公开(公告)号：US06800421B2

公开(公告)日：2004-10-05

申请号：US09996762

申请日：2001-11-30

申请人： Norio Hasegawa ,  Toshihiko Tanaka

发明人： Norio Hasegawa ,  Toshihiko Tanaka

IPC分类号： G03C500

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

摘要： In order to shorten the time needed for fabricating semiconductor integrated circuit devices, a wafer is exposed while a chip area with defects of a mask is covered with a masking blade for light shielding.

摘要翻译： 为了缩短制造半导体集成电路器件所需的时间，在掩模的缺陷的芯片面积被遮光用掩模刀片覆盖的同时露出晶片。

公开(公告)号：US06794207B2

公开(公告)日：2004-09-21

申请号：US10364706

申请日：2003-02-12

申请人： Norio Hasegawa ,  Joji Okada ,  Toshihiko Tanaka ,  Kazutaka Mori ,  Ko Miyazaki

发明人： Norio Hasegawa ,  Joji Okada ,  Toshihiko Tanaka ,  Kazutaka Mori ,  Ko Miyazaki

IPC分类号： H01L2166

CPC分类号： G03F1/56 ,  G03F1/70 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/707 ,  H01L21/0274 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/95

摘要： In order to shorten the period for the development and manufacture of a semiconductor integrated circuit device, at the time of transferring integrated circuit patterns onto a wafer by an exposure process, a photomask PM1 is used which is provided partially with light shielding patterns 3a formed of a resist film, in addition to light shielding patterns formed of a metal.

摘要翻译： 为了缩短开发和制造半导体集成电路器件的周期，在通过曝光处理将集成电路图案转印到晶片上时，使用光掩模PM1，其部分地设置有由 除了由金属形成的遮光图案之外的抗蚀剂膜。

公开(公告)号：US06660438B2

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US09983172

申请日：2001-10-23

申请人： Toshihiko Tanaka ,  Norio Hasegawa

发明人： Toshihiko Tanaka ,  Norio Hasegawa

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/32 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70125

摘要： A method of manufacturing an electronic device, such as a high-speed semiconductor integrated circuit device, with improved dimensional accuracy in transferring fine patterns. Photolithography for gate patterns and wiring patterns is carried out by exposing a halftone phase-shift mask having shade areas made of resist with an oblique illumination system, and photolithography for contact hole patterns is carried out by using a photomask having a metal shade film with metal alignment wafer marks.

摘要翻译： 一种制造诸如高速半导体集成电路器件的电子器件的方法，其具有改进的精细图案转印尺寸精度。栅极图案和布线图案的光刻通过曝光具有阴影区域的半色调相移掩模 通过使用具有带有金属取向晶片标记的金属遮光膜的光掩模来进行接触孔图案的光刻。

公开(公告)号：US06645856B2

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US10170647

申请日：2002-06-14

申请人： Toshihiko Tanaka ,  Norio Hasegawa ,  Tsuneo Terasawa

发明人： Toshihiko Tanaka ,  Norio Hasegawa ,  Tsuneo Terasawa

IPC分类号： H01L2132

CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/56 ,  Y10S438/946

摘要： A pattern is transferred to a resist film on a wafer by a reduction projection exposure method using a half-tone phase-shift mask in which is formed a half-tone phase-shifter pattern including a thin-film pattern functioning as an attenuator and a resist pattern functioning as the photosensitive composition for phase adjustment. This method improves the accuracy of dimensions of the pattern transferred to the wafer.

摘要翻译： 通过使用半色调相移掩模的缩小投影曝光方法将图案转印到晶片上的抗蚀剂膜，其中形成半色调移相器图形，其包括用作衰减器的薄膜图案和 作为用于相位调整的光敏组合物的抗蚀剂图案。 该方法提高了传送到晶片的图案的尺寸精度。

公开(公告)号：US4904569A

公开(公告)日：1990-02-27

申请号：US144065

申请日：1988-01-15

申请人： Hiroshi Fukuda ,  Norio Hasegawa ,  Toshihiko Tanaka ,  Toshiei Kurosaki ,  Saburo Nonogaki ,  Yoshio Taniguchi ,  Toshiharu Matsuzawa

发明人： Hiroshi Fukuda ,  Norio Hasegawa ,  Toshihiko Tanaka ,  Toshiei Kurosaki ,  Saburo Nonogaki ,  Yoshio Taniguchi ,  Toshiharu Matsuzawa

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70575 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70241 ,  G03F7/70333 ,  G03F7/70858

摘要： An area on a photoresist film which is formed on a substrate surface having a topography, is exposed a plurality of times in such a manner that the image plane of a mask pattern is formed at a plurality of positions which are spaced apart from a reference plane in the substrate in the direction of an optical axis, and then the photoresist film is developed to form a resist pattern. According to the above method, the effective focal depth of the projection aligner used is enhanced, and moreover the reduction of the image contrast at the photoresist film is made very small by the plural exposure operations. Accordingly, a fine pattern can be formed accurately on the substrate surface having the topography.

