公开(公告)号：US09120194B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13188028

申请日：2011-07-21

申请人： Kuo-Hsiu Wei ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang ,  Chun-Ting Kuo

发明人： Kuo-Hsiu Wei ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang ,  Chun-Ting Kuo

IPC分类号： B24B7/22 ,  B24D7/14

CPC分类号： B24B7/228 ,  B24D7/14

摘要： A grinding wheel comprises an outer base with a first attached grain pad; and an inner frame with a second attached grain pad; and a spindle axis shared by the outer base and the inner frame, wherein at least one of the outer base and the inner frame can move independently along the shared spindle axis; and wherein the outer base, the inner frame, and the shared spindle axis all have a same center. A grinding system comprises an above said grinding wheel, and a wheel head attached to the shared spindle axis, capable of moving vertically, in addition to a motor driving the grinding wheel to spin; and a chuck table for fixing a wafer on top of the chuck table; wherein the grinding wheel overlaps a portion of the chuck table, each capable of spinning to the opposite direction of another.

摘要翻译： 砂轮包括具有第一附接谷物垫的外基部; 以及具有第二附着谷物垫的内框架; 以及由所述外基座和所述内框架共享的主轴，其中所述外基座和所述内框架中的至少一个可以沿着所述共享主轴轴线独立地移动; 并且其中所述外基座，所述内框架和所述共享主轴轴线都具有相同的中心。 研磨系统包括上述砂轮和附接到共享主轴轴线的能够垂直移动的砂轮头，除了驱动砂轮旋转的马达之外， 以及用于将晶片固定在卡盘台顶部的卡盘台; 其中所述砂轮与所述卡盘台的一部分重叠，所述卡盘台的每一个能够沿相反方向旋转。

公开(公告)号：US09064892B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13221160

申请日：2011-08-30

申请人： Wen Chu Hsiao ,  Ju Wen Hsiao ,  Ying Min Chou ,  Hsiang Hsiang Ko ,  Ying-Lang Wang

发明人： Wen Chu Hsiao ,  Ju Wen Hsiao ,  Ying Min Chou ,  Hsiang Hsiang Ko ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： A semiconductor structure and method for forming the same provide a high mobility stressor material suitable for use as source/drain regions or other active devices. The structure is formed in a substrate opening and is doped with an impurity such as boron in upper portions but is void of the impurity in regions that contact the surfaces of the opening. The structure is therefore resistant to out-diffusion of the dopant impurity during high temperature operations and may be formed through selective deposition using reduced pressure chemical vapor deposition or reduced pressure epitaxial deposition.

摘要翻译： 半导体结构及其形成方法提供适合用作源极/漏极区域或其它有源器件的高迁移率应力源材料。 该结构形成在衬底开口中，并且在上部掺杂有诸如硼的杂质，但是在与开口的表面接触的区域中不含杂质。 因此，该结构在高温操作期间抵抗掺杂剂杂质的扩散，并且可以通过使用减压化学气相沉积或减压外延沉积的选择性沉积来形成。

公开(公告)号：US09064770B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13551457

申请日：2012-07-17

申请人： Chun-Ting Kuo ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang ,  Kuo-Hsiu Wei

发明人： Chun-Ting Kuo ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang ,  Kuo-Hsiu Wei

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L27/14687

摘要： A method includes forming top metal lines over a semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate is a portion of a wafer having a bevel. When the top metal lines are exposed, an etchant is supplied on the bevel, wherein regions of the wafer sprayed with the etchant has an inner defining line forming a first ring having a first diameter. A trimming step is performed to trim an edge portion of the wafer, wherein an edge of a remaining portion of the wafer has a second diameter substantially equal to or smaller than the first diameter.

