公开(公告)号：US20070148347A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11318092

申请日：2005-12-22

申请人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01G4/10 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。

公开(公告)号：US20070014919A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11182734

申请日：2005-07-15

申请人： Jani Hamalainen ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Jani Hamalainen ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/45525

摘要： Electrically conductive noble metal oxide films can be deposited by atomic layer deposition (ALD)-type processes. In preferred embodiments, Re, Ru, Os and Ir oxides are deposited by alternately and sequentially contacting a substrate with vapor phase pulses of a noble metal precursor and an oxygen source. The noble metal precursor is preferably a betadiketonate compound and the oxygen source is preferably ozone or oxygen plasma. The deposition temperature may be less than about 200° C.

摘要翻译： 导电性贵金属氧化物膜可以通过原子层沉积（ALD）型工艺沉积。 在优选的实施方案中，通过交替地和顺序地使基底与贵金属前体和氧源的气相脉冲接触来沉积Re，Ru，Os和Ir氧化物。 贵金属前体优选为betadiketonate化合物，氧源优选为臭氧或氧等离子体。 沉积温度可以低于约200℃

公开(公告)号：US06632279B1

公开(公告)日：2003-10-14

申请号：US09687355

申请日：2000-10-13

申请人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

发明人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

IPC分类号： C30B2514

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

摘要： A method is provided for growing thin oxide films on the surface of a substrate by alternatively reacting the surface of the substrate with a metal source material and an oxygen source material. The oxygen source material is preferably a metal alkoxide. The metal source material may be a metal halide, hydride, alkoxide, alkyl, a cyclopentadienyl compound, or a diketonate.

摘要翻译： 提供了一种用于通过交替地使基板的表面与金属源材料和氧源材料反应来在衬底的表面上生长薄氧化膜的方法。 氧源材料优选为金属醇盐。 金属源材料可以是金属卤化物，氢化物，醇盐，烷基，环戊二烯基化合物或二酮酸盐。

公开(公告)号：US20130252016A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13784856

申请日：2013-03-05

申请人： Orest J. Glembocki ,  Sharka M. Prokes ,  Joshua D. Caldwell ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Jaakko Niinisto ,  Eero Santala ,  Timo Hatanpaa ,  Maarit Kariemi

发明人： Orest J. Glembocki ,  Sharka M. Prokes ,  Joshua D. Caldwell ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Jaakko Niinisto ,  Eero Santala ,  Timo Hatanpaa ,  Maarit Kariemi

IPC分类号： B32B3/28 ,  C23C16/50 ,  B32B15/04 ,  C23C16/06

CPC分类号： B32B3/28 ,  B32B15/04 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/50 ,  Y10T428/1241 ,  Y10T428/24636 ,  Y10T428/24736

摘要： A metamaterial thin film with plasmonic properties formed by depositing metallic films by atomic layer deposition onto a substrate to form a naturally occurring mosaic-like nanostructure having two-dimensional features with air gaps between the two-dimensional features. Due to the unique deposition nanostructure, plasmonic thin films of metal or highly conducting materials can be produced on any substrate, including fabrics and biological materials. In addition, these plasmonic materials can be used in conjunction with geometric patterns that may be used to create multiple resonance plasmonic metamaterials.

摘要翻译： 具有等离子体激发特性的超材料薄膜通过原子层沉积沉积金属膜而形成于基底上以形成具有二维特征并具有二维特征之间的气隙的天然存在的马赛克状纳米结构。 由于独特的沉积纳米结构，金属或高导电材料的等离子体薄膜可以在任何基材上生产，包括织物和生物材料。 此外，这些等离子体激元材料可以与可用于产生多个共振等离子体激元超材料的几何图案一起使用。

公开(公告)号：US07713584B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US11318092

申请日：2005-12-22

申请人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01G4/10 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。

公开(公告)号：US07377976B2

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：US11210240

申请日：2005-08-22

申请人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

发明人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

IPC分类号： C30B25/18

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

摘要： A method is provided for growing thin oxide films on the surface of a substrate by alternatively reacting the surface of the substrate with a metal source material and an oxygen source material. The oxygen source material is preferably a metal alkoxide. The metal source material may be a metal halide, hydride, alkoxide, alkyl, a cyclopentadienyl compound, or a diketonate.

摘要翻译： 提供了一种用于通过交替地使基板的表面与金属源材料和氧源材料反应来在衬底的表面上生长薄氧化膜的方法。 氧源材料优选为金属醇盐。 金属源材料可以是金属卤化物，氢化物，醇盐，烷基，环戊二烯基化合物或二酮酸盐。

公开(公告)号：US20050089632A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10696591

申请日：2003-10-28

申请人： Marko Vehkamaki ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Marko Vehkamaki ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C07F9/94 ,  C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01B3/12 ,  H01B13/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC分类号： C23C16/45531 ,  C07F9/94 ,  C23C16/40 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553

摘要： A process for producing bismuth-containing oxide thin films by Atomic Layer Deposition, including using an organic bismuth compound having at least one silylamido ligand as a source material for the bismuth oxide. Bismuth-containing oxide thin films produced by the preferred embodiments can be used, for example, as ferroelectric or dielectric material in integrated circuits and/or as superconductor materials.

摘要翻译： 通过原子层沉积法生产含铋氧化物薄膜的方法，包括使用具有至少一个甲硅烷酰氨基配体的有机铋化合物作为氧化铋的源材料。 由优选实施例制造的含铋氧化物薄膜可用作例如集成电路中的铁电体或介电材料和/或超导体材料。

公开(公告)号：US09315894B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US13434520

申请日：2012-03-29

申请人： Jani Hamalainen ,  Jani Holopainen ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Jani Hamalainen ,  Jani Holopainen ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/50

摘要： The present application relates to atomic layer deposition (ALD) processes for producing metal phosphates such as titanium phosphate, aluminum phosphate and lithium phosphate, as well as to ALD processes for depositing lithium silicates.

摘要翻译： 本申请涉及用于生产金属磷酸盐如磷酸钛，磷酸铝和磷酸锂的原子层沉积（ALD）方法，以及用于沉积硅酸锂的ALD工艺。

公开(公告)号：US20100285217A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12777022

申请日：2010-05-10

申请人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01G4/10 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。

公开(公告)号：US06932867B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10618429

申请日：2003-07-10

申请人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

发明人： Mikko Ritala ,  Antti Rahtu ,  Markku Leskela ,  Kaupo Kukli

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/316 ,  C30B23/06

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

摘要： A method is provided for growing thin oxide films on the surface of a substrate by alternatively reacting the surface of the substrate with a metal source material and an oxygen source material. The oxygen source material is preferably a metal alkoxide. The metal source material may be a metal halide, hydride, alkoxide, alkyl, a cyclopentadienyl compound, or a diketonate.

摘要翻译： 提供了一种用于通过交替地使基板的表面与金属源材料和氧源材料反应来在衬底的表面上生长薄氧化膜的方法。 氧源材料优选为金属醇盐。 金属源材料可以是金属卤化物，氢化物，醇盐，烷基，环戊二烯基化合物或二酮酸盐。