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    Magnetic sensor
    24.
    发明授权
    Magnetic sensor 失效
    磁传感器

    公开(公告)号：US07084624B2

    公开(公告)日：2006-08-01

    申请号：US10495127

    申请日：2003-02-14

    申请人： Yoshinori Tokura ,  Masashi Kawasaki ,  Hiroyuki Yamada ,  Yoshihiro Ogawa ,  Yoshio Kaneko

    发明人： Yoshinori Tokura ,  Masashi Kawasaki ,  Hiroyuki Yamada ,  Yoshihiro Ogawa ,  Yoshio Kaneko

    IPC分类号： G01R33/02

    CPC分类号： G11C13/06 ,  G01R33/0325 ,  G01R33/095 ,  G11B5/1278 ,  G11B11/10547

    摘要： The present invention provides a magnetic sensor capable of reproducing a magnetic record even if the size of a recorded magnetization is a minute one, directly reading a magnetization recorded on a magneto-optical disk without applying incident light itself to the magneto-optical disk, and obtaining signals of a second harmonic having a high S/N ratio. This magnetic sensor includes a magnetic sensor element (102) having electric polarization disposed with respect to a perpendicular recording medium (101), and laser generating means acting on the magnetic sensor element (102). The magnetic sensor reads information in the perpendicular recording medium (101) based on the variation of the rotation angle φ of the polarization plane of a second harmonic (105) of a frequency 2ω exiting the magnetic sensor element (102) by the application of laser light (104) with a frequency ω from the laser generation means to the magnetic sensor element (102).

    摘要翻译： 本发明提供一种能够再现磁记录的磁传感器，即使记录的磁化的大小是微小的，直接读取记录在磁光盘上的磁化而不将入射光本身插入磁光盘，以及 获得具有高S / N比的二次谐波的信号。 该磁传感器包括相对于垂直记录介质（101）设置的具有电极化的磁传感器元件（102）和作用在磁传感器元件（102）上的激光产生装置。 磁传感器基于通过施加激光器离开磁传感器元件（102）的频率为2omega的二次谐波（105）的偏振面的旋转角度phi的变化，读取垂直记录介质（101）中的信息 具有从激光产生装置到磁传感器元件（102）的频率ω的光（104）。

    Transistor and semiconductor device
    26.
    发明申请
    Transistor and semiconductor device 失效
    晶体管和半导体器件

    公开(公告)号：US20050127380A1

    公开(公告)日：2005-06-16

    申请号：US10765901

    申请日：2004-01-29

    申请人： Masashi Kawasaki ,  Hideo Ohno

    发明人： Masashi Kawasaki ,  Hideo Ohno

    IPC分类号： G11C11/401 ,  H01L21/331 ,  H01L27/15 ,  H01L29/22 ,  H01L29/51 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L33/28 ,  H01S5/026 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01S5/0261 ,  H01L27/15 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/28

    摘要： A transistor is provided, which is entirely and partially transparent by the use of a transparent channel layer made of zinc oxide or the like. A channel layer 11 formed of a transparent semiconductor such as zinc oxide ZnO. A transparent electrode is used for all of a source 12, a drain 13 and a gate 14, or a part of them. As the transparent electrode, a transparent conductive material such as conductive ZnO doped with, for example, group III elements is used. As a gate insulating layer 15, a transparent insulative material such as insulative ZnO doped with elements capable of taking a valence of one as a valence number or group V elements is used. If a substrate 16 must be transparent, for example, glass, sapphire, plastic or the like can be used as a transparent material.

    摘要翻译： 提供了通过使用由氧化锌等制成的透明沟道层而完全和部分透明的晶体管。 由诸如氧化锌ZnO的透明半导体形成的沟道层11。 一个透明电极用于所有的源12，漏极13和栅极14或其一部分。 作为透明电极，使用掺杂有例如III族元素的透明导电材料，例如导电ZnO。 作为栅极绝缘层15，使用透明绝缘材料，例如掺杂有能够以1价或1价V价元素为一价元素的绝缘性ZnO。 如果衬底16必须是透明的，例如可以使用玻璃，蓝宝石，塑料等作为透明材料。

    ZnO-based semiconductor device and manufacturing method thereof
    27.
    发明授权
    ZnO-based semiconductor device and manufacturing method thereof 失效
    ZnO系半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08759828B2

    公开(公告)日：2014-06-24

    申请号：US13445593

    申请日：2012-04-12

    申请人： Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki

    发明人： Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki

    IPC分类号： H01L29/22

    CPC分类号： H01L31/108 ,  H01L29/47

    摘要： A ZnO-based semiconductor device includes an n type ZnO-based semiconductor layer, an aluminum oxide film formed on the n type ZnO-based semiconductor layer, and a palladium layer formed on the aluminum oxide film. With this configuration, the n type ZnO-based semiconductor layer and the palladium layer form a Schottky barrier structure.

    摘要翻译： ZnO类半导体器件包括n型ZnO基半导体层，形成在n型ZnO基半导体层上的氧化铝膜和形成在氧化铝膜上的钯层。 利用这种结构，n型ZnO类半导体层和钯层形成肖特基势垒结构。

    Semiconductor device with an active layer containing zinc oxide, manufacturing method, and electronic device
    29.
    发明授权
    Semiconductor device with an active layer containing zinc oxide, manufacturing method, and electronic device 有权
    具有含氧化锌的活性层的半导体器件，制造方法和电子器件

    公开(公告)号：US08093589B2

    公开(公告)日：2012-01-10

    申请号：US10560907

    申请日：2004-06-14

    申请人： Toshinori Sugihara ,  Hideo Ohno ,  Masashi Kawasaki

    发明人： Toshinori Sugihara ,  Hideo Ohno ,  Masashi Kawasaki

    IPC分类号： H01L29/10

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969

    摘要： In a thin film transistor (1), a gate insulating layer (4) is formed on a gate electrode (3) formed on an insulating substrate (2). Formed on the gate insulating layer (4) is a semiconductor layer (5). Formed on the semiconductor layer (5) are a source electrode (6) and a drain electrode (7). A protective layer (8) covers them, so that the semiconductor layer (5) is blocked from an atmosphere. The semiconductor layer (5) (active layer) is made of, e.g., a semiconductor containing polycrystalline ZnO to which, e.g., a group V element is added. This allows practical use of a semiconductor device which has an active layer made of zinc oxide and which includes an protective layer for blocking the active layer from an atmosphere.

    摘要翻译： 在薄膜晶体管（1）中，在形成在绝缘基板（2）上的栅电极（3）上形成栅极绝缘层（4）。 形成在栅极绝缘层（4）上的是半导体层（5）。 形成在半导体层（5）上的是源电极（6）和漏电极（7）。 保护层（8）覆盖它们，使得半导体层（5）被阻挡在大气中。 半导体层（有源层）由例如含有V族元素的多晶ZnO的半导体构成。 这允许实际使用具有由氧化锌制成的有源层的半导体器件，并且其包括用于从大气阻挡有源层的保护层。