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    Method for depositing ferroelectric thin films using a mixed oxidant gas
    21.
    发明申请
    Method for depositing ferroelectric thin films using a mixed oxidant gas 审中-公开
    使用混合氧化剂气体沉积铁电薄膜的方法

    公开(公告)号：US20070058415A1

    公开(公告)日：2007-03-15

    申请号：US11520623

    申请日：2006-09-14

    申请人： Dong-Hyun Im ,  Byoung-Jae Bae ,  Ji-Eun Lim ,  Dong-Chul Yoo ,  Yeon-Kyu Jung

    发明人： Dong-Hyun Im ,  Byoung-Jae Bae ,  Ji-Eun Lim ,  Dong-Chul Yoo ,  Yeon-Kyu Jung

    IPC分类号： G11C11/22

    CPC分类号： H01L28/55 ,  C23C16/409 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/65

    摘要： Disclosed are methods of forming ferroelectric material layers introducing a plurality of metallorganic source compounds into the reaction chamber, the source compounds being supplied in an appropriate ratio for forming the ferroelectric material. These metallorganic source compounds are, in turn, reacted with a NyOx/O2 oxidant gas mixture in which the NyOxcomponent(s) represents at least 50 volume percent of the oxidant gas. This mixture of metallorganic source compounds and oxidant gas mixture(s) are maintained at a deposition temperature and deposition pressure within the reaction chamber suitable for causing a reaction between the metallorganic source compounds and the oxidant gas for a deposition period sufficient to form the ferroelectric material layer. The resulting ferroelectric material layers exhibit improved uniformity, for example, near the interface with the bottom electrode.

    摘要翻译： 公开了形成将多个金属有机源化合物引入反应室的铁电材料层的方法，以适当的比例供给源化合物以形成铁电体材料。 这些金属有机源化合物又与N 2 O 2 O 2 / O 2 O 2氧化剂气体混合物反应，其中N“ y O x分量代表氧化剂气体的至少50体积％。 金属有机源化合物和氧化剂气体混合物的混合物保持在反应室内的沉积温度和沉积压力，适于在金属有机源化合物和氧化剂气体之间产生足以形成铁电材料的沉积时间 层。 所得到的铁电材料层表现出改善的均匀性，例如在与底部电极的界面附近。

    Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same
    24.
    发明申请
    Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20120252187A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13422487

    申请日：2012-03-16

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Hyun Kim ,  Kyung-Min Chung ,  Dong-Hyun Im

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Hyun Kim ,  Kyung-Min Chung ,  Dong-Hyun Im

    IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/283 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of manufacturing the semiconductor device includes sequentially forming first to third mold layer patterns on a substrate and spaced apart from each other , forming a first semiconductor pattern between the first mold layer pattern and the second mold layer pattern, and a second semiconductor pattern between the second mold layer pattern and the third mold layer pattern, forming a first trench between the first mold layer pattern and the third mold layer pattern by removing a portion of the second mold layer pattern and portions of the first and second semiconductor patterns, depositing a material for a lower electrode conformally along side and bottom surfaces of the first trench, and forming first and second lower electrodes separated from each other on the first and second semiconductor patterns, respectively, by removing a portion of the material for a lower electrode positioned on the second mold layer pattern.

    摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在基片上依次形成第一至第三模层图案并彼此分开，在第一模层图案和第二模层图案之间形成第一半导体图案，以及第二半导体图案， 第二模层图案和第三模层图案，通过去除第二模层图案的一部分和第一和第二半导体图案的部分，在第一模层图案和第三模层图案之间形成第一沟槽， 用于下电极的材料沿着第一沟槽的侧表面和底表面共形地形成，并且通过移除位于第一和第二半导体图案上的下电极的材料的一部分，分别形成在第一和第二半导体图案上彼此分离的第一和第二下电极 第二模层图案。