公开(公告)号：US20130232455A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13409765

申请日：2012-03-01

申请人： Pei-Yi Liu ,  Shy-Jay Lin ,  Wen-Chuan Wang ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

发明人： Pei-Yi Liu ,  Shy-Jay Lin ,  Wen-Chuan Wang ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： The present disclosure involves a method of data preparation in lithography processes. The method of data preparation includes providing an integrated circuit (IC) layout design in a graphic database system (GDS) grid, and converting the IC layout design GDS grid to a second exposure grid by applying an error diffusion and a grid shift technique to a sub-pixel exposure grid.

摘要翻译： 本公开涉及在光刻工艺中的数据准备方法。 数据准备的方法包括在图形数据库系统（GDS）网格中提供集成电路（IC）布局设计，并且通过向第二曝光网格应用误差扩散和网格移位技术将IC布局设计GDS网格转换为第二曝光网格 子像素曝光网格。

公开(公告)号：US20130232453A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13409653

申请日：2012-03-01

申请人： Pei-Yi Liu ,  Shy-Jay Lin ,  Wen-Chuan Wang ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

发明人： Pei-Yi Liu ,  Shy-Jay Lin ,  Wen-Chuan Wang ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F7/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/70433 ,  G06F17/5081 ,  G06F19/00 ,  G21K5/00

摘要： A method of data preparation in lithography processes is described. The method includes providing an integrated circuit (IC) layout design in a graphic database system (GDS) grid, converting the IC layout design GDS grid to a first exposure grid, applying a non-directional dither technique to the first exposure, coincident with applying dithering to the first expose grid, applying a grid shift to the first exposure grid to generate a grid-shifted exposure grid and applying a dither to the grid-shifted exposure grid, and adding the first exposure grid (after receiving dithering) to the grid-shifted exposure grid (after receiving dithering) to generate a second exposure grid.

摘要翻译： 描述了光刻工艺中数据准备的方法。 该方法包括在图形数据库系统（GDS）网格中提供集成电路（IC）布局设计，将IC布局设计GDS网格转换为第一曝光网格，将非定向抖动技术应用于第一曝光，与应用 将第一曝光栅格抖动到第一曝光栅格，将栅格移位施加到第一曝光栅格以产生栅格移动的曝光栅格并向栅格曝光栅格施加抖动，并将第一曝光栅格（在接收抖动之后）添加到栅格 转换曝光网格（在接收到抖动之后）以产生第二曝光网格。

公开(公告)号：US08110345B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US11043304

申请日：2005-01-26

申请人： Chin-Hsiang Lin ,  Burn Jeng Lin

发明人： Chin-Hsiang Lin ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F7/001 ,  G03F7/201 ,  G03F7/203 ,  G03F7/70408

摘要： Provided are a high resolution lithography system and method. In one example, a method for producing a pattern on a substrate includes separating the pattern into at least a first sub-pattern containing lines oriented in a first direction and a second sub-pattern containing lines oriented in a second direction. Lines oriented in the first direction are created on a first layer of photosensitive material on the substrate using a first standing wave interference pattern. A portion of the created lines are trimmed to create the first sub-pattern. A second layer of photosensitive material is applied to the substrate after creating the first sub-pattern. Lines oriented in the second direction are created on the second layer using a second standing wave interference pattern. A portion of the created lines are trimmed to create the second sub-pattern.

摘要翻译： 提供了高分辨率光刻系统和方法。 在一个示例中，用于在衬底上产生图案的方法包括将图案分离成至少包含沿第一方向定向的线的第一子图案和包含沿第二方向定向的线的第二子图案。 使用第一驻波干涉图案，在基板上的第一感光材料层上产生沿第一方向取向的线。 所创建的线的一部分被修剪以创建第一子图案。 在形成第一子图案之后，将第二层感光材料施加到基板上。 使用第二驻波干涉图形在第二层上产生朝向第二方向的线。 创建的线的一部分被修剪以创建第二子图案。

公开(公告)号：US07972761B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US11462413

申请日：2006-08-04

申请人： Hsien-Cheng Wang ,  Chin-Hsiang Lin ,  H. J. Lee ,  Ching-Yu Chang ,  Hua-Tai Lin ,  Burn Jeng Lin

发明人： Hsien-Cheng Wang ,  Chin-Hsiang Lin ,  H. J. Lee ,  Ching-Yu Chang ,  Hua-Tai Lin ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70858 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： A material for use in lithography processing includes a polymer that turns soluble to a base solution in response to reaction with acid and a plurality of magnetically amplified generators (MAGs) each having a magnetic element and each decomposing to form acid bonded with the magnetic element in response to radiation energy.

