-converting materials embedded therein formed within the light-emitting device is provided.

摘要翻译： 提供了一种发光器件，其包括衬底，发光叠层和在发光器件内形成有波长转换材料的透明粘合剂层。

公开(公告)号：US20110198650A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13030644

申请日：2011-02-18

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Chien-Yuan Wang

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Chien-Yuan Wang

IPC分类号： H01L33/60

CPC分类号： H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041

摘要： The present invention discloses a semiconductor light-emitting device including a semiconductor light-emitting element, a first attaching layer and a wavelength conversion structure. The primary light emitted from the semiconductor light-emitting element enters the wavelength conversion structure to generate a converted light, whose wavelength is different form that of the primary light. In addition, the present invention also provides the method for forming the same.

摘要翻译： 本发明公开了一种包括半导体发光元件，第一附着层和波长转换结构的半导体发光器件。 从半导体发光元件发射的初级光进入波长转换结构以产生其波长与初级光的波长不同的转换光。 此外，本发明还提供了其形成方法。

公开(公告)号：US07988325B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12941697

申请日：2010-11-08

申请人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chih-Chiang Lu

发明人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chih-Chiang Lu

IPC分类号： F21V9/16

CPC分类号： G02F1/353 ,  F21K9/64 ,  F21V9/30 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An embodiment of the invention discloses a wavelength converting system. The wavelength converting system comprises: a wavelength converter having a first area and a second area; a first light source disposed under the first area and inducing a first mixed light being visible above the first area; a second light source disposed under the second area and inducing a second mixed light being visible above the second area; and a carrier supporting the first light source and the second light source. The first light source and the second light source have a dominant wavelength difference of 1 nm˜20 nm, and the first mixed light and the second mixed light have a color temperature difference less than 100K.

摘要翻译： 本发明的实施例公开了一种波长转换系统。 波长转换系统包括：具有第一区域和第二区域的波长转换器; 第一光源，设置在所述第一区域下方，并且在所述第一区域上方引导可见的第一混合光; 第二光源，设置在所述第二区域下方，并且在所述第二区域上方引导可见的第二混合光; 以及支撑第一光源和第二光源的载体。 第一光源和第二光源具有1nm〜20nm的主波长差，第一混合光和第二混合光的色温差小于100K。

公开(公告)号：US20110095326A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12984184

申请日：2011-01-04

申请人： Min-Hsun Hsieh

发明人： Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/60

CPC分类号： H01L33/58 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0091

摘要： This invention discloses a light emitting semiconductor device including a light-emitting structure and an external optical element. The optical element couples to the light-emitting structure circumferentially. In addition, the refractive index of the external optical element is greater than or about the same as that of a transparent substrate of the light-emitting structure, or in-between that of the transparent substrate and the encapsulant material.

摘要翻译： 本发明公开了一种包括发光结构和外部光学元件的发光半导体器件。 光学元件周向耦合到发光结构。 此外，外部光学元件的折射率大于或大致与发光结构的透明基板的折射率相同，或者在透明基板和密封剂材料的折射率之间。

公开(公告)号：US20100127397A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12591617

申请日：2009-11-25

申请人： Wei-Yo Chen ,  Yen-Wen Chen ,  Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Tzer-Perng Chen

发明人： Wei-Yo Chen ,  Yen-Wen Chen ,  Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Tzer-Perng Chen

IPC分类号： H01L23/482

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/02 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022433 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor device includes a substrate, a semiconductor system having an active layer formed on the substrate and an electrode structure formed on the semiconductor system, wherein the layout of the electrode structure having at least a first conductivity type contact zone or a first conductivity type bonding pad, a second conductivity type bonding pad, a first conductivity type extension electrode, and a second conductivity type extension electrode wherein the first conductivity type extension electrode and the second conductivity type extension electrode have three-dimensional crossover, and partial of the first conductivity type extension electrode and the first conductivity type contact zone or the first conductivity type bonding pad are on the opposite sides of the active layer.

摘要翻译： 光电子半导体器件包括衬底，具有形成在衬底上的有源层和形成在半导体系统上的电极结构的半导体系统，其中具有至少第一导电类型接触区或第一导电类型的电极结构的布局 接合焊盘，第二导电型接合焊盘，第一导电型延伸电极和第二导电型延伸电极，其中第一导电类型延伸电极和第二导电类型延伸电极具有三维交叉，部分第一导电性 第一导电型接触区或第一导电型接合垫位于有源层的相对侧上。