公开(公告)号：US20090192255A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12191248

申请日：2008-08-13

申请人： Yu-Ming Lin ,  Ching-Chang Hsieh ,  Lik-Hang Chau

发明人： Yu-Ming Lin ,  Ching-Chang Hsieh ,  Lik-Hang Chau

IPC分类号： C08K3/34

CPC分类号： C08K9/06 ,  C08K2201/011

摘要： The disclosed is a silica-polymeric resin composite of blending the silicon dioxide nanoparticles in thermoplastic polymer and method for manufacturing the same, thereby improving its scratch-resistance. A thermoplastic polymer is dissolved in solvent to form a thermoplastic polymer solution. The polymer solution is evenly mixed with a silicon dioxide sol, and the solvent is then removed to complete the silica-polymeric resin composite. In the silica-polymeric resin composite, the silicon dioxide nanoparticles and the thermoplastic polymer have no chemical bonding therebetween, and the silicon dioxide nanoparticles are evenly dispersed in the thermoplastic polymer.

摘要翻译： 所公开的是将二氧化硅纳米颗粒混合在热塑性聚合物中的二氧化硅 - 聚合树脂复合材料及其制造方法，从而提高其耐刮擦性。 将热塑性聚合物溶解在溶剂中以形成热塑性聚合物溶液。 将聚合物溶液与二氧化硅溶胶均匀混合，然后除去溶剂以完成二氧化硅 - 聚合物树脂复合材料。 在二氧化硅 - 聚合物树脂复合材料中，二氧化硅纳米颗粒和热塑性聚合物之间没有化学键合，并且二氧化硅纳米颗粒均匀分散在热塑性聚合物中。

公开(公告)号：US20070224399A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US10303653

申请日：2002-11-25

申请人： Oded Rabin ,  Paul Herz ,  Mildred Dresselhaus ,  Akintunde Akinwande ,  Yu-Ming Lin

发明人： Oded Rabin ,  Paul Herz ,  Mildred Dresselhaus ,  Akintunde Akinwande ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： B32B3/00

CPC分类号： C23C14/024 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/5873 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/605 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/1259 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24917

摘要： The presently disclosed invention provides for the fabrication of porous anodic alumina (PAA) films on a wide variety of substrates. The substrate comprises a wafer layer and may further include an adhesion layer deposited on the wafer layer. An anodic alumina template is formed on the substrate. When a rigid substrate such as Si is used, the resulting anodic alumina film is more tractable, easily grown on extensive areas in a uniform manner, and manipulated without danger of cracking. The substrate can be manipulated to obtain free-standing alumina templates of high optical quality and substantially flat surfaces PAA films can also be grown this way on patterned and non-planar surfaces. Furthermore, under certain conditions the resulting PAA is missing the barrier layer (partially or completely) and the bottom of the pores can be readily accessed electrically. The resultant film can be used as a template for forming an array of nanowires wherein the nanowires are deposited electrochemically into the pores of the template. By patterning the electrically conducting adhesion layer, pores in different areas of the template can be addressed independently, and can be filled electrochemically by different materials. Single-stage and multi-stage nanowire-based thermoelectric devices, consisting of both n-type and p-type nanowires, can be assembled on a silicon substrate by this method

摘要翻译： 目前公开的发明提供了在各种基底上制造多孔阳极氧化铝（PAA）膜。 衬底包括晶片层，并且还可以包括沉积在晶片层上的粘附层。 在基板上形成阳极氧化铝模板。 当使用诸如Si的刚性基材时，所得的阳极氧化铝膜更易于处理，容易在均匀的方式在广泛的区域生长，并且操作而没有开裂的危险。 可以操作基底以获得高光学质量的自立式氧化铝模板和基本平坦的表面。也可以在图案化和非平面表面上生长PAA膜。 此外，在某些条件下，所得PAA缺少阻挡层（部分或完全），并且孔的底部可以容易地电接触。 所得膜可以用作形成纳米线阵列的模板，其中纳米线电化学沉积到模板的孔中。 通过图案化导电粘合层，可以独立地解决模板的不同区域中的孔，并且可以通过不同的材料电化学填充。 由n型和p型纳米线组成的单级和多级纳米线型热电装置可以通过这种方法组装在硅衬底上

公开(公告)号：US20070048908A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11553331

申请日：2006-10-26

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L21/8232

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  Y10S977/721

摘要： A method of fabricating a nanotube field-effect transistor having unipolar characteristics and a small inverse sub-threshold slope includes forming a local gate electrode beneath the nanotube between drain and source electrodes of the transistor and doping portions of the nanotube. In a further embodiment, the method includes forming at least one trench in the gate dielectric (e.g., a back gate dielectric) and back gate adjacent to the local gate electrode. Another aspect of the invention is a nanotube field-effect transistor fabricated using such a method.

