公开(公告)号：US06497763B2

公开(公告)日：2002-12-24

申请号：US09764349

申请日：2001-01-19

申请人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart

发明人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart

IPC分类号： C30B2518

CPC分类号： H01L21/2007 ,  Y10S117/915

摘要： A method for making a multilayered electronic device with at least one epitaxial layer grown on a single-crystal film bonded to a composite wherein at least one layer is polycrystalline, the method includes the step of bonding a single-crystal film at least one of the epitaxial layers on the single-crystal film wherein thermal coefficients of expansion for the substrate and the epitaxial layer are closely matched.

公开(公告)号：US06323108B1

公开(公告)日：2001-11-27

申请号：US09373031

申请日：1999-07-27

申请人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart

发明人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart

IPC分类号： H01L2130

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： The invention uses implantation, typically hydrogen implantation or implantation of hydrogen in combination with other elements, to a selected depth into a wafer with that contains one or more etch stops layers, treatment to split the wafer at this selected depth, and subsequent etching procedures to expose etch stop layer and ultra-thin material layer. A method for making an ultra-thin material layer bonded to a substrate, has the steps: (a) growing an etch stop layer on a first substrate; (b) growing an ultra-thin material layer on the etch stop layer; (c) implanting an implant gas to a selected depth into the first substrate; (d) bonding the ultra-thin material layer to a second substrate; (e) treating the first substrate to cause the first substrate to split at the selected depth; (f) etching remaining portion of first substrate to expose the etch stop layer, and (g) etching the etch stop layer to expose the ultra-thin material layer.

摘要翻译： 本发明使用植入（通常为氢注入或与其它元件结合注入氢）到所选择的深度进入晶片，其中所述深度包含一个或多个蚀刻停止层，处理以在该选定深度处分裂晶片，以及随后的蚀刻步骤 曝光蚀刻停止层和超薄材料层。一种用于制造结合到衬底的超薄材料层的方法，具有以下步骤：（a）在第一衬底上生长蚀刻停止层; （b）在蚀刻停止层上生长超薄材料层; （c）将植入气体植入所选择的深度进入所述第一基底; （d）将超薄材料层粘合到第二基板上; （e）处理所述第一基板以使所述第一基板在所选择的深度处分裂; （f）蚀刻第一衬底的剩余部分以暴露蚀刻停止层，以及（g）蚀刻蚀刻停止层以暴露超薄材料层。

公开(公告)号：US20150221727A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：US14265214

申请日：2014-04-29

申请人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Andrew D. Koehler ,  Karl D. Hobart

发明人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Andrew D. Koehler ,  Karl D. Hobart

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L27/095 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0921 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/452 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7831

摘要： An inverted P-channel III-nitride field effect transistor with hole carriers in the channel comprising a gallium-polar III-Nitride grown epitaxially on a substrate, a barrier, a two-dimensional hole gas in the barrier layer material at the heterointerface of the first material, and wherein the gallium-polar III-Nitride material comprises III-Nitride epitaxial material layers grown in such a manner that when GaN is epitaxially grown the top surface of the epitaxial layer is gallium-polar. A method of making a P-channel III-nitride field effect transistor with hole carriers in the channel comprising selecting a face of a substrate so that the gallium-polar (0001) face is the dominant face for growth of III-Nitride epitaxial layer growth material, growing a GaN epitaxial layer, doping, growing a barrier, etching, forming a contact, performing device isolation, defining a gate opening, defining gate metal, making a contact window, and depositing and defining a thick metal.

