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公开(公告)号：US20100193951A1
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：US12693930
申请日：2010-01-26
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/18 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , H01L21/76871
摘要： Compositions and methods for forming a metal-containing thin film on a substrate. A reactor and at least one substrate in the reactor are provided. A metal-containing bis-β-diketiminate precursor is introduced into the reactor. The reactor is maintained at a set temperature and pressure, and the precursor is contacted with the substrate to form a metal-containing film on the substrate.
摘要翻译： 在基材上形成含金属薄膜的组合物和方法。 提供反应器和反应器中的至少一个基板。 将含金属的双 - 二氮嗪酮前体引入反应器。 将反应器保持在设定的温度和压力下，并将前体与基底接触以在基底上形成含金属的膜。
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公开(公告)号：US08974758B2
公开(公告)日：2015-03-10
申请号：US13319281
申请日：2010-04-30
CPC分类号： B01D53/02 , B01D2253/108 , B01D2253/112 , B01D2257/30 , B01D2257/304 , B01D2257/504 , B01D2257/80 , B01D2259/4143 , B01D2259/4145 , B01J20/0244 , B01J20/18 , B01J20/28052 , B01J2220/42 , B01J2220/56 , C01B17/0408 , Y02C10/08 , Y02P20/152
摘要： Disclosed is a process to purify COS and remove H2S without hydrolyzing or trapping the desired COS product.
摘要翻译： 公开了一种净化COS并除去H 2 S而不水解或捕获所需的COS产物的方法。
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23.发明申请Preparation of Lanthanide-Containing Precursors and Deposition of Lanthanide-Containing Films 审中-公开含镧系元素前体的制备和含镧系元素膜的沉积公开(公告)号：US20100078601A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：US12414152
申请日：2009-03-30
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C16/44 , C23C16/00 , H01B1/22 , C07F5/00
摘要： Methods and compositions for depositing rare earth metal-containing layers are described herein. In general, the disclosed methods deposit the precursor compounds comprising rare earth-containing compounds using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition. In certain embodiments, the disclosed precursor compounds include a cyclopentadienyl ligand having at least one aliphatic group as a substituent.
摘要翻译： 本文描述了用于沉积含稀土金属的层的方法和组合物。 通常，所公开的方法使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积包含稀土含量化合物的前体化合物。 在某些实施方案中，所公开的前体化合物包括具有至少一个脂族基团作为取代基的环戊二烯基配位体。
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公开(公告)号：US20120051995A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：US13319281
申请日：2010-04-30
IPC分类号： C01B31/26
CPC分类号： B01D53/02 , B01D2253/108 , B01D2253/112 , B01D2257/30 , B01D2257/304 , B01D2257/504 , B01D2257/80 , B01D2259/4143 , B01D2259/4145 , B01J20/0244 , B01J20/18 , B01J20/28052 , B01J2220/42 , B01J2220/56 , C01B17/0408 , Y02C10/08 , Y02P20/152
摘要： Disclosed is a process to purify COS and remove H2S without hydrolyzing or trapping the desired COS product.
摘要翻译： 公开了一种净化COS并除去H 2 S而不水解或捕获所需的COS产物的方法。
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公开(公告)号：US08088938B2
公开(公告)日：2012-01-03
申请号：US12340888
申请日：2008-12-22
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4481
摘要： Methods of storing a precursor which decreases the precursor decomposition rate. A vessel is provided, where the vessel has an outer surface made of a first material, and an inner surface made of a second material. The first and second materials are different. A tantalum containing precursor is placed inside the vessel, and the vessel is heated to a temperature between 60° C. and 150° C. At least part of the precursor is withdrawn from the vessel.
摘要翻译： 存储降低前体分解速率的前体的方法。 提供容器，其中容器具有由第一材料制成的外表面和由第二材料制成的内表面。 第一和第二种材料是不同的。 将含钽的前体放置在容器内，并将容器加热至60℃至150℃之间的温度。将至少部分前体从容器中取出。
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公开(公告)号：US20090163732A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：US12340888
申请日：2008-12-22
IPC分类号： C07F9/00
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4481
摘要： Methods of storing a precursor which decreases the precursor decomposition rate. A vessel is provided, where the vessel has an outer surface made of a first material, and an inner surface made of a second material. The first and second materials are different. A tantalum containing precursor is placed inside the vessel, and the vessel is heated to a temperature between 60° C. and 150° C. At least part of the precursor is withdrawn from the vessel.
摘要翻译： 存储降低前体分解速率的前体的方法。 提供容器，其中容器具有由第一材料制成的外表面和由第二材料制成的内表面。 第一和第二种材料是不同的。 将含钽的前体放置在容器内，并将容器加热至60℃至150℃之间的温度。将至少部分前体从容器中取出。
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公开(公告)号：US08470402B2
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：US13009958
申请日：2011-01-20
IPC分类号： C23C16/40
CPC分类号： H01L21/02205 , C07F7/00 , C07F7/003 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/308 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45553 , H01L21/02148 , H01L21/02159 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02194 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31641 , H01L21/31645
摘要： Methods of depositing a metal containing dielectric film on a substrate are disclosed. The metal containing dielectric film has the formula (M11-a M2a) Ob Nc, wherein 0≦a
摘要翻译： 公开了在基片上沉积含金属介电膜的方法。 含金属的介电膜具有式（M11-a M2a）Ob Nc，其中0≤a<1,0
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28.发明授权Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing 有权基于新型钛，锆和铪前体形成高k电介质膜的方法及其在半导体制造中的应用公开(公告)号：US08399056B2
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：US12303165
申请日：2006-06-02
IPC分类号： C23C16/40
CPC分类号： H01L21/02205 , C07F7/00 , C07F7/003 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/308 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45553 , H01L21/02148 , H01L21/02159 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02194 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31641 , H01L21/31645
摘要： A method of forming on at least one support at least one metal containing dielectric films having the formula (M11-a M2a) Ob Nc, wherein: 0≦a
摘要翻译： 一种在至少一种载体上形成至少一种含金属的介电膜的方法，所述介电膜具有式（M11-a M2a）Ob Nc，其中：0＆nlE; a1,01和M2是金属Hf，Zr或Ti，使用具有戊二烯基 配体和/或环戊二烯基配体。
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公开(公告)号：US20130042790A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：US13576016
申请日：2011-02-17
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/30 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02274
摘要： Disclosed are precursors that are adapted to deposit SiCOH films with dielectric constant and Young's Modulus suitable for future generation dielectric films.
摘要翻译： 公开了适于沉积具有介电常数的SiCOH膜的前体，并且适用于下一代介电膜的杨氏模量。
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公开(公告)号：US20120145953A1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：US13378093
申请日：2010-06-30
CPC分类号： C23C16/45553 , C23C16/40 , C23C16/409 , C23C16/45531
摘要： Disclosed are lithium-containing compounds and methods of utilizing the same. The disclosed compounds may be used to deposit alkali metal-containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition. In certain embodiments, the lithium-containing compounds include a ligand and at least one aliphatic group as substituents selected to have greater degrees of freedom than the usual substituent.
摘要翻译： 公开了含锂化合物及其利用方法。 所公开的化合物可以使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积含碱金属的层。 在某些实施方案中，含锂化合物包括配体和至少一个脂族基团，其被选择为具有比常规取代基更大的自由度。
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