公开(公告)号：US20060046520A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10931609

申请日：2004-09-01

申请人： Deenesh Padhi ,  Sohyun Park ,  Ganesh Balasubramanian ,  Juan Rocha-Alvarez ,  Li-Qun Xia ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Deenesh Padhi ,  Sohyun Park ,  Ganesh Balasubramanian ,  Juan Rocha-Alvarez ,  Li-Qun Xia ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31633 ,  C23C16/029 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76841

摘要： A method of forming a graded dielectric layer on an underlying layer including flowing a mixture of a silicon-carbon containing gas, an oxygen containing gas and a carrier gas through a showerhead comprising a blocking plate and a faceplate to form an oxide rich portion of the graded dielectric layer, where the silicon-carbon containing gas has an initial flow rate, flowing the silicon-carbon containing gas at a first intermediate flow rate for about 0.5 seconds or longer, where the first intermediate flow rate is higher than the initial flow rate, and flowing the silicon-carbon containing gas at a fastest flow rate higher than the first intermediate flow rate to form a carbon rich portion of the graded dielectric layer.

摘要翻译： 一种在下层上形成渐变电介质层的方法，包括使含硅碳的气体，含氧气体和载体气体的混合物流过包括阻挡板和面板的喷头，以形成氧化物富集部分 其中含硅碳的气体具有初始流速，使含硅碳的气体以第一中间流速流动约0.5秒或更长，其中第一中间流速高于初始流速 并且使含硅碳的气体以比第一中间流速高的最快流速流动，以形成渐变电介质层的富碳部分。

公开(公告)号：US20120204795A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13456447

申请日：2012-04-26

申请人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： C23C16/50

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404

摘要： An article having a protective coating for use in semiconductor applications and methods for making the same are provided. In certain embodiments, a method of coating an aluminum surface of an article utilized in a semiconductor processing chamber is provided. The method comprises providing a processing chamber; placing the article into the processing chamber; flowing a first gas comprising a carbon source into the processing chamber; flowing a second gas comprising a nitrogen source into the processing chamber; forming a plasma in the chamber; and depositing a coating material on the aluminum surface. In certain embodiments, the coating material comprises an amorphous carbon nitrogen containing layer. In certain embodiments, the article comprises a showerhead configured to deliver a gas to the processing chamber.

摘要翻译： 提供了具有用于半导体应用的保护涂层的制品及其制造方法。 在某些实施例中，提供了在半导体处理室中使用的制品的铝表面的涂覆方法。 该方法包括提供处理室; 将物品放入处理室; 将包含碳源的第一气体流入所述处理室; 将包含氮源的第二气体流入所述处理室; 在室内形成等离子体; 以及在铝表面上沉积涂层材料。 在某些实施方案中，涂层材料包含无定形含碳氮层。 在某些实施例中，制品包括构造成将气体输送到处理室的喷头。

公开(公告)号：US07514125B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US11680278

申请日：2007-02-28

申请人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404

摘要： Methods of making an article having a protective coating for use in semiconductor applications are provided. In certain embodiments, a method of coating an aluminum surface of an article utilized in a semiconductor processing chamber is provided. The method comprises providing a processing chamber; placing the article into the processing chamber; flowing a first gas comprising a carbon source into the processing chamber; flowing a second gas comprising a nitrogen source into the processing chamber; forming a plasma in the chamber; and depositing a coating material on the aluminum surface. In certain embodiments, the coating material comprises an amorphous carbon nitrogen containing layer. In certain embodiments, the article comprises a showerhead configured to deliver a gas to the processing chamber.

摘要翻译： 提供制造具有用于半导体应用中的保护涂层的制品的方法。 在某些实施例中，提供了在半导体处理室中使用的制品的铝表面的涂覆方法。 该方法包括提供处理室; 将物品放入处理室; 将包含碳源的第一气体流入所述处理室; 将包含氮源的第二气体流入所述处理室; 在室内形成等离子体; 以及在铝表面上沉积涂层材料。 在某些实施方案中，涂层材料包含无定形含碳氮层。 在某些实施例中，制品包括构造成将气体输送到处理室的喷头。

公开(公告)号：US20070295272A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11680278

申请日：2007-02-28

申请人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404

摘要： An article having a protective coating for use in semiconductor applications and methods for making the same are provided. In certain embodiments, a method of coating an aluminum surface of an article utilized in a semiconductor processing chamber is provided. The method comprises providing a processing chamber; placing the article into the processing chamber; flowing a first gas comprising a carbon source into the processing chamber; flowing a second gas comprising a nitrogen source into the processing chamber; forming a plasma in the chamber; and depositing a coating material on the aluminum surface. In certain embodiments, the coating material comprises an amorphous carbon nitrogen containing layer. In certain embodiments, the article comprises a showerhead configured to deliver a gas to the processing chamber.

