公开(公告)号：US07098130B1

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US11016304

申请日：2004-12-16

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76813

摘要： A method for forming dual damascene features in a dielectric layer. Vias are partially etched in the dielectric layer. A trench pattern mask is formed over the dielectric layer. Trenches are partially etched in the dielectric layer. The trench pattern mask is stripped. The dielectric layer is further etched to complete etch the vias and the trenches in the dielectric layer.

摘要翻译： 一种在介电层中形成双镶嵌特征的方法。 在电介质层中部分地蚀刻通孔。 在电介质层上形成沟槽图案掩模。 在介电层中部分蚀刻沟槽。 剥去沟槽图案掩模。 进一步蚀刻电介质层以完成蚀刻介电层中的通路和沟槽。

公开(公告)号：US07902073B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US11610953

申请日：2006-12-14

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Deepak K. Gupta ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Deepak K. Gupta ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/312

摘要： A method for etching features in an etch layer disposed below a mask on a process wafer is provided. A hydrocarbon based glue layer is deposited. The etch layer on the process wafer is etched with at least one cycle, wherein each cycle comprises depositing a hydrofluorocarbon layer over the mask and on the hydrocarbon based glue layer, wherein the hydrocarbon based glue layer increases adhesion of the hydrofluorocarbon layer and etching the etch layer.

摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻设置在处理晶片上的掩模下方的蚀刻层中的特征的方法。 沉积烃基胶层。 用至少一个循环蚀刻处理晶片上的蚀刻层，其中每个循环包括在掩模上和基于烃的胶层上沉积氢氟碳化合物层，其中基于烃的胶层增加氢氟烃层的粘附和蚀刻蚀刻 层。

公开(公告)号：US07390749B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US11558238

申请日：2006-11-09

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

摘要： A method for providing features in an etch layer with a memory region and a peripheral region is provided. A memory patterned mask is formed over a first sacrificial layer. A first set of sacrificial layer features is etched into the first sacrificial layer and a second sacrificial layer. Features of the first set of sacrificial layer features are filled with filler material. The first sacrificial layer is removed. The spaces are shrunk with a shrink sidewall deposition. A second set of sacrificial layer features is etched into the second sacrificial layer. The filler material and shrink sidewall deposition are removed. A peripheral patterned mask is formed over the memory region and peripheral region. The second sacrificial layer is etched through the peripheral patterned mask. The peripheral patterned mask is removed. Features are etched into the etch layer from the second sacrificial layer.

摘要翻译： 提供了一种用于在具有存储区域和周边区域的蚀刻层中提供特征的方法。 存储器图案化掩模形成在第一牺牲层上。 第一组牺牲层特征被蚀刻到第一牺牲层和第二牺牲层中。 第一组牺牲层特征的特征填充有填充材料。 第一牺牲层被去除。 这些空间随着收缩侧壁沉积而收缩。 第二组牺牲层特征被蚀刻到第二牺牲层中。 去除填充材料和收缩侧壁沉积。 在存储器区域和外围区域上形成周边图案化掩模。 通过外围图案化掩模蚀刻第二牺牲层。 去除周边图案掩模。 特征从第二牺牲层蚀刻到蚀刻层中。

公开(公告)号：US20080146032A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11610953

申请日：2006-12-14

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Deepak K. Gupta ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Deepak K. Gupta ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/312

摘要： A method for etching features in an etch layer disposed below a mask on a process wafer is provided. A hydrocarbon based glue layer is deposited. The etch layer on the process wafer is etched with at least one cycle, wherein each cycle comprises depositing a hydrofluorocarbon layer over the mask and on the hydrocarbon based glue layer, wherein the hydrocarbon based glue layer increases adhesion of the hydrofluorocarbon layer and etching the etch layer.

摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻设置在处理晶片上的掩模下方的蚀刻层中的特征的方法。 沉积烃基胶层。 用至少一个循环蚀刻处理晶片上的蚀刻层，其中每个循环包括在掩模上和基于烃的胶层上沉积氢氟烃层，其中基于烃的胶层增加氢氟烃层的粘附和蚀刻蚀刻 层。

公开(公告)号：US07084070B1

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US10623016

申请日：2003-07-17

申请人： Sangheon Lee ,  Sean S. Kang ,  S M Reza Sadjadi ,  Subhash Deshmukh ,  Ji Soo Kim

发明人： Sangheon Lee ,  Sean S. Kang ,  S M Reza Sadjadi ,  Subhash Deshmukh ,  Ji Soo Kim

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76814

摘要： A method for processing substrate to form a semiconductor device is disclosed. The substrate includes an etch stop layer disposed above a metal layer. The method includes etching through the etch stop layer down to the copper metal layer, using a plasma etch process that utilizes a chlorine-containing etchant source gas, thereby forming etch stop layer openings in the etch stop layer. The etch stop layer includes at least one of a SiN and SiC material. Thereafter, the method includes performing a wet treatment on the substrate using a solution that contains acetic acid (CH3COOH) or acetic acid/ammonium hydroxide (NH4OH) to remove at least some of the copper oxides. Alternatively, the copper oxides may be removed using a H2 plasma. BTA passivation may be optionally performed on the substrate.

摘要翻译： 公开了一种用于处理基板以形成半导体器件的方法。 衬底包括设置在金属层上方的蚀刻停止层。 该方法包括使用利用含氯蚀刻剂源气体的等离子体蚀刻工艺将蚀刻停止层蚀刻到铜金属层下方，从而在蚀刻停止层中形成蚀刻停止层开口。 蚀刻停止层包括SiN和SiC材料中的至少一种。 此后，该方法包括使用含有乙酸（CH 3 COOH）或乙酸/氢氧化铵（NH 4 OH）的溶液对底物进行湿处理至 去除至少一些铜氧化物。 或者，可以使用H 2 O 3等离子体去除铜氧化物。 可以任选地在衬底上进行BTA钝化。

公开(公告)号：US06979579B1

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：US10813913

申请日：2004-03-30

申请人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Sean Kang ,  Binet Worsham ,  Bi-Ming Yen ,  Reza Sadjadi ,  Peter K. Loewenhardt

发明人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Sean Kang ,  Binet Worsham ,  Bi-Ming Yen ,  Reza Sadjadi ,  Peter K. Loewenhardt

IPC分类号： G01B21/00 ,  H01J9/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01J9/42 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a plasma processing system, a method of inspecting a contact opening of a contact formed in a first layer of the substrate to determine whether the contact reaches a metal layer that is disposed below the first layer is shown. The method includes flowing a gas mixture into a plasma reactor of the plasma processing system, the gas mixture comprising a flow of a chlorine containing gas. The method also includes striking a plasma from the gas mixture; and exposing the contact to the plasma. The method further includes detecting whether metal chloride is present in the contact opening after the exposing.

摘要翻译： 在等离子体处理系统中，示出了检查形成在基板的第一层中的接点的接触开口以确定接触是否到达设置在第一层下方的金属层的方法。 该方法包括将气体混合物流入等离子体处理系统的等离子体反应器，气体混合物包含含氯气体的流。 该方法还包括从气体混合物中冲击等离子体; 并将接触点暴露于等离子体。 该方法还包括在曝光后检测接触孔中是否存在金属氯化物。

公开(公告)号：US07442649B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11094559

申请日：2005-03-29

申请人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Binet A. Worsham ,  Robert Charatan ,  S.M. Reza Sadjadi

发明人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Binet A. Worsham ,  Robert Charatan ,  S.M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： A method for etching a dielectric layer over a substrate is provided. A photoresist mask is formed over the dielectric layer. The substrate is placed in a plasma processing chamber. An etchant gas comprising NF3 is provided into the plasma chamber. A plasma is formed from the NF3 gas. The dielectric layer is etched through the photoresist mask with the plasma from the NF3 gas.