摘要翻译： 一种制造具有单极特性和小的反向亚阈值斜率的纳米管场效应晶体管的方法包括在晶体管的漏极和源极之间的纳米管下面形成局部栅电极，并掺杂纳米管的部分。 在另一实施例中，该方法包括在栅极电介质（例如，背栅极电介质）中形成至少一个沟槽和邻近局部栅电极的后栅极。 本发明的另一方面是使用这种方法制造的纳米管场效应晶体管。

公开(公告)号：US08728575B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13475167

申请日：2012-05-18

申请人： Xuesong Li ,  Yu-Ming Lin ,  Chun-Yung Sung

发明人： Xuesong Li ,  Yu-Ming Lin ,  Chun-Yung Sung

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/34

CPC分类号： C23C16/26 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/342 ,  C23C16/458 ,  C23C16/545

摘要： A method for synthesizing a thin film, the method containing the steps of: (a) providing a substrate support assembly containing at least two selectively interdigitable substrate support fixtures; (b) loading a substrate for thin film synthesis onto said at least two fixtures; (c) interdigitating said at least two fixtures; (d) positioning said at least two fixtures in a reaction chamber and forming a thin film on a surface of the substrate; and (e) unloading the substrate from said at least two fixtures.

摘要翻译： 一种用于合成薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：（a）提供包含至少两个选择性相互交叉的衬底支撑固定装置的衬底支撑组件; （b）将用于薄膜合成的基底装载到所述至少两个固定装置上; （c）交错所述至少两个固定装置; （d）将所述至少两个固定装置定位在反应室中并在所述基板的表面上形成薄膜; 和（e）从所述至少两个固定装置卸载基板。

公开(公告)号：US08680512B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13614530

申请日：2012-09-13

申请人： Phaedon Avouris ,  Damon B. Farmer ,  Yu-Ming Lin ,  Yu Zhu

发明人： Phaedon Avouris ,  Damon B. Farmer ,  Yu-Ming Lin ,  Yu Zhu

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684

摘要： A transistor structure is provided which includes a graphene layer located on an insulating layer, a first metal portion overlying a portion of the graphene layer, a second metal portion contacting and overhanging the first metal portion, a first electrode contacting a portion of the graphene layer and laterally offset from a first sidewall of the first metal portion by a lateral spacing, and a second electrode contacting another portion of the graphene layer and laterally offset from a second sidewall of the first metal portion by the lateral spacing.

摘要翻译： 提供一种晶体管结构，其包括位于绝缘层上的石墨烯层，覆盖石墨烯层的一部分的第一金属部分，与第一金属部分接触并悬垂的第二金属部分，与石墨烯层的一部分接触的第一电极 并且横向间隔地从第一金属部分的第一侧壁偏移，并且第二电极接触石墨烯层的另一部分，并且横向间隔地与第一金属部分的第二侧壁横向偏移。

公开(公告)号：US08680511B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13369901

申请日：2012-02-09

申请人： Christos D. Dimitrakopoulos ,  Damon B. Farmer ,  Alfred Grill ,  Yu-Ming Lin ,  Deborah A. Neumayer ,  Dirk Pfeiffer ,  Wenjuan Zhu

发明人： Christos D. Dimitrakopoulos ,  Damon B. Farmer ,  Alfred Grill ,  Yu-Ming Lin ,  Deborah A. Neumayer ,  Dirk Pfeiffer ,  Wenjuan Zhu

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L21/0237 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： A silicon nitride layer is provided on an uppermost surface of a graphene layer and then a hafnium dioxide layer is provided on an uppermost surface of the silicon nitride layer. The silicon nitride layer acts as a wetting agent for the hafnium dioxide layer and thus prevents the formation of discontinuous columns of hafnium dioxide atop the graphene layer. The silicon nitride layer and the hafnium dioxide layer, which collectively form a low EOT bilayer gate dielectric, exhibit continuous morphology atop the graphene layer.

摘要翻译： 在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。 氮化硅层用作二氧化铪层的润湿剂，从而防止在石墨烯层顶上形成不连续的二氧化铪塔。 共同形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶部呈现连续的形态。

公开(公告)号：US08673703B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US12620320

申请日：2009-11-17

申请人： Yu-Ming Lin ,  Jeng-Bang Yau

发明人： Yu-Ming Lin ,  Jeng-Bang Yau

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78687

摘要： A semiconductor-on-insulator structure and a method of forming the silicon-on-insulator structure including an integrated graphene layer are disclosed. In an embodiment, the method comprises processing a silicon material to form a buried oxide layer within the silicon material, a silicon substrate below the buried oxide, and a silicon-on-insulator layer on the buried oxide. A graphene layer is transferred onto the silicon-on-insulator layer. Source and drain regions are formed in the silicon-on-insulator layer, and a gate is formed above the graphene. In one embodiment, the processing includes growing a respective oxide layer on each of first and second silicon sections, and joining these silicon sections together via the oxide layers to form the silicon material. The processing, in an embodiment, further includes removing a portion of the first silicon section, leaving a residual silicon layer on the bonded oxide, and the graphene layer is positioned on this residual silicon layer.

