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    Disc cartridge
    22.
    发明授权
    Disc cartridge 失效
    光盘盒

    公开(公告)号：US06295182B1

    公开(公告)日：2001-09-25

    申请号：US09203366

    申请日：1998-12-02

    申请人： Woon-Sung Yeo ,  Chang-Jong Kim

    发明人： Woon-Sung Yeo ,  Chang-Jong Kim

    IPC分类号： G11B2303

    CPC分类号： G11B23/0316

    摘要： A cartridge for reducing air resistance therein which is induced by the rotation of a disc-shaped storage medium housed in the cartridge. Air resistance is reduced by forming holes and/or grooves on a housing case through which air flows in and out spontaneously.

    摘要翻译： 用于减小其中的空气阻力的盒，其由容纳在盒中的盘形存储介质的旋转引起。 通过在外壳上形成孔和/或凹槽来减少空气阻力，空气自然地流入和流出。

    Method for forming patterns of semiconductor device
    24.
    发明授权
    Method for forming patterns of semiconductor device 失效
    半导体器件形成方法

    公开(公告)号：US07862988B2

    公开(公告)日：2011-01-04

    申请号：US11529310

    申请日：2006-09-29

    申请人： Cha-Won Koh ,  Yool Kang ,  Sang-Gyun Woo ,  Seok-Hwan Oh ,  Gi-Sung Yeo ,  Ji-Young Lee

    发明人： Cha-Won Koh ,  Yool Kang ,  Sang-Gyun Woo ,  Seok-Hwan Oh ,  Gi-Sung Yeo ,  Ji-Young Lee

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

    摘要： Provided is a method for forming patterns of a semiconductor device. According to the method, first mask patterns may be formed on a substrate, and second mask patterns may be formed on sidewalls of each first mask pattern. Third mask patterns may fill spaces formed between adjacent second mask patterns, and the second mask patterns may be removed. A portion of the substrate may then be removed using the first and third mask patterns as etch masks.

    摘要翻译： 提供了一种用于形成半导体器件的图案的方法。 根据该方法，可以在衬底上形成第一掩模图案，并且可以在每个第一掩模图案的侧壁上形成第二掩模图案。 第三掩模图案可以填充在相邻的第二掩模图案之间形成的空间，并且可以去除第二掩模图案。 然后可以使用第一和第三掩模图案作为蚀刻掩模去除衬底的一部分。

    Semiconductor devices having Fin-type active areas and methods of manufacturing the same
    25.
    发明授权
    Semiconductor devices having Fin-type active areas and methods of manufacturing the same 有权
    具有Fin型有源区的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07795099B2

    公开(公告)日：2010-09-14

    申请号：US11979748

    申请日：2007-11-08

    申请人： Hyun-jae Kang ,  Ji-young Lee ,  Han-ku Cho ,  Gi-sung Yeo

    发明人： Hyun-jae Kang ,  Ji-young Lee ,  Han-ku Cho ,  Gi-sung Yeo

    IPC分类号： H01L21/762

    CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L29/66795

    摘要： A semiconductor device having a fin type active area includes a plurality of active regions, a first device isolation layer and a recessed second device isolation layer disposed in a direction of gate electrodes of the semiconductor device. A recessed second device isolation layer and a first device isolation layer are disposed in a vertical direction of the gate electrodes. The first device isolation layer and the plurality of active regions are alternately disposed in a first direction of the plurality of active regions.

