公开(公告)号：US20130337228A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US14002587

申请日：2012-03-02

申请人： Yasushi Ogimoto

发明人： Yasushi Ogimoto

IPC分类号： C30B1/04 ,  C30B29/32

CPC分类号： C30B1/04 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/34 ,  C04B2235/768 ,  C30B29/32 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02197 ,  Y10T428/24355

摘要： The present invention provides a crystalline substance that has an uneven structure extending along the direction of a crystal axis. An aspect of the present invention provides a crystalline substance 1, which has a surface 10L that exposes an oxide crystal thereon and extends in a direction of a crystal axis of the oxide crystal, wherein the surface 10L has an uneven structure that is configured by faces 11L to 14L extending in at least three orientations along the crystal axis.

摘要翻译： 本发明提供了具有沿着晶轴方向延伸的不均匀结构的结晶物质。 本发明的一个方面提供了一种结晶物质1，其具有在其上暴露氧化物晶体并在氧化物晶体的晶轴方向上延伸的表面10L，其中表面10L具有由面部构成的不均匀结构 11L至14L沿着晶轴至少沿三个取向延伸。

公开(公告)号：US08456896B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US13165782

申请日：2011-06-21

申请人： Michiya Yamada ,  Yasushi Ogimoto

发明人： Michiya Yamada ,  Yasushi Ogimoto

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/126 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/224 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic memory element having a memory cell of size 4F2 is provided that realizes a crosspoint-type memory. In the magnetic memory element, a first magnetic layer, a third magnetic layer (spin polarization enhancement layer), an intermediate layer, a fourth magnetic layer (spin polarization enhancement layer), and a second magnetic layer are stacked in order. The intermediate layer is made of an insulating material or a nonmagnetic material. The second magnetic layer is composed of a ternary alloy of gadolinium, iron and cobalt, a binary alloy of gadolinium and cobalt, or a binary alloy of terbium and cobalt. Alternatively, the first magnetic layer is composed of a ternary alloy of terbium, iron and cobalt, or a binary alloy of terbium and cobalt.

摘要翻译： 提供具有尺寸为4F2的存储单元的磁存储元件，其实现交叉点型存储器。 在磁存储元件中，按顺序堆叠第一磁性层，第三磁性层（自旋极化增强层），中间层，第四磁性层（自旋极化增强层）和第二磁性层。 中间层由绝缘材料或非磁性材料制成。 第二磁性层由钆，铁和钴的三元合金，钆和钴的二元合金或铽和钴的二元合金组成。 或者，第一磁性层由铽，铁和钴的三元合金或铽和钴的二元合金构成。

公开(公告)号：US08411395B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12739740

申请日：2008-08-28

申请人： Haruo Kawakami ,  Yasushi Ogimoto ,  Eiki Adachi

发明人： Haruo Kawakami ,  Yasushi Ogimoto ,  Eiki Adachi

IPC分类号： G11B2005/3996 ,  G11B5/012

CPC分类号： H01F10/325 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H03B15/006 ,  H03C1/08

摘要： A method for driving a spin valve element, including passing driving current through the spin valve element to generate an oscillation signal, and performing amplitude modulation of the driving current at a frequency lower than the oscillation frequency of oscillation signals. This amplitude modulation can be ON-OFF modulation, and the interval ton in the conducting state of the ON-OFF modulation is made to satisfy the relation ton

摘要翻译： 一种用于驱动自旋阀元件的方法，包括使驱动电流通过自旋阀元件以产生振荡信号，并且以低于振荡信号的振荡频率的频率执行驱动电流的幅度调制。 该幅度调制可以是ON-OFF调制，并且使ON-OFF调制的导通状态下的间隔ton满足关系ton

公开(公告)号：US20110143166A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12737118

申请日：2008-09-05

申请人： Haruo Kawakami ,  Yasushi Ogimoto

发明人： Haruo Kawakami ,  Yasushi Ogimoto

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  G11C19/0808 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1143

摘要： A spin-valve element has a pair of ferromagnetic layers having mutually different coercive forces, sandwiching an insulating layer or a nonmagnetic layer therebetween. The in-plane shape of the spin-valve element is substantially circular in shape but is provided, in the peripheral portion, with a plurality of cutouts NS, NW, NE, NN. Preferably, the shape of at least one cutout be made different from that of others. Moreover, a storage device that employs such a spin-valve element is provided.