摘要翻译： 一种方法包括在半导体衬底上形成顶部金属线，其中半导体衬底是具有斜面的晶片的一部分。 当顶部金属线暴露时，在斜面上提供蚀刻剂，其中用蚀刻剂喷射的晶片的区域具有形成具有第一直径的第一环的内部限定线。 进行修整步骤以修剪晶片的边缘部分，其中晶片的剩余部分的边缘具有基本上等于或小于第一直径的第二直径。

公开(公告)号：US08552529B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US13488958

申请日：2012-06-05

申请人： Jung-Chih Tsao ,  Yu-Sheng Wang ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

发明人： Jung-Chih Tsao ,  Yu-Sheng Wang ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device is disclosed. The device includes a substrate; a first metal layer overlying the substrate; a dielectric layer overlying the first metal layer; and a second metal layer overlying the dielectric layer, wherein the first metal layer comprises: a first body-centered cubic lattice metal layer; a first underlayer, underlying the first body-centered cubic lattice metal layer, wherein the first underlayer is metal of body-centered cubic lattice and includes titanium (Ti), tungsten (W), molybdenum (Mo) or niobium (Nb); and a first interface of body-centered cubic lattice between the first body-centered cubic lattice metal layer and the first underlayer.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 该装置包括基板; 覆盖衬底的第一金属层; 覆盖在第一金属层上的电介质层; 以及覆盖所述电介质层的第二金属层，其中所述第一金属层包括：第一体心立方晶格金属层; 第一底层，位于第一体心立方晶格金属层下面，其中第一底层是体心立方晶格的金属，包括钛（Ti），钨（W），钼（Mo）或铌（Nb）; 以及在第一体心立方晶格金属层和第一底层之间的体心立方晶格的第一界面。

公开(公告)号：US08551193B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US13188182

申请日：2011-07-21

申请人： Shih-Chieh Chang ,  Ying-Lang Wang ,  Kei-Wei Chen

发明人： Shih-Chieh Chang ,  Ying-Lang Wang ,  Kei-Wei Chen

IPC分类号： C22C19/03 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L29/45 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665 ,  Y10T29/41

摘要： A target includes nickel and a secondary metal. The secondary metal has a volume percentage between about 1 percent and about 10 percent. The secondary metal has a density between about 5,000 kg/m3 and about 15,000 kg/m3.

摘要翻译： 目标包括镍和二次金属。 次级金属的体积百分比在约1％至约10％之间。 二次金属具有约5,000kg / m 3至约15,000kg / m 3的密度。

公开(公告)号：US20130134541A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13420279

申请日：2012-03-14

申请人： Shih-Chieh Chang ,  Jian-Shin Tsai ,  Chih-Chang Huang ,  Ing-Ju Lee ,  Ching-Yao Sun ,  Jyun-Ru Wu ,  Ching-Che Huang ,  Szu-An Wu ,  Ying-Lang Wang

发明人： Shih-Chieh Chang ,  Jian-Shin Tsai ,  Chih-Chang Huang ,  Ing-Ju Lee ,  Ching-Yao Sun ,  Jyun-Ru Wu ,  Ching-Che Huang ,  Szu-An Wu ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685

摘要： A device includes a semiconductor substrate having a front side and a backside. A photo-sensitive device is disposed at a surface of the semiconductor substrate, wherein the photo-sensitive device is configured to receive a light signal from the backside of the semiconductor substrate, and convert the light signal to an electrical signal. An amorphous-like adhesion layer is disposed on the backside of the semiconductor substrate. The amorphous-like adhesion layer includes a compound of nitrogen and a metal. A metal shielding layer is disposed on the backside of the semiconductor substrate and contacting the amorphous-like adhesion layer.

摘要翻译： 一种器件包括具有正面和背面的半导体衬底。 光敏器件设置在半导体衬底的表面处，其中光敏器件被配置为从半导体衬底的背面接收光信号，并将光信号转换为电信号。 在半导体衬底的背面设有非晶态粘接层。 非晶态粘合层包括氮和金属的化合物。 金属屏蔽层设置在半导体衬底的背面并与非晶态粘合层接触。

公开(公告)号：US20130126950A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13304235

申请日：2011-11-23

申请人： Jun-Nan Nian ,  Li-Yen Fang ,  Yu-Ting Lin ,  Shih-Chieh Chang ,  Yu-Ku Lin ,  Ying-Lang Wang

发明人： Jun-Nan Nian ,  Li-Yen Fang ,  Yu-Ting Lin ,  Shih-Chieh Chang ,  Yu-Ku Lin ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/53209 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A system and method for forming a semiconductor device is provided. An embodiment comprises forming a silicide region on a substrate along with a transition region between the silicide region and the substrate. The thickness of the silicide precursor material layer along with the annealing conditions are controlled such that there is a larger ratio of one atomic species within the transition region than another atomic species, thereby increasing the hole mobility within the transition region.

