公开(公告)号：US20070142204A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11313451

申请日：2005-12-20

申请人： Dong-Sil Park ,  Mark D'Evelyn ,  Myles Peterson ,  John Leman ,  Fred Sharifi

发明人： Dong-Sil Park ,  Mark D'Evelyn ,  Myles Peterson ,  John Leman ,  Fred Sharifi

IPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/58

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785

摘要： A composition including a polycrystalline metal nitride having a number of grains is provided. These grains have a columnar structure with one or more properties such as, an average grain size, a tilt angle, an impurity content, a porosity, a density, and an atomic fraction of the metal in the metal nitride.

摘要翻译： 提供了包含多个晶粒的多晶金属氮化物的组合物。 这些晶粒具有在金属氮化物中具有金属的平均晶粒尺寸，倾斜角，杂质含量，孔隙率，密度和原子分数等一个或多个特性的柱状结构。

公开(公告)号：US20070141819A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11313528

申请日：2005-12-20

申请人： Dong-Sil Park ,  Mark D'Evelyn ,  Myles Peterson ,  John Leman ,  Joell Hibshman ,  Fred Sharifi

发明人： Dong-Sil Park ,  Mark D'Evelyn ,  Myles Peterson ,  John Leman ,  Joell Hibshman ,  Fred Sharifi

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C01B21/06 ,  C01B21/0632

摘要： A method of making a metal nitride is provided. The method may include introducing a metal in a chamber. A nitrogen-containing material may be flowed into the chamber. Further, a hydrogen halide may be introduced. The nitrogen-containing material may react with the metal in the chamber to form the metal nitride.

摘要翻译： 提供了制造金属氮化物的方法。 该方法可以包括在室中引入金属。 含氮材料可以流入室中。 此外，可以引入卤化氢。 含氮材料可与室中的金属反应形成金属氮化物。

公开(公告)号：US20060048699A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11249896

申请日：2005-10-13

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty ,  Huicong Hong

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty ,  Huicong Hong

IPC分类号： C30B28/06 ,  C30B21/02 ,  C30B7/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1096

摘要： An apparatus including a crucible, an energy source, and a controller is provided. The crucible may be sealed to a nitrogen-containing gas, and may be chemically inert to at least ammonia at a temperature in a range of about 400 degrees Celsius to about 2500 degrees Celsius. The energy source may supply thermal energy to the crucible. The controller may control the energy source to selectively direct sufficient thermal energy to a predefined first volume within the crucible to attain and maintain a temperature in the first volume to be in a range of from about 400 degrees Celsius to about 2500 degrees Celsius. The thermal energy may be sufficient to initiate, sustain, or both initiate and sustain growth of a crystal in the first volume. The first temperature in the first volume may be controllable separately from a second temperature in another volume within the crucible. The first temperature and the second temperature differ from each other. Associated methods are provided.

摘要翻译： 提供一种包括坩埚，能量源和控制器的装置。 该坩埚可以密封到含氮气体，并且在约400摄氏度至约2500摄氏度的温度范围内，至少可以在至少氨的化学惰性。 能量源可以向坩埚提供热能。 控制器可以控制能量源以选择性地将足够的热能引导到坩埚内的预定义的第一体积，以获得并将第一体积中的温度维持在从约400摄氏度到约2500摄氏度的范围内。 热能可能足以启动，维持或同时启动和维持晶体在第一体积中的生长。 第一体积中的第一温度可以与坩埚内的另一体积中的第二温度分开控制。 第一温度和第二温度彼此不同。 提供相关方法。

公开(公告)号：US08729559B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13272981

申请日：2011-10-13

申请人： Mike Krames ,  Mark D'Evelyn ,  Rajeev Pakalapati ,  Alex Alexander ,  Derrick Kamber

发明人： Mike Krames ,  Mark D'Evelyn ,  Rajeev Pakalapati ,  Alex Alexander ,  Derrick Kamber

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/06 ,  H01L33/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L33/0075 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/32341

摘要： A relaxed epitaxial AlxInyGa(1-x-y)N layer on a substrate having a semipolar surface orientation includes a plurality of misfit dislocations in portions of the thickness of the epitaxial layer to reduce bi-axial strain to a relaxed state.

摘要翻译： 具有半极性表面取向的衬底上的弛豫外延Al x In y Ga（1-x-y）N层包括在外延层的厚度部分中的多个失配位错，以将双轴应变减小到松弛状态。

公开(公告)号：US20070178039A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11734042

申请日：2007-04-11

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  John Leman

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  John Leman

IPC分类号： C01B19/00 ,  C01G9/08

CPC分类号： C30B7/10 ,  C30B7/00 ,  C30B29/48 ,  C30B35/002 ,  Y10S438/90 ,  Y10T117/1064

摘要： A method for a growing solid-state, spectrometer grade II-VI crystal using a high-pressure hydrothermal process including the following steps: positioning seed crystals in a growth zone of a reactor chamber; positioning crystal nutrient material in the nutrient zone of the chamber; filling the reactor with a solvent fluid; heating and pressuring the chamber until at least a portion of the nutrient material dissolves in the solvent and the solvent becomes supercritical in the nutrient zone; transporting supercritical from the nutrient zone to the growth zone, and growing the seed crystals as nutrients from the supercritical fluid deposit on the crystals.