摘要翻译： 自旋阀元件具有一对具有相互不同的矫顽力的铁磁层，其间夹有绝缘层或非磁性层。 自旋阀元件的平面形状基本上是圆形的，但是在周边部分中设置有多个切口NS，NW，NE，NN。 优选地，至少一个切口的形状与其他切口的形状不同。 此外，提供了采用这种自旋阀元件的存储装置。

公开(公告)号：US07924609B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US12809550

申请日：2008-08-28

申请人： Haruo Kawakami ,  Yasushi Ogimoto

发明人： Haruo Kawakami ,  Yasushi Ogimoto

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H03B15/006

摘要： A spin valve element driving method, and a spin valve element employing such a method, for causing microwave oscillation in a spin valve element. The spin valve element includes an intermediate layer and a pair of ferromagnetic layers including a fixed layer and a free layer sandwiching the intermediate layer, the fixed layer having a higher coercivity than the free layer, and being magnetized in a direction substantially perpendicular to a film plane thereof. The method includes a driving step of passing current from one of the pair of ferromagnetic layers to the other through the intermediate layer.

摘要翻译： 自旋阀元件驱动方法和采用这种方法的自旋阀元件，用于在自旋阀元件中引起微波振荡。 自旋阀元件包括中间层和一对铁磁层，其包括夹持中间层的固定层和自由层，固定层具有比自由层更高的矫顽力，并且在基本垂直于膜的方向上被磁化 它的平面。 该方法包括将电流从一对铁磁层中的一个通过中间层传递到另一个的驱动步骤。

公开(公告)号：US06208789B1

公开(公告)日：2001-03-27

申请号：US09463184

申请日：2000-01-21

申请人： Yasushi Ogimoto

发明人： Yasushi Ogimoto

IPC分类号： G02B602

CPC分类号： G01Q60/22 ,  G02B6/241

摘要： A probe comprising a core (2) having a first end part (2a) on which light from a light source is incident and a second end part (2b) with a diameter smaller than a wavelength of the incident light and a cladding (1) covering the core (2). A thin nitride film (3) made of at least one nitride selected from titanium nitride, zirconium nitride, and hafnium nitride is formed on a surface of the core (2) on the side of the second end part (2b) except the first and second end parts (2a) and (2b). The thin nitride film (3) has a high reflectivity for light with a wavelength of longer than 600 nm and the incident light does not leak out of the probe and reaches the tip of the probe, so that the intensity of the light emitted from the tip of the probe is improved. When the probe is used in a probe-type memory, high density recording with an excellent signal quality (S/N) can be realized.

摘要翻译： 一种探针，包括具有第一端部（2a）的芯体（2），来自光源的光入射到所述第一端部（2a），以及直径小于入射光的波长的第二端部（2b）和包层（1） 覆盖核心（2）。 在第二端部（2b）的除了第一和第二端部的一侧的芯（2）的表面上形成由氮化钛，氮化锆和氮化铪中的至少一种氮化物制成的薄氮化物膜（3） 第二端部（2a）和（2b）。 薄氮化物膜（3）对于波长超过600nm的光具有高反射率，并且入射光不会从探针中泄漏并到达探针的尖端，使得从 提高探头尖端。 当探针用于探针型存储器时，可以实现具有优异信号质量（S / N）的高密度记录。

公开(公告)号：US08932699B2

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：US14002587

申请日：2012-03-02

申请人： Yasushi Ogimoto

发明人： Yasushi Ogimoto

IPC分类号： C30B1/04 ,  C30B29/32 ,  B82Y30/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B1/04 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/34 ,  C04B2235/768 ,  C30B29/32 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02197 ,  Y10T428/24355

摘要： The present invention provides a crystalline substance that has an uneven structure extending along the direction of a crystal axis. An aspect of the present invention provides a crystalline substance 1, which has a surface 10L that exposes an oxide crystal thereon and extends in a direction of a crystal axis of the oxide crystal, wherein the surface 10L has an uneven structure that is configured by faces 11L to 14L extending in at least three orientations along the crystal axis.