摘要翻译： 提供了具有用于半导体应用的保护涂层的制品及其制造方法。 在某些实施例中，提供了在半导体处理室中使用的制品的铝表面的涂覆方法。 该方法包括提供处理室; 将物品放入处理室; 将包含碳源的第一气体流入所述处理室; 将包含氮源的第二气体流入所述处理室; 在室内形成等离子体; 以及在铝表面上沉积涂层材料。 在某些实施方案中，涂层材料包含无定形含碳氮层。 在某些实施例中，制品包括构造成将气体输送到处理室的喷头。

公开(公告)号：US20050263248A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US11131010

申请日：2005-05-16

申请人： Juan Rocha-Alvarez ,  Ganesh Balasubramanian ,  Tom Cho ,  Deenesh Padhi ,  Thomas Nowak ,  Bok Kim ,  Hichem M'Saad ,  Daemian Raj

发明人： Juan Rocha-Alvarez ,  Ganesh Balasubramanian ,  Tom Cho ,  Deenesh Padhi ,  Thomas Nowak ,  Bok Kim ,  Hichem M'Saad ,  Daemian Raj

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： Apparatus and methods for distributing gases into a processing chamber are disclosed. In one embodiment, the apparatus includes a gas distribution plate having a plurality of apertures disposed therethrough and a blocker plate having both a plurality of apertures disposed therethrough and a plurality of feed through passageways disposed therein. A first gas pathway delivers a first gas through the plurality of apertures in the blocker plate and the gas distribution plate. A bypass gas pathway delivers a second gas through the plurality of feed through passageways in the blocker plate and to areas around the blocker plate prior to the second gas passing through the gas distribution plate.

摘要翻译： 公开了将气体分配到处理室中的装置和方法。 在一个实施例中，该装置包括一个气体分配板，该气体分配板具有穿过其中的多个孔，以及一个阻挡板，其具有设置在其间的多个孔和设置在其中的多个进给通道。 第一气体通道通过阻挡板和气体分配板中的多个孔传送第一气体。 旁路气体通道在第二气体通过气体分配板之前，通过多个进料通过阻挡板中的通道和阻塞板周围的区域输送第二气体。

公开(公告)号：US20080084650A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11866646

申请日：2007-10-03

申请人： Ganesh Balasubramanian ,  Amit Bansal ,  Eller Juco ,  Mohamad Ayoub ,  Hyung-Joon Kim ,  Karthik Janakiraman ,  Sudha Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Martin Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Kim ,  Amir Al-Bayati ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad ,  Anton Baryshnikov ,  Chiu Chan ,  Shuang Liu

发明人： Ganesh Balasubramanian ,  Amit Bansal ,  Eller Juco ,  Mohamad Ayoub ,  Hyung-Joon Kim ,  Karthik Janakiraman ,  Sudha Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Martin Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Kim ,  Amir Al-Bayati ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad ,  Anton Baryshnikov ,  Chiu Chan ,  Shuang Liu

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6831 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

摘要： The present invention generally provides methods and apparatus for monitoring and maintaining flatness of a substrate in a plasma reactor. Certain embodiments of the present invention provide a method for processing a substrate comprising positioning the substrate on an electrostatic chuck, applying an RF power between the an electrode in the electrostatic chuck and a counter electrode positioned parallel to the electrostatic chuck, applying a DC bias to the electrode in the electrostatic chuck to clamp the substrate on the electrostatic chuck, and measuring an imaginary impedance of the electrostatic chuck.

摘要翻译： 本发明通常提供了用于监测和维持等离子体反应器中的基板的平坦度的方法和装置。 本发明的某些实施例提供了一种处理衬底的方法，包括将衬底定位在静电吸盘上，在静电吸盘中的电极与平行于静电吸盘的对置电极之间施加RF功率，将DC偏压施加到 静电卡盘中的电极将基板夹在静电卡盘上，并测量静电卡盘的假想阻抗。

公开(公告)号：US08282734B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US12255638

申请日：2008-10-21

申请人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/32 ,  B05C11/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404

摘要： An article having a protective coating for use in semiconductor applications and methods for making the same are provided. In certain embodiments, a method of coating an aluminum surface of an article utilized in a semiconductor processing chamber is provided. The method comprises providing a processing chamber; placing the article into the processing chamber; flowing a first gas comprising a carbon source into the processing chamber; flowing a second gas comprising a nitrogen source into the processing chamber; forming a plasma in the chamber; and depositing a coating material on the aluminum surface. In certain embodiments, the coating material comprises an amorphous carbon nitrogen containing layer. In certain embodiments, the article comprises a showerhead configured to deliver a gas to the processing chamber.