摘要翻译： 在通道中具有空穴载流子的反向P沟道III族氮化物场效应晶体管，包括在衬底上外延生长的镓极化III-氮化物，势垒，阻挡层材料中二维空穴气体在异质界面处 第一材料，并且其中所述镓极性III-氮化物材料包含以这样的方式生长的III-氮化物外延材料层，使得当外延生长GaN时，所述外延层的顶表面是镓极性的。 在通道中制造具有空穴载流子的P沟道III族氮化物场效应晶体管的方法，包括选择衬底的表面，使得镓极（0001）面是III-氮化物外延层生长生长的主要面 材料，生长GaN外延层，掺杂，生长势垒，蚀刻，形成接触，执行器件隔离，限定栅极开口，限定栅极金属，形成接触窗口以及沉积和限定厚金属。

公开(公告)号：US09006791B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US14169334

申请日：2014-01-31

申请人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Andrew D. Koehler ,  Karl D. Hobart

发明人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Andrew D. Koehler ,  Karl D. Hobart

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/095 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0921 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/452 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7831

摘要： A non-inverted P-channel III-nitride field effect transistor with hole carriers in the channel comprising a nitrogen-polar III-Nitride first material, a barrier material layer, a two-dimensional hole gas in the barrier layer, and wherein the nitrogen-polar III-Nitride material comprises one or more III-Nitride epitaxial material layers grown in such a manner that when GaN is epitaxially grown the top surface of the epitaxial layer is nitrogen-polar. A method of making a P-channel III-nitride field effect transistor with hole carriers in the channel comprising selecting a face or offcut orientation of a substrate so that the nitrogen-polar (001) face is the dominant face, growing a nucleation layer, growing a GaN epitaxial layer, doping the epitaxial layer, growing a barrier layer, etching the GaN, forming contacts, performing device isolation, defining a gate opening, depositing and defining gate metal, making a contact window, depositing and defining a thick metal.

摘要翻译： 在沟道中具有空穴载流子的非反相P沟道III族氮化物场效应晶体管包括氮极III-氮化物第一材料，阻挡材料层，阻挡层中的二维空穴气体，其中氮 极化III-氮化物材料包括以这样的方式生长的一个或多个III-氮化物外延材料层，即当外延生长GaN时，外延层的顶表面是氮极性的。 在通道中制造具有空穴载流子的P沟道III族氮化物场效应晶体管的方法，包括选择基板的面或切口取向，使得氮极（001）面是主要面，生长成核层， 生长GaN外延层，掺杂外延层，生长势垒层，蚀刻GaN，形成接触，执行器件隔离，限定栅极开口，沉积和限定栅极金属，形成接触窗口，沉积和限定厚金属。

公开(公告)号：US08900939B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US14165602

申请日：2014-01-28

申请人： Francis J. Kub ,  Travis Anderson ,  Karl D. Hobart ,  Michael A. Mastro ,  Charles R. Eddy, Jr.

发明人： Francis J. Kub ,  Travis Anderson ,  Karl D. Hobart ,  Michael A. Mastro ,  Charles R. Eddy, Jr.

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/08 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

摘要： High electron mobility transistors and fabrication processes are presented in which a barrier material layer of uniform thickness is provided for threshold voltage control under an enhanced channel charge inducing material layer (ECCIML) in source and drain regions with the ECCIML layer removed in the gate region.

公开(公告)号：US08872159B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13630257

申请日：2012-09-28

申请人： Francis J. Kub ,  Travis Anderson ,  Karl D. Hobart

发明人： Francis J. Kub ,  Travis Anderson ,  Karl D. Hobart

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L31/028 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14692 ,  H01L27/14694 ,  H01L27/148 ,  H01L31/0336

摘要： Ultraviolet or Extreme Ultraviolet and/or visible detector apparatus and fabrication processes are presented, in which the detector includes a thin graphene electrode structure disposed over a semiconductor surface to provide establish a potential in the semiconductor material surface and to collect photogenerated carriers, with a first contact providing a top side or bottom side connection for the semiconductor structure and a second contact for connection to the graphene layer.