摘要翻译： 本发明提供了具有沿着晶轴方向延伸的不均匀结构的结晶物质。 本发明的一个方面提供了一种结晶物质1，其具有在其上暴露氧化物晶体并在氧化物晶体的晶轴方向上延伸的表面10L，其中表面10L具有由面部构成的不均匀结构 11L至14L沿着晶轴至少沿三个取向延伸。

公开(公告)号：US08803263B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13061946

申请日：2009-07-08

申请人： Michiya Yamada ,  Yasushi Ogimoto

发明人： Michiya Yamada ,  Yasushi Ogimoto

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L23/49503 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An object of the invention is to ensure the thermal stability of magnetization even when a magnetic memory element is miniaturized. A magnetic memory element includes a first magnetic layer (22), an insulating layer (21) that is formed on the first magnetic layer (22), and a second magnetic layer (20) that is formed on the insulating layer (21). At least one of the first magnetic layer (22) and the second magnetic layer (20) is strained and deformed so as to be elongated in an easy magnetization axis direction of the magnetic layer (22) or (20) or compressive strain (101) remains in any direction in the plane of at least one of the first magnetic layer and the second magnetic layer.

摘要翻译： 本发明的一个目的是即使当磁存储元件小型化时也确保了磁化的热稳定性。 磁存储元件包括第一磁性层（22），形成在第一磁性层（22）上的绝缘层（21）和形成在绝缘层（21）上的第二磁性层（20）。 第一磁性层（22）和第二磁性层（20）中的至少一个被应变和变形，以便在磁性层（22）或（20）的容易磁化轴方向或压缩应变（101 ）保持在第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的平面中的任何方向上。

公开(公告)号：US08679653B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US12737118

申请日：2008-09-05

申请人： Haruo Kawakami ,  Yasushi Ogimoto

发明人： Haruo Kawakami ,  Yasushi Ogimoto

IPC分类号： H01F10/08 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  G11C19/0808 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1143

摘要： A spin-valve element has a pair of ferromagnetic layers having mutually different coercive forces, sandwiching an insulating layer or a nonmagnetic layer therebetween. The in-plane shape of the spin-valve element is substantially circular in shape but is provided, in the peripheral portion, with a plurality of cutouts NS, NW, NE, NN. Preferably, the shape of at least one cutout be made different from that of others. Moreover, a storage device that employs such a spin-valve element is provided.

摘要翻译： 自旋阀元件具有一对具有相互不同的矫顽力的铁磁层，其间夹有绝缘层或非磁性层。 自旋阀元件的平面形状基本上是圆形的，但是在周边部分中设置有多个切口NS，NW，NE，NN。 优选地，至少一个切口的形状与其他切口的形状不同。 此外，提供了采用这种自旋阀元件的存储装置。

公开(公告)号：US20130200457A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13817140

申请日：2012-05-11

申请人： Yasushi Ogimoto

发明人： Yasushi Ogimoto

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L49/003

摘要： Provided is a strongly correlated oxide field effect element demonstrating a phase transition and a switching function induced by electrical means. The strongly correlated oxide field effect element is a strongly correlated oxide field effect element 100 including a channel layer 2 constituted by a strongly correlated oxide film, a gate electrode 14, a gate insulating layer 31, a source electrode 42, and a drain electrode 43. The channel layer 2 includes an insulator-metal transition layer 22 of a strongly correlated oxide and a metallic state layer 21 of a strongly correlated oxide that are stacked on each other. The thickness t of the channel layer 2, the thickness t1 of the insulator-metal transition layer 22, and the thickness t2 of the metallic state layer 21 satisfy the following relationship with critical thicknesses t1c and t2c for respective metallic phases of the layers: t=t1+t2≧t1c>t2c, where t1

摘要翻译： 提供了一种强相关的氧化物场效应元件，其表现出由电气装置引起的相变和开关功能。 强相关氧化物场效应元件是强相关氧化物场效应元件100，其包括由强相关氧化膜，栅电极14，栅极绝缘层31，源电极42和漏电极43构成的沟道层2 沟道层2包括彼此堆叠的强相关氧化物的绝缘体 - 金属过渡层22和强相关氧化物的金属状态层21。 沟道层2的厚度t，绝缘体 - 金属过渡层22的厚度t1和金属状态层21的厚度t2满足与层的各个金属相的临界厚度t1c和t2c的关系：t = t1 + t2> = t1c> t2c，其中t1