摘要翻译： 提供了一种在衬底上蚀刻电介质层的方法。 在电介质层上形成光致抗蚀剂掩模。 将基板放置在等离子体处理室中。 包含NF 3 N的蚀刻剂气体被提供到等离子体室中。 从NF 3 N气体形成等离子体。 通过来自NF 3 N 3气体的等离子体通过光致抗蚀剂掩模蚀刻电介质层。

公开(公告)号：US08357434B1

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US11304223

申请日：2005-12-13

申请人： Dae-han Choi ,  Jisoo Kim ,  Eric Hudson ,  Sangheon Lee ,  Conan Chiang ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Dae-han Choi ,  Jisoo Kim ,  Eric Hudson ,  Sangheon Lee ,  Conan Chiang ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834

摘要： A method for depositing a conformal film on a substrate in a plasma processing chamber of a plasma processing system, the substrate being disposed on a chuck, the chuck being coupled to a cooling apparatus, is disclosed. The method includes flowing a first gas mixture into the plasma processing chamber at a first pressure, wherein the first gas mixture includes at least carbon, and wherein the first gas mixture has a condensation temperature. The method also includes cooling the chuck below the condensation temperature using the cooling apparatus thereby allowing at least some of the first gas mixture to condense on a surface of the substrate. The method further includes venting the first gas mixture from the processing chamber; flowing a second gas mixture into the plasma processing chamber, the second gas mixture being different in composition from the first gas mixture; and striking a plasma to form the conformal film.

摘要翻译： 公开了一种在等离子体处理系统的等离子体处理室中的基板上沉积保形膜的方法，该基板设置在卡盘上，该卡盘与冷却装置连接。 该方法包括在第一压力下将第一气体混合物流入等离子体处理室，其中第一气体混合物至少包括碳，并且其中第一气体混合物具有冷凝温度。 该方法还包括使用冷却装置将夹盘冷却至冷凝温度以下，从而允许至少一些第一气体混合物在基板的表面上冷凝。 该方法还包括从处理室排出第一气体混合物; 将第二气体混合物流入等离子体处理室，第二气体混合物的组成与第一气体混合物不同; 并冲击等离子体以形成保形膜。

公开(公告)号：US07560388B2

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US11291303

申请日：2005-11-30

申请人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Jisoo Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0338

摘要： A method providing features in a dielectric layer is provided. A sacrificial layer is formed over the dielectric layer. A set of sacrificial layer features is etched into the sacrificial layer. A first set of dielectric layer features is etched into the dielectric layer through the sacrificial layer. The first set of dielectric layer features and the set of sacrificial layer features are filled with a filler material. The sacrificial layer is removed. The widths of the spaces between the parts of the filler material are shrunk with a shrink sidewall deposition. A second set of dielectric layer features is etched into the dielectric layer through the shrink sidewall deposition. The filler material and shrink sidewall deposition are removed.

摘要翻译： 提供了一种在电介质层中提供特征的方法。 在电介质层上形成牺牲层。 一组牺牲层特征被蚀刻到牺牲层中。 通过牺牲层将介电层特征的第一组蚀刻到介电层中。 第一组介电层特征和一组牺牲层特征用填充材料填充。 牺牲层被去除。 填充材料的各部分之间的间隙的宽度随收缩侧壁沉积而收缩。 通过收缩侧壁沉积将第二组介电层特征蚀刻到介电层中。 去除填充材料和收缩侧壁沉积。

公开(公告)号：US20070193973A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11357548

申请日：2006-02-17

申请人： Ji Kim ,  Peter Cirigliano ,  Sangheon Lee ,  Dongho Heo ,  Daehan Choi ,  S. Sadjadi

发明人： Ji Kim ,  Peter Cirigliano ,  Sangheon Lee ,  Dongho Heo ,  Daehan Choi ,  S. Sadjadi

IPC分类号： C23F1/00 ,  C03C15/00

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/30655

摘要： A method for etching features into an etch layer disposed below a photoresist mask without an intermediate hardmask is provided. A plurality of etch cycles are provided. Each etch cycle comprises providing a deposition etch phase that etches features into the etch layer and deposits polymer on sidewalls of the features and over the photoresist and providing a cleaning phase that removes polymer deposited on the sidewalls.

摘要翻译： 提供了一种用于将特征蚀刻到设置在光刻胶掩模下方而不具有中间硬掩模的蚀刻层中的方法。 提供多个蚀刻循环。 每个蚀刻循环包括提供沉积蚀刻阶段，其将特征蚀刻到蚀刻层中并将聚合物沉积在特征的侧壁上并在光致抗蚀剂上方，并提供去除沉积在侧壁上的聚合物的清洁相。