公开(公告)号：US20120091465A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13272981

申请日：2011-10-13

申请人： Mike Krames ,  Mark D'Evelyn ,  Rajeev Pakalapati ,  Alex Alexander ,  Derrick Kamber

发明人： Mike Krames ,  Mark D'Evelyn ,  Rajeev Pakalapati ,  Alex Alexander ,  Derrick Kamber

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L33/0075 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/32341

摘要： A relaxed epitaxial AlxInyGa(1-x-y)N layer on a substrate having a semipolar surface orientation includes a plurality of misfit dislocations in portions of the thickness of the epitaxial layer to reduce bi-axial strain to a relaxed state.

摘要翻译： 具有半极性表面取向的衬底上的弛豫外延Al x In y Ga（1-x-y）N层包括在外延层的厚度部分中的多个失配位错，以将双轴应变减小到松弛状态。

公开(公告)号：US08729559B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13272981

申请日：2011-10-13

申请人： Mike Krames ,  Mark D'Evelyn ,  Rajeev Pakalapati ,  Alex Alexander ,  Derrick Kamber

发明人： Mike Krames ,  Mark D'Evelyn ,  Rajeev Pakalapati ,  Alex Alexander ,  Derrick Kamber

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/06 ,  H01L33/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L33/0075 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/32341

摘要： A relaxed epitaxial AlxInyGa(1-x-y)N layer on a substrate having a semipolar surface orientation includes a plurality of misfit dislocations in portions of the thickness of the epitaxial layer to reduce bi-axial strain to a relaxed state.

摘要翻译： 具有半极性表面取向的衬底上的弛豫外延Al x In y Ga（1-x-y）N层包括在外延层的厚度部分中的多个失配位错，以将双轴应变减小到松弛状态。

公开(公告)号：US20070000330A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11516237

申请日：2006-09-06

申请人： Steven Tysoe ,  Mark D'Evelyn ,  Charles Becker ,  Abasifreke Ebong ,  Stephen Arthur ,  Steven LeBoeuf ,  Robert Wojnarowski ,  Samhita Dasgupta ,  Vinayak Tilak ,  Kanakasabapathi Subramanian ,  Jeffrey Fortin

发明人： Steven Tysoe ,  Mark D'Evelyn ,  Charles Becker ,  Abasifreke Ebong ,  Stephen Arthur ,  Steven LeBoeuf ,  Robert Wojnarowski ,  Samhita Dasgupta ,  Vinayak Tilak ,  Kanakasabapathi Subramanian ,  Jeffrey Fortin

IPC分类号： G01L7/00

CPC分类号： H01L21/31111

摘要： A pressure sensor is provided. The pressure sensor includes a multi-layer laminate comprising a substrate and a semiconductor layer, wherein the substrate comprises single crystal or quasi-single crystal aluminum oxide, and a portion of the substrate that is spaced from a peripheral edge is wet etched to form an inwardly facing sidewall that defines a volume; and a substrate to which the multi-layer laminate is secured. The volume is an enclosed volume further defined by a substrate surface.

摘要翻译： 提供压力传感器。 压力传感器包括多层层压体，其包括基底和半导体层，其中基底包括单晶或准单晶氧化铝，并且与周边边缘间隔开的部分基底被湿蚀刻以形成 限定体积的面向内的侧壁; 以及固定有多层层叠体的基板。 体积是由衬底表面进一步限定的封闭体积。

公开(公告)号：US20080087919A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11973182

申请日：2007-10-05

申请人： Steven Tysoe ,  Dong-Sil Park ,  John Leman ,  Mark D'Evelyn ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong

发明人： Steven Tysoe ,  Dong-Sil Park ,  John Leman ,  Mark D'Evelyn ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong

IPC分类号： H01L29/205 ,  C01B21/00 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B9/00 ,  C30B29/403

摘要： A method for growing a nitride crystal and a crystalline composition selected from one of AlN, InGaN, AlGaInN, InGaN, and AlGaNInN is provided. The composition comprises a true single crystal, grown from a single nucleus, at least 1 mm in diameter, free of lateral strain and tilt boundaries, with a dislocation density less than about 104 cm−2.