摘要翻译： 用于光刻处理的材料包括响应于与酸的反应而变成可溶于碱溶液的聚合物和多个具有磁性元素的磁放大发生器（MAG），并分别与磁性元件形成酸结合 响应辐射能量。

公开(公告)号：US20090029268A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12029275

申请日：2008-02-11

申请人： Burn Jeng Lin ,  Hsin-Chang Lee ,  Ming-Jiun Yao

发明人： Burn Jeng Lin ,  Hsin-Chang Lee ,  Ming-Jiun Yao

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： G03F1/64

摘要： The present disclosure provides a mask-pellicle system for lithography patterning. The mask-pellicle system includes a mask substrate; a predefined pattern formed on the transparent pattern; a pellicle configured approximate the transparent substrate; a pellicle frame designed to secure the pellicle; and a stress-absorbing feature configured between the pellicle frame and the mask substrate, to reduce stress of the mask substrate.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于光刻图案化的掩模防护薄膜系统。 掩模防护薄膜系统包括掩模基板; 形成在透明图案上的预定图案; 近似透明基板的防护薄膜组件; 设计用于固定防护薄膜的防护薄膜框架; 以及构造在防护薄膜框架和掩模基板之间的应力吸收特征，以减小掩模基板的应力。

公开(公告)号：US07314689B2

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US10765531

申请日：2004-01-27

申请人： Burn Jeng Lin ,  Ping Yang ,  Hong Chang Hsieh ,  Yao Ching Ku ,  Chin Hsian Lin ,  Chiu Shan Yoo

发明人： Burn Jeng Lin ,  Ping Yang ,  Hong Chang Hsieh ,  Yao Ching Ku ,  Chin Hsian Lin ,  Chiu Shan Yoo

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/70425 ,  G03F1/72 ,  G03F1/76 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70383 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7046 ,  G03F9/7049

摘要： A method and system is disclosed for processing one or more oblique features on a mask or reticle substrate. After aligning the mask or reticle substrate with a predetermined reference system, an offset angle of a feature to be processed on the mask or reticle substrate with regard to either the horizontal or vertical reference direction of the predetermined reference system is determined. The mask or reticle substrate is rotated in a predetermined direction by the offset angle; and the feature on the mask or reticle substrate is processed using the predetermined reference system wherein the feature is processed in either the horizontal or vertical reference direction thereof.

摘要翻译： 公开了一种用于处理掩模或掩模版基板上的一个或多个倾斜特征的方法和系统。 在掩模或掩模版基板与预定的参考系统对准之后，确定相对于预定参考系的水平或垂直参考方向在掩模或掩模版基板上要处理的特征的偏移角。 掩模或掩模版基板沿预定方向旋转偏移角; 并且使用预定的参考系统处理掩模或掩模版基板上的特征，其中特征在水平或垂直参考方向上被处理。

公开(公告)号：US07061589B2

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：US10233916

申请日：2002-09-03

申请人： Burn Jeng Lin

发明人： Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03B27/62 ,  G03F1/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F1/62 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70975 ,  G03F7/70983 ,  G03F7/70991

摘要： An apparatus for mounting at least one hard pellicle to a mask which includes an enclosure having an interior cavity, demounting means for removing a protective cover from a mask, mounting means for mounting at least one hard pellicle to the mask and conduit means for pumping a light-transmitting gas into the interior cavity between the hard pellicle and the mask.

