公开(公告)号：US09252226B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13367061

申请日：2012-02-06

申请人： Do-Hyun Kim ,  Yoon Ho Khang ,  Dong-Hoon Lee ,  Sang Ho Park ,  Se Hwan Yu ,  Cheol Kyu Kim ,  Yong-Su Lee ,  Sung Haeng Cho ,  Chong Sup Chang ,  Dong Jo Kim ,  Jung Kyu Lee

发明人： Do-Hyun Kim ,  Yoon Ho Khang ,  Dong-Hoon Lee ,  Sang Ho Park ,  Se Hwan Yu ,  Cheol Kyu Kim ,  Yong-Su Lee ,  Sung Haeng Cho ,  Chong Sup Chang ,  Dong Jo Kim ,  Jung Kyu Lee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

摘要： Provided is a thin film transistor array panel. The thin film transistor array panel according to exemplary embodiments of the present invention includes: a gate wiring layer disposed on a substrate; an oxide semiconductor layer disposed on the gate wiring layer; and a data wiring layer disposed on the oxide semiconductor layer, in which the data wiring layer includes a main wiring layer including copper and a capping layer disposed on the main wiring layer and including a copper alloy.

摘要翻译： 提供了一种薄膜晶体管阵列面板。 根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括：设置在基板上的栅极布线层; 设置在所述栅极布线层上的氧化物半导体层; 以及数据布线层，其设置在所述氧化物半导体层上，所述数据布线层包括包含铜的主布线层和设置在所述主布线层上并包括铜合金的覆盖层。

公开(公告)号：US09025118B2

公开(公告)日：2015-05-05

申请号：US13619120

申请日：2012-09-14

申请人： Jung-Kyu Lee ,  Yoon-Ho Khang ,  Se-Hwan Yu ,  Cheol-Kyu Kim ,  Yong-Su Lee ,  Chong-Sup Chang ,  Sang-Ho Park ,  Su-Hyoung Kang ,  Hyun-Jae Na ,  Young-Ki Shin

发明人： Jung-Kyu Lee ,  Yoon-Ho Khang ,  Se-Hwan Yu ,  Cheol-Kyu Kim ,  Yong-Su Lee ,  Chong-Sup Chang ,  Sang-Ho Park ,  Su-Hyoung Kang ,  Hyun-Jae Na ,  Young-Ki Shin

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/1288

摘要： A display substrate includes a base substrate, a switching element, a gate line, a data line and a pixel electrode. Each of the gate line and the data line includes a first metal layer, and a second metal layer directly on the first metal layer. The switching element is on the base substrate, and includes a control electrode and an input electrode or an output electrode. The control electrode includes the first metal layer and excludes the second metal layer, and extends from the gate line. The input electrode or the output electrode includes a second metal layer and excludes the first metal layer. The input electrode extends from the data line. The pixel electrode is electrically connected to the output electrode of the switching element through a first contact hole, and includes a transparent conductive layer.

摘要翻译： 显示基板包括基底基板，开关元件，栅极线，数据线和像素电极。 栅极线和数据线中的每一个包括第一金属层和直接在第一金属层上的第二金属层。 开关元件在基底基板上，并且包括控制电极和输入电极或输出电极。 控制电极包括第一金属层，并且不包括第二金属层，并且从栅极线延伸。 输入电极或输出电极包括第二金属层，并且不包括第一金属层。 输入电极从数据线延伸。 像素电极通过第一接触孔电连接到开关元件的输出电极，并且包括透明导电层。

公开(公告)号：US08929269B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13537313

申请日：2012-06-29

申请人： Yong-Su Lee

发明人： Yong-Su Lee

IPC分类号： H04H20/71 ,  H04B7/00 ,  H04W4/00

CPC分类号： H04W76/40 ,  H04W4/06 ,  H04W64/00

摘要： A method of configuring a multicast/broadcast service (MBS) zone in a base station is provided. The method includes determining whether terminals connected for communication are positioned in a boundary area of a cell by calculating positions of the terminals, and deciding an MBS zone of the terminals positioned in the boundary area of the cell.

摘要翻译： 提供了一种在基站中配置多播/广播服务（MBS）区域的方法。 该方法包括：通过计算终端的位置，确定终端连接的终端是否位于小区的边界区域，以及确定位于小区边界区域中的终端的MBS区域。

公开(公告)号：US08664654B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13553418

申请日：2012-07-19

申请人： Yong Su Lee ,  Yoon Ho Khang ,  Dong Jo Kim ,  Hyun Jae Na ,  Sang Ho Park ,  Se Hwan Yu ,  Chong Sup Chang

发明人： Yong Su Lee ,  Yoon Ho Khang ,  Dong Jo Kim ,  Hyun Jae Na ,  Sang Ho Park ,  Se Hwan Yu ,  Chong Sup Chang

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/385 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor, a thin film transistor array panel including the same, and a method of manufacturing the same are provided, wherein the thin film transistor includes a channel region including an oxide semiconductor, a source region and a drain region connected to the channel region and facing each other at both sides with respect to the channel region, an insulating layer positioned on the channel region, and a gate electrode positioned on the insulating layer, wherein an edge boundary of the gate electrode and an edge boundary of the channel region are substantially aligned.