    摘要翻译： 具有翅片型有源区的半导体器件包括沿着半导体器件的栅电极的方向设置的多个有源区，第一器件隔离层和凹陷的第二器件隔离层。 凹陷的第二器件隔离层和第一器件隔离层设置在栅电极的垂直方向上。 第一器件隔离层和多个有源区交替地设置在多个有源区的第一方向上。

    METHOD OF FORMING PATTERN
    28.
    发明申请
    METHOD OF FORMING PATTERN 有权
    形成图案的方法

    公开(公告)号：US20090291561A1

    公开(公告)日：2009-11-26

    申请号：US12511538

    申请日：2009-07-29

    申请人： Cha-Won Koh ,  Sang-Gyun Woo ,  Gi-Sung Yeo ,  Myoung-Ho Jung

    发明人： Cha-Won Koh ,  Sang-Gyun Woo ,  Gi-Sung Yeo ,  Myoung-Ho Jung

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/306

    CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

    摘要： Disclosed is a method of forming a pattern. A first organic polymer layer is formed on a substrate on which an underlying layer, and then a second organic polymer layer, which has an opening partially exposing the first organic polymer layer, is formed on the first organic polymer layer. Next, a silicon-containing polymer layer is formed on the second organic polymer layer to cover the opening. The silicon-containing polymer layer is oxidized and simultaneously the second organic polymer layer and the first organic polymer layer are ashed by oxygen plasma to form a pattern having an anisotropy-shape. The underlying layer is etched using the silicon-containing polymer layer and the first organic polymer layer as an etching mask to form a pattern.

    摘要翻译： 公开了形成图案的方法。 在第一有机聚合物层上形成第一有机聚合物层，在其上具有下层，然后形成具有部分暴露第一有机聚合物层的开口的第二有机聚合物层。 接下来，在第二有机聚合物层上形成含硅聚合物层以覆盖开口。 含硅聚合物层被氧化，同时第二有机聚合物层和第一有机聚合物层被氧等离子体灰化，形成具有各向异性形状的图案。 使用含硅聚合物层和第一有机聚合物层作为蚀刻掩模蚀刻下层，以形成图案。

    Semiconductor Memory Devices Including Offset Bit Lines
    29.
    发明申请
    Semiconductor Memory Devices Including Offset Bit Lines 有权
    包括偏移位线的半导体存储器件

    公开(公告)号：US20090218609A1

    公开(公告)日：2009-09-03

    申请号：US12465202

    申请日：2009-05-13

    申请人： Doo-Hoon Goo ,  Han-Ku Cho ,  Joo-Tae Moon ,  Sang-Gyun Woo ,  Gi-Sung Yeo ,  Kyoung-Yun Baek

    发明人： Doo-Hoon Goo ,  Han-Ku Cho ,  Joo-Tae Moon ,  Sang-Gyun Woo ,  Gi-Sung Yeo ,  Kyoung-Yun Baek

    IPC分类号： H01L27/108

    CPC分类号： H01L27/10814 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/11502

    摘要： A semiconductor memory device may include a substrate having a plurality of active regions wherein each active region has a length in a direction of a first axis and a width in a direction of a second axis. The length may be greater than the width, and the plurality of active regions may be provided in a plurality of columns of active regions in the direction of the second axis. A plurality of wordline pairs may be provided on the substrate, with each wordline pair crossing active regions of a respective column of active regions defining a drain portion of each active region between wordlines of the respective wordline pair. A plurality of bitlines on the substrate may cross the plurality of wordline pairs, with each bitline being electrically coupled to a respective drain portion of an active region of each column, and with each bitline being arranged between the respective drain portion and another drain portion of an adjacent active region of the same column.

    摘要翻译： 半导体存储器件可以包括具有多个有源区的衬底，其中每个有源区具有在第一轴的方向上的长度和在第二轴的方向上的宽度。 长度可以大于宽度，并且多个有源区可以在第二轴的方向上设置在多个有效区列中。 可以在衬底上提供多个字线对，其中每个字线对跨越相应的有效区域列的有源区域，在相应字线对的字线之间限定每个有效区域的漏极部分。 衬底上的多个位线可以跨过多个字线对，每个位线电耦合到每个列的有源区的相应漏极部分，并且每个位线布置在相应的漏极部分和另一个漏极部分的另一个漏极部分之间 相同列的相邻有效区域。