摘要翻译： 提供了用于生长氮化物晶体和选自AlN，InGaN，AlGaInN，InGaN和AlGaNInN中的晶体组成的方法。 该组合物包含从单个细胞核生长的直径至少为1mm，无横向应变和倾斜边界的真实单晶，位错密度小于约10 -4 cm -3， 2 。

公开(公告)号：US20080006844A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11621556

申请日：2007-01-09

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

IPC分类号： H01L33/00 ,  C01B21/06 ,  H01B1/02

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B7/10 ,  H01S5/305 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/21

摘要： A crystalline composition is provided that includes gallium and nitrogen. The crystalline composition may have an amount of oxygen present in a concentration of less than about 3×1018 per cubic centimeter, and may be free of two-dimensional planar boundary defects in a determined volume of the crystalline composition. The volume may have at least one dimension that is about 2.75 millimeters or greater, and the volume may have a one-dimensional linear defect dislocation density of less than about 10,000 per square centimeter.

摘要翻译： 提供了包括镓和氮的结晶组合物。 结晶组合物可以具有以每立方厘米小于约3×10 18的浓度存在的氧量，并且在确定体积的结晶组合物中可以没有二维平面边界缺陷。 该体积可以具有至少一个尺寸为约2.75毫米或更大，并且该体积可具有小于约10,000每平方厘米的一维线性缺陷位错密度。

公开(公告)号：US20070181056A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11734012

申请日：2007-04-11

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  John Leman

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  John Leman

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B9/00 ,  C30B17/00

CPC分类号： C30B7/10 ,  C30B7/00 ,  C30B29/48 ,  C30B35/002 ,  Y10S438/90 ,  Y10T117/1064

摘要： A method for a growing solid-state, spectrometer grade II-VI crystal using a high-pressure hydrothermal process including the following steps: positioning seed crystals in a growth zone of a reactor chamber; positioning crystal nutrient material in the nutrient zone of the chamber; filling the reactor with a solvent fluid; heating and pressuring the chamber until at least a portion of the nutrient material dissolves in the solvent and the solvent becomes supercritical in the nutrient zone; transporting supercritical from the nutrient zone to the growth zone, and growing the seed crystals as nutrients from the supercritical fluid deposit on the crystals.

公开(公告)号：US20050152820A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US11010139

申请日：2004-12-10

申请人： Mark D'Evelyn ,  Kristi Narang ,  Robert Giddings ,  Steven Tysoe ,  John Lucek ,  Suresh Vagarali ,  Robert Leonelli ,  Joel Dysart

发明人： Mark D'Evelyn ,  Kristi Narang ,  Robert Giddings ,  Steven Tysoe ,  John Lucek ,  Suresh Vagarali ,  Robert Leonelli ,  Joel Dysart

IPC分类号： A61K9/64 ,  B01D9/00 ,  B01J3/00 ,  B01J3/06 ,  B01J19/02 ,  B65D1/40 ,  B65D3/22 ,  B65D6/14 ,  C30B9/00 ,  C30B29/40

CPC分类号： B01J3/008 ,  B01J3/062 ,  B01J19/02 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2219/00777 ,  B01J2219/0236 ,  B01J2219/024 ,  C30B7/10 ,  C30B9/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  Y02P20/544 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/108 ,  Y10T117/1092

摘要： A capsule for containing at least one reactant and a supercritical fluid in a substantially air-free environment under high pressure, high temperature processing conditions. The capsule includes a closed end, at least one wall adjoining the closed end and extending from the closed end; and a sealed end adjoining the at least one wall opposite the closed end. The at least one wall, closed end, and sealed end define a chamber therein for containing the reactant and a solvent that becomes a supercritical fluid at high temperatures and high pressures. The capsule is formed from a deformable material and is fluid impermeable and chemically inert with respect to the reactant and the supercritical fluid under processing conditions, which are generally above 5 kbar and 550° C. and, preferably, at pressures between 5 kbar and 80 kbar and temperatures between 550° C. and about 1500° C. The invention also includes methods of filling the capsule with the solvent and sealing the capsule, as well as an apparatus for sealing the capsule.