公开(公告)号：US09046789B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US13595734

申请日：2012-08-27

申请人： Burn Jeng Lin ,  Ching-Yu Chang

发明人： Burn Jeng Lin ,  Ching-Yu Chang

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70866 ,  G03F7/70341

摘要： Immersion lithography system and method using a sealed wafer bottom are described. One embodiment is an immersion lithography apparatus comprising a lens assembly comprising an imaging lens and a wafer stage for retaining a wafer beneath the lens assembly, the wafer stage comprising a seal ring disposed on a seal ring frame along a top edge of the wafer retained on the wafer stage, the seal ring for sealing a gap between an edge of the wafer and the wafer stage. The embodiment further includes a fluid tank for retaining immersion fluid, the fluid tank situated with respect to the wafer stage for enabling full immersion of the wafer retained on the wafer stage in the immersion fluid and a cover disposed over at least a portion of the fluid tank for providing a temperature-controlled, fluid-rich environment within the fluid tank fluid-rich environment within the fluid tank.

摘要翻译： 描述了浸没光刻系统和使用密封晶片底部的方法。 一个实施例是一种浸没光刻设备，其包括透镜组件，该透镜组件包括成像透镜和用于将晶片保持在透镜组件下方的晶片台，晶片台包括沿着晶片的顶部边缘设置在密封环框架上的密封环， 晶片台，用于密封晶片边缘与晶片台之间的间隙的密封环。 该实施例还包括用于保持浸没流体的流体箱，相对于晶片台定位的流体箱，用于使保留在晶片台上的晶片完全浸没在浸没流体中，并且覆盖设置在流体的至少一部分上 罐，用于在流体箱内的流体槽流体富含环境内提供温度控制的，富含流体的环境。

公开(公告)号：US09001308B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13757477

申请日：2013-02-01

申请人： Chen-Hua Yu ,  Tien-I Bao ,  Chih Wei Lu ,  Jaw-Jung Shin ,  Shy-Jay Lin ,  Burn Jeng Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Tien-I Bao ,  Chih Wei Lu ,  Jaw-Jung Shin ,  Shy-Jay Lin ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/702 ,  H01J37/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/31789

摘要： A pattern generator includes a minor array plate having a mirror, at least one electrode plate disposed over the minor array plate, a lens let disposed over the minor, and at least one insulator layer sandwiched between the mirror array plate and the electrode plate. The electrode plate includes a first conducting layer and a second conducting layer. The lens let has a non-straight sidewall formed in the electrode plate. The pattern generator further includes at least one insulator sandwiched between two electrode plates. The non-straight sidewall can be a U-shaped sidewall or an L-shaped sidewall.

摘要翻译： 图案发生器包括具有反射镜的次阵列板，设置在次阵列板上的至少一个电极板，设置在副镜上的透镜，以及夹在反射镜阵列板和电极板之间的至少一个绝缘体层。 电极板包括第一导电层和第二导电层。 透镜让具有形成在电极板中的非直的侧壁。 图案发生器还包括夹在两个电极板之间的至少一个绝缘体。 非直的侧壁可以是U形侧壁或L形侧壁。

公开(公告)号：US20130293858A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13464325

申请日：2012-05-04

申请人： Burn Jeng Lin ,  Hoi-Tou Ng ,  Ken-Hsien Hsieh ,  Shou-Yen Chou

发明人： Burn Jeng Lin ,  Hoi-Tou Ng ,  Ken-Hsien Hsieh ,  Shou-Yen Chou

IPC分类号： G03F1/26 ,  G03F7/20 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F1/28

摘要： The present disclosure provides a photomask. The photomask includes a substrate. The photomask also includes a plurality of patterns disposed on the substrate. Each pattern is phase shifted from adjacent patterns by different amounts in different directions. The present disclosure also includes a method for performing a lithography process. The method includes forming a patternable layer over a wafer. The method also includes performing an exposure process to the patternable layer. The exposure process is performed at least in part through a phase shifted photomask. The phase shifted photomask contains a plurality of patterns that are each phase shifted from adjacent patterns by different amounts in different directions. The method includes patterning the patternable layer.

摘要翻译： 本公开提供了一种光掩模。 光掩模包括基底。 光掩模还包括设置在基板上的多个图案。 每个图案在不同方向上从相邻图案相移不同的量。 本公开还包括用于执行光刻工艺的方法。 该方法包括在晶片上形成可图案化层。 该方法还包括对可图案层进行曝光处理。 曝光过程至少部分通过相移光掩模进行。 相移的光掩模包含多个图案，每个图案在不同方向上从相邻图案相移不同的量。 该方法包括图案化图案化层。