摘要翻译： 公开了一种绝缘体上半导体结构和一种形成包括一体化石墨烯层的绝缘体上硅结构的方法。 在一个实施例中，该方法包括处理硅材料以在硅材料内形成掩埋氧化物层，在掩埋氧化物之下形成硅衬底，以及在掩埋氧化物上形成绝缘体上硅层。 将石墨烯层转移到绝缘体上硅层上。 源极和漏极区域形成在绝缘体上硅层中，并且在石墨烯上方形成栅极。 在一个实施例中，该处理包括在第一和第二硅部分中的每一个上生长相应的氧化物层，并且经由氧化物层将这些硅部分连接在一起以形成硅材料。 在一个实施例中，所述处理还包括去除所述第一硅部分的一部分，在所述键合的氧化物上留下残留的硅层，并且所述石墨烯层位于所述剩余硅层上。

公开(公告)号：US20140030636A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13559112

申请日：2012-07-26

申请人： Xin Zhao ,  Yu-Ming Lin

发明人： Xin Zhao ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  H01L31/0224 ,  B05D5/12 ,  C25F5/00 ,  H01G9/04 ,  H01G9/155 ,  H01M4/66 ,  B32B38/10 ,  B82Y99/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01M4/667 ,  H01G9/2022 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01G11/28 ,  H01M4/661 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0228 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31678

摘要： In general, in one aspect, a graphene film is used as a protective layer for current collectors in electrochemical energy conversion and storage devices. The graphene film inhibits passivation or corrosion of the underlying metals of the current collectors without adding additional weight or volume to the devices. The graphene film is highly conductive so the coated current collectors maintain conductivity as high as that of underlying metals. The protective nature of the graphene film enables less corrosion resistant, less costly and/or lighter weight metals to be utilized as current collectors. The graphene film may be formed directly on Cu or Ni current collectors using chemical vapor deposition (CVD) or may be transferred to other types of current collectors after formation. The graphene film coated current collectors may be utilized in batteries, super capacitors, dye-sensitized solar cells, and fuel and electrolytic cells.

摘要翻译： 通常，在一个方面，石墨烯膜用作电化学能量转换和存储装置中的集电器的保护层。 石墨烯膜抑制集电器底层金属的钝化或腐蚀，而不会对器件增加额外的重量或体积。 石墨烯膜具有高导电性，因此涂层集电体保持与底层金属一样高的导电率。 石墨烯膜的保护性质使得能够使用较少的耐腐蚀性，较低成本和/或较轻重量的金属作为集电器。 石墨烯膜可以使用化学气相沉积（CVD）直接在Cu或Ni集电体上形成，或者可以在形成后转移到其它类型的集电器。 石墨烯膜涂布的集电器可用于电池，超级电容器，染料敏化太阳能电池以及燃料和电解池中。

公开(公告)号：US08617941B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13007644

申请日：2011-01-16

申请人： Damon Brooks Farmer ,  Qinghuang Lin ,  Yu-Ming Lin

发明人： Damon Brooks Farmer ,  Qinghuang Lin ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/778 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： Graphene or carbon nanotube-based transistor devices and techniques for the fabrication thereof are provided. In one aspect, a transistor is provided. The transistor includes a substrate; a carbon-based material on the substrate, wherein a portion of the carbon-based material serves as a channel region of the transistor and other portions of the carbon-based material serve as source and drain regions of the transistor; a patterned organic buffer layer over the portion of the carbon-based material that serves as the channel region of the transistor; a conformal high-k gate dielectric layer disposed selectively on the patterned organic buffer layer; metal source and drain contacts formed on the portions of the carbon-based material that serve as the source and drain regions of the transistor; and a metal top-gate contact formed on the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 提供了石墨烯或碳纳米管的晶体管器件及其制造技术。 在一个方面，提供晶体管。 晶体管包括衬底; 在基板上的碳基材料，其中一部分碳基材料用作晶体管的沟道区，碳基材料的其它部分用作晶体管的源极和漏极区; 在用作晶体管的沟道区域的碳基材料的部分上的图案化有机缓冲层; 选择性地设置在图案化的有机缓冲层上的保形高k栅介质层; 形成在用作晶体管的源极和漏极区域的碳基材料的部分上的金属源极和漏极接触; 以及形成在高k栅极电介质层上的金属顶栅极接触。

公开(公告)号：US20130280427A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：US13454113

申请日：2012-04-24

申请人： Xuesong Li ,  Yu-Ming Lin ,  Chun-Yung Sung

发明人： Xuesong Li ,  Yu-Ming Lin ,  Chun-Yung Sung

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/52

摘要： An apparatus for performing film deposition, comprises an energy source, a plurality of process tubes, and a gas manifold. The energy source is adapted to direct energy into a cylindrical space. The plurality of process tubes, in turn, pass through this cylindrical space. To perform the film deposition, the gas manifold is operative to introduce a respective gas flow into each of the plurality of process tubes.

摘要翻译： 一种用于进行膜沉积的设备，包括能量源，多个处理管和气体歧管。 能量源适于将能量引导到圆柱形空间中。 多个处理管又通过该圆柱形空间。 为了执行膜沉积，气体歧管可操作以将相应的气流引入到多个处理管中的每一个中。