摘要翻译： 提供一种薄膜晶体管，包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，其中薄膜晶体管包括沟道区，该沟道区包括氧化物半导体，源极区和连接到沟道的漏极区 区域，并且相对于沟道区域在两侧面对，位于沟道区域上的绝缘层和位于绝缘层上的栅电极，其中栅电极的边缘边界和沟道区域的边缘边界 基本对齐。

公开(公告)号：US20130260105A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13596421

申请日：2012-08-28

申请人： Yong-Su LEE ,  Hyang-Shik KONG ,  Yoon-Ho KHANG ,  Se-Hwan YU

发明人： Yong-Su LEE ,  Hyang-Shik KONG ,  Yoon-Ho KHANG ,  Se-Hwan YU

IPC分类号： B32B3/02 ,  C03C21/00 ,  B32B17/00

CPC分类号： B32B17/10137 ,  B32B17/10036 ,  C03B33/074 ,  C03C17/06 ,  C03C17/225 ,  C03C17/23 ,  C03C21/002 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/214 ,  C03C2217/26 ,  C03C2217/281 ,  C03C2218/33 ,  Y02P40/57 ,  Y10T428/24777

摘要： In a method of manufacturing a glass plate for a display device, a protection film is formed on a mother glass plate. The protection film is patterned to form a protection film pattern which prevents ion exchange. Chemically strengthening the mother glass plate includes exchanging alkaline ions of the mother glass plate including the protection film pattern are exchanged with metal ions of a molten salt to form a first chemically strengthened portion, a non-strengthened portion and a second chemically strengthened portion. The upper surface of the protection film pattern is cut in the scribe line area to separate the glass plate at the non-strengthened portion of the mother glass plate, from the mother glass plate.

摘要翻译： 在制造显示装置用玻璃板的方法中，在母玻璃板上形成保护膜。 保护膜被图案化以形成防止离子交换的保护膜图案。 化学强化母玻璃板包括将包括保护膜图案的母玻璃板的碱性离子与熔融盐的金属离子交换以形成第一化学强化部分，非增强部分和第二化学强化部分。 保护膜图案的上表面在划线区域被切割，以将母玻璃板的非加强部分处的玻璃板与母玻璃板分离。

公开(公告)号：US20130256652A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13553418

申请日：2012-07-19

申请人： Yong Su LEE ,  Yoon Ho Khang ,  Dong Jo Kim ,  Hyun Jae Na ,  Sang Ho Park ,  Se Hwan Yu ,  Chong Sup Chang

发明人： Yong Su LEE ,  Yoon Ho Khang ,  Dong Jo Kim ,  Hyun Jae Na ,  Sang Ho Park ,  Se Hwan Yu ,  Chong Sup Chang

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/385 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor, a thin film transistor array panel including the same, and a method of manufacturing the same are provided, wherein the thin film transistor includes a channel region including an oxide semiconductor, a source region and a drain region connected to the channel region and facing each other at both sides with respect to the channel region, an insulating layer positioned on the channel region, and a gate electrode positioned on the insulating layer, wherein an edge boundary of the gate electrode and an edge boundary of the channel region are substantially aligned.

公开(公告)号：US20130105826A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13619120

申请日：2012-09-14

申请人： Jung-Kyu Lee ,  Yoon-Ho Khang ,  Se-Hwan Yu ,  Cheol-Kyu Kim ,  Yong-Su Lee ,  Chong-Sup Chang ,  Sang-Ho Park ,  Su-Hyoung Kang ,  Hyun-Jae Na ,  Young-Ki Shin

发明人： Jung-Kyu Lee ,  Yoon-Ho Khang ,  Se-Hwan Yu ,  Cheol-Kyu Kim ,  Yong-Su Lee ,  Chong-Sup Chang ,  Sang-Ho Park ,  Su-Hyoung Kang ,  Hyun-Jae Na ,  Young-Ki Shin

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/1288

摘要： A display substrate includes a base substrate, a switching element, a gate line, a data line and a pixel electrode. Each of the gate line and the data line includes a first metal layer, and a second metal layer directly on the first metal layer. The switching element is on the base substrate, and includes a control electrode and an input electrode or an output electrode. The control electrode includes the first metal layer and excludes the second metal layer, and extends from the gate line. The input electrode or the output electrode includes a second metal layer and excludes the first metal layer. The input electrode extends from the data line. The pixel electrode is electrically connected to the output electrode of the switching element through a first contact hole, and includes a transparent conductive layer.