公开(公告)号：US07611589B2

公开(公告)日：2009-11-03

申请号：US11072114

申请日：2005-03-04

申请人： Jun Wu ,  Dong-Xuan Lu ,  Shih-Chi Lin ,  Wen-Long Lee ,  Yi-An Jian ,  Guang-Cheng Wang ,  Shiu-Ko JangJian ,  Chyi-Tsong Ni ,  Szu-An Wu ,  Ying-Lang Wang

发明人： Jun Wu ,  Dong-Xuan Lu ,  Shih-Chi Lin ,  Wen-Long Lee ,  Yi-An Jian ,  Guang-Cheng Wang ,  Shiu-Ko JangJian ,  Chyi-Tsong Ni ,  Szu-An Wu ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： B08B3/02 ,  B08B1/04

CPC分类号： B08B1/04 ,  B08B3/02 ,  H01L21/67051

摘要： A method for spin-on wafer cleaning. The method comprises controlling spin speed and vertical water jet pressure. The vertical jet pressure and the spin speed are substantially maintained in inverse proportion. Wafer spin speed is between 50 to 1200 rpm. Vertical wafer jet pressure is between 0.05 to 100 KPa.

摘要翻译： 旋转晶片清洗的方法。 该方法包括控制旋转速度和垂直喷水压力。 垂直喷射压力和旋转速度基本保持成反比例。 晶圆转速在50至1200rpm之间。 垂直晶片喷射压力为0.05至100KPa。

公开(公告)号：US20080211106A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US11680981

申请日：2007-03-01

申请人： Shih-Chieh Chang ,  Ying-Lang Wang ,  Kei-Wei Chen ,  Jung-Chih Tsao ,  Yu-Sheng Wang

发明人： Shih-Chieh Chang ,  Ying-Lang Wang ,  Kei-Wei Chen ,  Jung-Chih Tsao ,  Yu-Sheng Wang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/7684

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes forming a dielectric layer over a substrate. A first non-conductive barrier layer is formed over the dielectric layer. At least one opening is formed through the first non-conductive barrier layer and within the dielectric layer. A second non-conductive barrier layer is formed over the first non-conductive barrier layer and within the opening. At least a portion of the second non-conductive barrier layer is removed, thereby at least partially exposing a top surface of the first non-conductive barrier layer and a bottom surface of the opening, with the second non-conductive barrier layer remaining on sidewalls of the opening. A seed layer and conductive layer is then formed and a single polishing operation removes the seed layer and conductive layer.

摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括在衬底上形成电介质层。 在电介质层上形成第一非导电阻挡层。 通过第一非导电阻挡层和介电层内形成至少一个开口。 在第一非导电阻挡层上并在开口内形成第二非导电阻挡层。 去除第二非导电阻挡层的至少一部分，从而至少部分地暴露第一非导电阻挡层的顶表面和开口的底表面，而第二非导电阻挡层保留在侧壁上 的开幕。 然后形成种子层和导电层，并且单次抛光操作去除种子层和导电层。

公开(公告)号：US20080021585A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11683305

申请日：2007-03-07

申请人： Chang Yung Cheng ,  Hsueh-Shih Fu ,  Ying-Lang Wang ,  Chin-Kun Wang

发明人： Chang Yung Cheng ,  Hsueh-Shih Fu ,  Ying-Lang Wang ,  Chin-Kun Wang

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/41865 ,  G05B2219/31325 ,  G05B2219/45031 ,  G06Q10/0631 ,  G06Q10/06311 ,  G06Q10/06312 ,  G06Q10/06313 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/20

摘要： Aspects of the present disclosure provide a method and a system for providing a selection of golden tools for better defect density and product yield. A golden tool selection and dispatching system is provided to integrate different components for robust golden tool selection and dispatching. The golden tool selection system selects a set of golden tools based on performance of a set of manufacturing tools and provides a fully automated operational environment to produce a product using the set of golden tools.

摘要翻译： 本公开的方面提供了一种提供用于更好的缺陷密度和产品产量的黄金工具的选择的方法和系统。 提供了一个黄金工具选择和调度系统，用于集成不同的组件，用于强大的金刀选择和调度。 黄金工具选择系统基于一套制造工具的性能选择一套金工具，并提供一个完全自动化的操作环境，以使用一套金工具生产产品。