摘要翻译： 提供了具有用于半导体应用的保护涂层的制品及其制造方法。 在某些实施例中，提供了在半导体处理室中使用的制品的铝表面的涂覆方法。 该方法包括提供处理室; 将物品放入处理室; 将包含碳源的第一气体流入所述处理室; 将包含氮源的第二气体流入所述处理室; 在室内形成等离子体; 以及在铝表面上沉积涂层材料。 在某些实施方案中，涂层材料包含无定形含碳氮层。 在某些实施例中，制品包括构造成将气体输送到处理室的喷头。

公开(公告)号：US20070042131A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11208835

申请日：2005-08-22

申请人： Jyr Hong Soo ,  Vu Ngoc Nguyen ,  Steven Reiter ,  Jason Foster ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad

发明人： Jyr Hong Soo ,  Vu Ngoc Nguyen ,  Steven Reiter ,  Jason Foster ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H05H1/24 ,  B05C11/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32935

摘要： Methods and systems of diagnosing an arcing problem in a semiconductor wafer processing chamber are described. The methods may include coupling a voltage probe to a process-gas distribution faceplate in the processing chamber, and activating an RF power source to generate a plasma between the faceplate and a substrate wafer. The methods may also include measuring the DC bias voltage of the faceplate as a function of time during the activation of the RF power source, where a spike in the measured voltage at the faceplate indicates an arcing event has occurred in the processing chamber. Methods and systems to reduce arcing in a semiconductor wafer processing chamber are also described.

摘要翻译： 描述了在半导体晶片处理室中诊断电弧问题的方法和系统。 所述方法可以包括将电压探针耦合到处理室中的处理气体分布面板，以及激活RF功率源以在面板和衬底晶片之间产生等离子体。 所述方法还可以包括在激活RF功率源期间测量面板的DC偏置电压作为时间的函数，其中面板中测量的电压的尖峰表示在处理室中发生了电弧事件。 还描述了用于减少半导体晶片处理室中的电弧的方法和系统。

公开(公告)号：US08382885B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12914822

申请日：2010-10-28

申请人： Dustin W. Ho ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Hichem M'Saad

发明人： Dustin W. Ho ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： B01D53/02

CPC分类号： C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/52

摘要： A filter for filtering a fluid in a substrate processing apparatus comprises first and second stages that are connected to one another. A delivery system provides a vaporized liquid to the filter. The first stage of the filter comprises a basic compound, and the second stage of the filter comprises a desiccant. A second filter comprises a permeation filter with permeable membrane to filter the fluid. Methods of filtering the fluid to reduce formation of undesirable process residues using the filter(s) are also described.

摘要翻译： 用于过滤衬底处理设备中的流体的过滤器包括彼此连接的第一和第二阶段。 输送系统向过滤器提供蒸发的液体。 过滤器的第一阶段包括碱性化合物，并且过滤器的第二阶段包括干燥剂。 第二过滤器包括具有可渗透膜的渗透过滤器以过滤流体。 还描述了使用过滤器过滤流体以减少不期望的工艺残余物的形成的方法。

公开(公告)号：US07777197B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11425974

申请日：2006-06-22

申请人： Amir Al-Bayati ,  Lester A. D'Cruz ,  Alexandros T. Demos ,  Dale R. Dubois ,  Khaled A. Elsheref ,  Naoyuki Iwasaki ,  Hichem M'Saad ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Ashish Shah ,  Takashi Shimizu

发明人： Amir Al-Bayati ,  Lester A. D'Cruz ,  Alexandros T. Demos ,  Dale R. Dubois ,  Khaled A. Elsheref ,  Naoyuki Iwasaki ,  Hichem M'Saad ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Ashish Shah ,  Takashi Shimizu

IPC分类号： G01N23/00

CPC分类号： H01J37/317 ,  B23K15/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/026 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/3156 ,  H01J2237/316 ,  H01J2237/3165 ,  H01L21/67115

摘要： Methods and apparatus for electron beam treatment of a substrate are provided. An electron beam apparatus that includes a vacuum chamber, at least one thermocouple assembly in communication with the vacuum chamber, a heating device in communication with the vacuum chamber, and combinations thereof are provided. In one embodiment, the vacuum chamber comprises an electron source wherein the electron source comprises a cathode connected to a high voltage source, an anode connected to a low voltage source, and a substrate support. In another embodiment, the vacuum chamber comprises a grid located between the anode and the substrate support. In one embodiment the heating device comprises a first parallel light array and a second light array positioned such that the first parallel light array and the second light array intersect. In one embodiment the thermocouple assembly comprises a temperature sensor made of aluminum nitride.

摘要翻译： 提供了用于基板的电子束处理的方法和装置。 提供了一种电子束装置，其包括真空室，至少一个与真空室连通的热电偶组件，与真空室连通的加热装置及其组合。 在一个实施例中，真空室包括电子源，其中电子源包括连接到高电压源的阴极，连接到低电压源的阳极和衬底支撑件。 在另一个实施例中，真空室包括位于阳极和基板支撑件之间的格栅。 在一个实施例中，加热装置包括第一平行光阵列和第二光阵列，其定位成使得第一平行光阵列和第二光阵列相交。 在一个实施例中，热电偶组件包括由氮化铝制成的温度传感器。