摘要翻译： 显示基板包括基底基板，开关元件，栅极线，数据线和像素电极。 栅极线和数据线中的每一个包括第一金属层和直接在第一金属层上的第二金属层。 开关元件在基底基板上，并且包括控制电极和输入电极或输出电极。 控制电极包括第一金属层，并且不包括第二金属层，并且从栅极线延伸。 输入电极或输出电极包括第二金属层，并且不包括第一金属层。 输入电极从数据线延伸。 像素电极通过第一接触孔电连接到开关元件的输出电极，并且包括透明导电层。

公开(公告)号：US20130093985A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13409910

申请日：2012-03-01

申请人： SU-HYOUNG KANG ,  Yoon Ho Khang ,  Se Hwan Yu ,  Yong Su Lee ,  Chong Sup Chang

发明人： SU-HYOUNG KANG ,  Yoon Ho Khang ,  Se Hwan Yu ,  Yong Su Lee ,  Chong Sup Chang

IPC分类号： G02F1/1335 ,  H01L33/08 ,  G02F1/1333 ,  B82Y99/00

CPC分类号： G02F1/133377 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1341

摘要： A liquid crystal display is provided. The liquid crystal display includes a substrate. A thin film transistor is disposed on the substrate. A passivation layer is disposed on the thin film transistor. A pixel electrode is disposed on the passivation layer. A minute space layer is disposed on the pixel electrode and includes a liquid crystal injection hole. A first overcoat is disposed on the minute space layer. A common electrode is disposed on the first overcoat. A capping layer covers the liquid crystal injection hole. The capping layer includes graphene.

摘要翻译： 提供液晶显示器。 液晶显示器包括基板。 薄膜晶体管设置在基板上。 钝化层设置在薄膜晶体管上。 像素电极设置在钝化层上。 在像素电极上设置有微小的空间层，并且包括液晶注入孔。 第一外涂层设置在微小空间层上。 公共电极设置在第一外涂层上。 盖层覆盖液晶注入孔。 封盖层包括石墨烯。

公开(公告)号：US20130092942A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13559931

申请日：2012-07-27

申请人： SANG HO PARK ,  Yoon Ho Khang ,  Se Hwan Yu ,  Yong Su Lee ,  Chong Sup Chang ,  Myoung Geun Cha ,  Hyun Jae Na

发明人： SANG HO PARK ,  Yoon Ho Khang ,  Se Hwan Yu ,  Yong Su Lee ,  Chong Sup Chang ,  Myoung Geun Cha ,  Hyun Jae Na

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

摘要： A thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present disclosure includes: an insulating substrate; a gate electrode disposed on the insulating substrate; a gate insulating layer disposed on the gate electrode; a semiconductor disposed on the gate insulating layer; a source electrode and a drain electrode disposed on the semiconductor; an ohmic contact layer disposed at an interface between at least one of the source and drain electrodes and the semiconductor. Surface heights of the source and drain electrodes different, while surface heights of the semiconductor and the ohmic contact layer are the same. The ohmic contact layer is made of a silicide of a metal used for the source and drain electrodes.

摘要翻译： 根据本公开的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板; 设置在所述绝缘基板上的栅电极; 设置在栅电极上的栅极绝缘层; 设置在所述栅极绝缘层上的半导体; 设置在半导体上的源电极和漏电极; 欧姆接触层设置在源电极和漏电极中的至少一个与半导体之间的界面处。 源极和漏极的表面高度不同，而半导体和欧姆接触层的表面高度相同。 欧姆接触层由用于源极和漏极的金属的硅化物制成。

公开(公告)号：US20130001573A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13418172

申请日：2012-03-12

申请人： Yong-Su LEE ,  Yoon-Ho KHANG ,  Se-Hwan YU ,  Su-Hyoung KANG

发明人： Yong-Su LEE ,  Yoon-Ho KHANG ,  Se-Hwan YU ,  Su-Hyoung KANG

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/78642 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor including a gate electrode, a semiconductor layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and a graphene pattern. The semiconductor layer overlaps with the gate electrode. The gate insulating layer is disposed between the gate electrode and the semiconductor layer. The source electrode overlaps with the semiconductor layer. The drain electrode overlaps with the semiconductor layer. The drain electrode is spaced apart from the source electrode. The graphene pattern is disposed between the semiconductor layer and at least one of the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括栅电极，半导体层，栅极绝缘层，源电极，漏电极和石墨烯图案。 半导体层与栅电极重叠。 栅极绝缘层设置在栅电极和半导体层之间。 源电极与半导体层重叠。 漏电极与半导体层重叠。 漏电极与源电极间隔开。 石墨烯图案设置在半导体层与源电极和漏电极中的至少一个之间。