摘要翻译： 一种用于在高压，高温处理条件下在基本无空气环境中含有至少一种反应物和超临界流体的胶囊。 所述胶囊包括封闭端，邻近所述封闭端并从所述封闭端延伸的至少一个壁; 以及与所述封闭端相对的所述至少一个壁相邻的密封端。 至少一个壁，封闭端和密封端在其中限定一个室，用于容纳反应物和在高温和高压下成为超临界流体的溶剂。 胶囊由可变形材料形成，并且在加工条件下相对于反应物和超临界流体是流体不可渗透和化学惰性的，其通常高于5kbar和550℃，并且优选在5kbar和80kPa之间的压力 kbar和550℃至约1500℃之间的温度。本发明还包括用溶剂填充胶囊并密封胶囊的方法以及用于密封胶囊的装置。

公开(公告)号：US20080008855A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11621560

申请日：2007-01-09

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

IPC分类号： H01F1/40 ,  B32B15/00

CPC分类号： C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  H01F1/404 ,  Y10T428/24355

摘要： A crystalline composition is provided. The crystalline composition may include gallium and nitrogen; and the crystalline composition may have an infrared absorption peak at about 3175 cm−1, with an absorbance per unit thickness of greater than about 0.01 cm−1.

摘要翻译： 提供了结晶组合物。 结晶组合物可包括镓和氮; 并且结晶组合物可以在约3175cm -1处具有红外吸收峰，每单位厚度的吸光度大于约0.01cm -1。

公开(公告)号：US20070158785A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：US11559146

申请日：2006-11-13

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B9/00

摘要： A crystal comprising gallium nitride is disclosed. The crystal has at least one grain having at least one dimension greater than 2.75 mm, a dislocation density less than about 104 cm−2, and is substantially free of tilt boundaries.

摘要翻译： 公开了一种包括氮化镓的晶体。 晶体具有至少一个具有至少一个尺寸大于2.75mm的颗粒，位错密度小于约10 -4 cm -2，并且基本上没有倾斜边界 。

公开(公告)号：US20070151509A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11313442

申请日：2005-12-20

申请人： Dong-Sil Park ,  Mark D'Evelyn ,  Myles Peterson ,  John Leman ,  Joell Hibshman ,  Fred Sharifi

发明人： Dong-Sil Park ,  Mark D'Evelyn ,  Myles Peterson ,  John Leman ,  Joell Hibshman ,  Fred Sharifi

IPC分类号： C30B11/00

CPC分类号： C01B21/0632 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0722 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/80 ,  Y10T117/10

摘要： A composition including a polycrystalline metal nitride having a number of grains is provided. These grains have a columnar structure with one or more properties such as, an average grain size, a tilt angle, an impurity content, a porosity, a density, and an atomic fraction of the metal in the metal nitride. An apparatus for preparing a metal nitride is provided. The apparatus may include a housing having an interior surface that defines a chamber and an energy source to supply energy to the chamber. A first inlet may be provided to flow a nitrogen-containing gas into the chamber. Raw materials may be introduced into the chamber through a raw material inlet. A second inlet may be provided to flow in a halide-containing gas in the chamber. The apparatus may further include a controller, which communicates with the various components of the apparatus such as, sensors, valves, and energy source, and may optimize and control the reaction.

摘要翻译： 提供了包含多个晶粒的多晶金属氮化物的组合物。 这些晶粒具有在金属氮化物中具有金属的平均晶粒尺寸，倾斜角，杂质含量，孔隙率，密度和原子分数等一个或多个特性的柱状结构。 提供了一种用于制备金属氮化物的设备。 该装置可以包括具有限定腔室的内表面和用于向腔室供应能量的能量源的壳体。 可以提供第一入口以将含氮气体流入室中。 可以通过原料入口将原料引入室中。 可以提供第二入口以在室中的含卤化物气体中流动。 该装置还可以包括控制器，其与设备的各种部件（例如传感器，阀门和能量源）进行通信，并且可以优化和控制反应。