摘要翻译： 一种使用高压水热法生长的固态光谱仪II-VI级晶体的方法，包括以下步骤：将晶种定位在反应室的生长区中; 将晶体营养物质定位在室的营养区域; 用溶剂流体填充反应器; 加热和加压室，直到营养物质的至少一部分溶解在溶剂中，并且溶剂在营养区域变得超临界; 从营养区向生长区运输超临界，并将晶体作为营养物从超临界流体沉积物生长在晶体上。

公开(公告)号：US20060207497A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11082846

申请日：2005-03-18

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  John Leman

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  John Leman

IPC分类号： C30B7/00 ,  C30B21/02 ,  C30B28/06

CPC分类号： C30B7/10 ,  C30B7/00 ,  C30B29/48 ,  C30B35/002 ,  Y10S438/90 ,  Y10T117/1064

摘要： A method for a growing solid-state, spectrometer grade II-VI crystal using a high-pressure hydrothermal process including the following steps: positioning seed crystals in a growth zone of a reactor chamber; positioning crystal nutrient material in the nutrient zone of the chamber; filling the reactor with a solvent fluid; heating and pressuring the chamber until at least a portion of the nutrient material dissolves in the solvent and the solvent becomes supercritical in the nutrient zone; transporting supercritical from the nutrient zone to the growth zone, and growing the seed crystals as nutrients from the supercritical fluid deposit on the crystals.

摘要翻译： 一种使用高压水热法生长的固态光谱仪II-VI级晶体的方法，包括以下步骤：将晶种定位在反应室的生长区中; 将晶体营养物质定位在室的营养区域; 用溶剂流体填充反应器; 加热和加压室，直到营养物质的至少一部分溶解在溶剂中，并且溶剂在营养区域变得超临界; 从营养区向生长区运输超临界，并将晶体作为营养物从超临界流体沉积物生长在晶体上。

公开(公告)号：US20060037529A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：US11249872

申请日：2005-10-13

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B30/04 ,  C30B28/10 ,  C30B27/02 ,  C30B21/06

CPC分类号： C30B29/403 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1096

摘要： A single crystal or quasi-single crystal including one or more Group III material and an impurity. The impurity includes one or more elements from Group IA, Group IIA, Groups IIIB to VIIB, Group VIII, Group IB, Group IIB, or Group VIIA elements of the periodic table of elements. A composition for forming a crystal is also provided. The composition includes a source material comprising a Group III element, and a flux comprising one or more of P, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Hf, Ta, W, Pt, Au, Hg, Ge, or Sb; or the flux may comprise a rare earth metal.

摘要翻译： 包括一种或多种III族材料和杂质的单晶或准单晶。 杂质包括元素周期表第IA族，第IIA族，第IIIB至VIIB族，VIII族，IB族，IIB族或IIA族元素的一种或多种元素。 还提供了一种用于形成晶体的组合物。 该组合物包括含有III族元素的源材料和包含P，Rb，Cs，Mg，Ca，Sr，Ba，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni中的一种或多种的助熔剂， Cu，Zn，Y，Zr，Nb，Mo，Pd，Ag，Hf，Ta，W，Pt，Au，Hg，Ge或Sb; 或者焊剂可以包括稀土金属。

公开(公告)号：US20050087884A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10693126

申请日：2003-10-24

申请人： Edward Stokes ,  Mark D'Evelyn ,  Stanton Weaver ,  Peter Sandvik ,  Abasifreke Ebong ,  Xian-an Cao ,  Steven LeBoeuf ,  Nikhil Taskar

发明人： Edward Stokes ,  Mark D'Evelyn ,  Stanton Weaver ,  Peter Sandvik ,  Abasifreke Ebong ,  Xian-an Cao ,  Steven LeBoeuf ,  Nikhil Taskar

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/387 ,  H01L2933/0083

摘要： A flip chip light emitting diode die (10, 10′, 10″) includes a light-transmissive substrate (12, 12′, 12″) and semiconductor layers (14, 14′, 14″) that are selectively patterned to define a device mesa (30, 30′, 30″). A reflective electrode (34, 34′, 34″) is disposed on the device mesa (30, 30′, 30″). The reflective electrode (34, 34′, 34″) includes a light-transmissive insulating grid (42, 42′, 60, 80) disposed over the device mesa (30, 30′, 30″), an ohmic material (44, 44′, 44″, 62) disposed at openings of the insulating grid (42, 42′, 60, 80) and making ohmic contact with the device mesa (30, 30′, 30″), and an electrically conductive reflective film (46, 46′, 46″) disposed over the insulating grid (42, 42′, 60, 80) and the ohmic material (44, 44′, 44″, 62). The electrically conductive reflective film (46, 46′, 46″) electrically communicates with the ohmic material (44, 44′, 44″, 62).

摘要翻译： 倒装芯片发光二极管管芯（10,10'，10“）包括透光衬底（12,12'，12”）和半导体层（14,14'，14“），其被选择性地图案化 以限定装置台面（30,30'，30“）。 反射电极（34,34'，34“）设置在器件台面（30,30'，30”）上。 反射电极（34,34'，34“）包括设置在器件台面（30,30'，30”）上方的透光绝缘栅极（42,42'，60,80），欧姆材料 44,44'，44“，62）设置在绝缘栅极（42,42'，60,80）的开口处并与器件台面（30,30'，30”）形成欧姆接触， 设置在绝缘栅极（42,42'，60,80）上的导电反射膜（46,46'，46“）和欧姆材料（44,44'，44”，62）。 导电反射膜（46,46'，46“）与欧姆材料（44,44'，44”，62）电连通。