摘要翻译： 在具有形貌的基板表面上形成的光致抗蚀剂膜上的区域被曝光多次，使得掩模图案的像平面形成在与参考平面间隔开的多个位置 在光轴方向上的基板中，然后使光致抗蚀剂膜显影以形成抗蚀剂图案。 根据上述方法，增强了所使用的投影对准器的有效焦深，并且通过多次曝光操作使得光致抗蚀剂膜上的图像对比度的降低非常小。 因此，可以在具有形貌的基板表面上精确地形成精细图案。

公开(公告)号：US07361530B2

公开(公告)日：2008-04-22

申请号：US11714837

申请日：2007-03-07

申请人： Tsuneo Terasawa ,  Toshihiko Tanaka ,  Ko Miyazaki ,  Norio Hasegawa ,  Kazutaka Mori

发明人： Tsuneo Terasawa ,  Toshihiko Tanaka ,  Ko Miyazaki ,  Norio Hasegawa ,  Kazutaka Mori

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

摘要： Productivity of a semiconductor integrated circuit device is improved. According to how many times the photomask is used, a photomask having an opaque pattern made of metal and a photomask having an opaque pattern made of a resist film are properly used, and thereby an exposure treatment is performed.

摘要翻译： 提高了半导体集成电路器件的生产率。 根据使用光掩模的次数，适当地使用具有由金属制成的不透明图案的光掩模和由抗蚀剂膜制成的不透明图案的光掩模，从而进行曝光处理。

公开(公告)号：US06939649B2

公开(公告)日：2005-09-06

申请号：US10259397

申请日：2002-09-30

申请人： Shoji Hotta ,  Norio Hasegawa ,  Toshihiko Tanaka

发明人： Shoji Hotta ,  Norio Hasegawa ,  Toshihiko Tanaka

IPC分类号： G03F1/29 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F1/29

摘要： A method of fabrication of a semiconductor integrated circuit device uses a mark having, on a first main surface of a mask substrate, a first light transmitting region, a second light transmitting region disposed at the periphery of the first light transmitting region and permitting inversion of the phase of light transmitted through the second light transmitting region relative to light transmitted through the first light transmitting region, and a light shielding region disposed at the periphery of the second light transmitting region. The second light transmitting region is formed from a first film deposited over the first main surface of the mask substrate, said light shielding region is formed by a second film deposited over the first main surface of the mask substrate via said first film, and at least one of said first film and second is formed from a resist film.

摘要翻译： 半导体集成电路器件的制造方法使用在掩模衬底的第一主表面上具有第一透光区域，设置在第一透光区域的周围的第二透光区域并允许反转 透射通过第二透光区域的光相对于透过第一透光区域的光的相位，以及设置在第二透光区域周边的遮光区域。 第二透光区域由沉积在掩模基板的第一主表面上的第一膜形成，所述遮光区域由通过所述第一膜沉积在掩模基板的第一主表面上的第二膜形成，并且至少 所述第一膜和第二膜中的一个由抗蚀剂膜形成。

公开(公告)号：US06893785B2

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：US10684391

申请日：2003-10-15

申请人： Toshihiko Tanaka ,  Norio Hasegawa

发明人： Toshihiko Tanaka ,  Norio Hasegawa

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/68 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/32 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70125

摘要： A method of manufacturing an electronic device, such as a high-speed semiconductor integrated circuit device, provides improved dimensional accuracy in transferring fine patterns. Photolithography for gate patterns and wiring patterns is carried out by exposing a halftone phase-shift mask having shade areas made of resist with an oblique illumination system, and photolithography for contact hole patterns is carried out by using a photomask having a metal shade film with metal alignment wafer marks.

摘要翻译： 诸如高速半导体集成电路器件的电子器件的制造方法在转印精细图案方面提供了改进的尺寸精度。 用于栅极图案和布线图案的光刻通过使用具有由抗蚀剂制成的阴影区域的半色调相移掩模与倾斜照明系统进行曝光，并且通过使用具有金属阴影膜与金属的光掩模进行用于接触孔图案的光刻 对准晶片标记。

公开(公告)号：US06849540B2

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US10296495

申请日：2001-08-15

申请人： Tsuneo Terasawa ,  Toshihiko Tanaka ,  Ko Miyazaki ,  Norio Hasegawa ,  Kazutaka Mori

发明人： Tsuneo Terasawa ,  Toshihiko Tanaka ,  Ko Miyazaki ,  Norio Hasegawa ,  Kazutaka Mori

IPC分类号： G03F1/54 ,  G03F1/56 ,  G03F7/20 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

摘要： Productivity of a semiconductor integrated circuit device is improved. According to how many times the photomask is used, a photomask having an opaque pattern made of metal and a photomask having an opaque pattern made of a resist film are properly used, and thereby an exposure treatment is performed.

摘要翻译： 提高了半导体集成电路器件的生产率。 根据使用光掩模的次数，适当地使用具有由金属制成的不透明图案的光掩模和由抗蚀剂膜制成的不透明图案的光掩模，从而进行曝光处理。

公开(公告)号：US06846598B2

公开(公告)日：2005-01-25

申请号：US10686723

申请日：2003-10-17

申请人： Norio Hasegawa ,  Toshihiko Tanaka ,  Joji Okada ,  Kazutaka Mori ,  Ko Miyazaki

发明人： Norio Hasegawa ,  Toshihiko Tanaka ,  Joji Okada ,  Kazutaka Mori ,  Ko Miyazaki

IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/38 ,  G03F1/40 ,  G03F1/54 ,  G03F1/56 ,  G03F1/62 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/56 ,  G03F7/0035

摘要： In order to shorten the time required to change or correct a mask pattern over a mask, light-shielding patterns formed of a resist film for integrated circuit pattern transfer are partly provided over a mask substrate constituting a photomask in addition to light-shielding patterns formed of a metal for the integrated circuit pattern transfer.

摘要翻译： 为了缩短在掩模上改变或校正掩模图案所需的时间，除了形成的遮光图案之外，在构成光掩模的掩模基板上部分地设置由用于集成电路图案转印的抗蚀剂膜形成的遮光图案 的金属用于集成电路图案转移。