摘要翻译： 提出了紫外或极紫外和/或可见的检测器装置和制造方法，其中检测器包括设置在半导体表面上的薄的石墨烯电极结构，以在半导体材料表面中建立电位并且收集光生载流子，第一 接触提供用于半导体结构的顶侧或底侧连接以及用于连接到石墨烯层的第二接触。

公开(公告)号：US20140110722A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：US14060916

申请日：2013-10-23

申请人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Karl D. Hobart

发明人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Karl D. Hobart

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/205 ,  H01L29/78 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/1602 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

摘要： Semiconductor devices that include a semiconductor structure integrated with one or more diamond material layers. A first diamond material layer is formed on a bottom surface and optionally, the side surfaces of the semiconductor structure. In some embodiments, at least a portion of the semiconductor structure is embedded in the diamond. An electrical device can be formed on a top surface of the semiconductor structure. A second diamond material layer can be formed on the top surface of the semiconductor structure. The semiconductor structure can include a III-nitride material such as GaN, which can be embedded within a the first diamond material layer or encased by the first and/or second diamond material layer.

摘要翻译： 半导体器件包括与一个或多个金刚石材料层集成的半导体结构。 第一金刚石材料层形成在半导体结构的底表面和任选的侧表面上。 在一些实施例中，半导体结构的至少一部分嵌入在金刚石中。 电气装置可以形成在半导体结构的顶表面上。 可以在半导体结构的顶表面上形成第二金刚石材料层。 半导体结构可以包括诸如GaN的III族氮化物材料，其可以嵌入在第一金刚石材料层内或被第一和/或第二金刚石材料层包围。

公开(公告)号：US08648390B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13775309

申请日：2013-02-25

申请人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart ,  Charles R. Eddy, Jr. ,  Michael A. Mastro ,  Travis Anderson

发明人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart ,  Charles R. Eddy, Jr. ,  Michael A. Mastro ,  Travis Anderson

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

摘要： High electron mobility transistors and fabrication processes are presented in which a barrier material layer of uniform thickness is provided for threshold voltage control under an enhanced channel charge inducing material layer (ECCIML) in source and drain regions with the ECCIML layer removed in the gate region.

摘要翻译： 提出了高电子迁移率晶体管和制造工艺，其中提供均匀厚度的阻挡材料层用于在栅极区域中去除ECCIML层的源极和漏极区域内的增强沟道电荷诱导材料层（ECCIML）下的阈值电压控制。

公开(公告)号：US08384129B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12823210

申请日：2010-06-25

申请人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart ,  Charles R. Eddy, Jr. ,  Michael A Mastro ,  Travis Anderson

发明人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart ,  Charles R. Eddy, Jr. ,  Michael A Mastro ,  Travis Anderson

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

摘要： High electron mobility transistors and fabrication processes are presented in which a barrier material layer of uniform thickness is provided for threshold voltage control under an enhanced channel charge inducing material layer (ECCIML) in source and drain regions with the ECCIML layer removed in the gate region.

摘要翻译： 提出了高电子迁移率晶体管和制造工艺，其中提供均匀厚度的阻挡材料层用于在栅极区域中去除ECCIML层的源极和漏极区域内的增强沟道电荷诱导材料层（ECCIML）下的阈值电压控制。

公开(公告)号：US20100327322A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12823210

申请日：2010-06-25

申请人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart ,  Charles R. Eddy, JR. ,  Michael A. Mastro ,  Travis Anderson

发明人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart ,  Charles R. Eddy, JR. ,  Michael A. Mastro ,  Travis Anderson

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

摘要： High electron mobility transistors and fabrication processes are presented in which a barrier material layer of uniform thickness is provided for threshold voltage control under an enhanced channel charge inducing material layer (ECCIML) in source and drain regions with the ECCIML layer removed in the gate region.

摘要翻译： 提出了高电子迁移率晶体管和制造工艺，其中提供均匀厚度的阻挡材料层用于在栅极区域中去除ECCIML层的源极和漏极区域内的增强沟道电荷诱导材料层（ECCIML）下的阈值电压控制。