公开(公告)号：US07829429B1

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11901688

申请日：2007-09-18

申请人： Craig Printy ,  Andre P. Labonte ,  Jamal Ramdani

发明人： Craig Printy ,  Andre P. Labonte ,  Jamal Ramdani

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/76264

摘要： One or more trenches can be formed around a first portion of a semiconductor substrate, and an insulating layer can be formed under the first portion of the semiconductor substrate. The one or more trenches and the insulating layer electrically isolate the first portion of the substrate from a second portion of the substrate. The insulating layer can be formed by forming a buried layer in the substrate, such as a silicon germanium layer in a silicon substrate. One or more first trenches through the substrate to the buried layer can be formed, and open spaces can be formed in the buried layer (such as by using an etch selective to silicon germanium over silicon). The one or more first trenches and the open spaces can optionally be filled with insulative material(s). One or more second trenches can be formed and filled to isolate the first portion of the substrate.

摘要翻译： 可以在半导体衬底的第一部分周围形成一个或多个沟槽，并且可以在半导体衬底的第一部分之下形成绝缘层。 一个或多个沟槽和绝缘层将衬底的第一部分与衬底的第二部分电隔离。 可以通过在硅衬底中的诸如硅锗层的衬底中形成掩埋层来形成绝缘层。 可以形成通过衬底到掩埋层的一个或多个第一沟槽，并且可以在掩埋层中形成开放空间（例如通过使用对硅上的硅锗的选择性蚀刻）。 一个或多个第一沟槽和开放空间可以可选地用绝缘材料填充。 可以形成并填充一个或多个第二沟槽以隔离衬底的第一部分。

公开(公告)号：US06583034B2

公开(公告)日：2003-06-24

申请号：US09740219

申请日：2000-12-18

申请人： Jamal Ramdani ,  Lyndee L. Hilt

发明人： Jamal Ramdani ,  Lyndee L. Hilt

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  Y10T29/41

摘要： High quality epitaxial layers of monocrystalline materials can be grown overlying monocrystalline substrates such as large silicon wafers by forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. One way to achieve the formation of a compliant substrate includes first growing an accommodating buffer layer on a silicon wafer. The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. The accommodating buffer layer is lattice matched to both the underlying silicon wafer and the overlying monocrystalline material layer. A monocrystalline graded layer, in which the lattice constant varies with the thickness of the layer, is then formed over the accommodating buffer layer, such that a lattice constant of the top of the graded layer substantially matches the lattice constant of a subsequently grown monocrystalline film.

公开(公告)号：US06356571B1

公开(公告)日：2002-03-12

申请号：US09641003

申请日：2000-08-17

申请人： Philip Anthony Kiely ,  Paul Robert Claisse ,  Jamal Ramdani

发明人： Philip Anthony Kiely ,  Paul Robert Claisse ,  Jamal Ramdani

IPC分类号： H01B500

CPC分类号： H01S5/18308 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369

摘要： A Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) (10) and a method for manufacturing the VCSEL (10). The VCSEL (10) includes a ridge structure (34), a first confinement layer (36) disposed adjacent to a portion of the ridge structure (34), and a second confinement layer (37) disposed on the first confinement layer (36) and disposed adjacent to a portion of the ridge structure (32). Carriers injected into the ridge structure (34) are confined by the first confinement layer (36).

摘要翻译： 垂直腔面发射激光器（VCSEL）（10）和VCSEL（10）的制造方法。 VCSEL（10）包括脊结构（34），与脊结构（34）的一部分相邻设置的第一限制层（36）和设置在第一限制层（36）上的第二限制层（37） 并且邻近所述脊结构（32）的一部分设置。 注入到脊结构（34）中的载体被第一限制层（36）限制。

公开(公告)号：US5943357A

公开(公告)日：1999-08-24

申请号：US912605

申请日：1997-08-18

申请人： Michael S. Lebby ,  Jamal Ramdani ,  Wenbin Jiang

发明人： Michael S. Lebby ,  Jamal Ramdani ,  Wenbin Jiang

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/323 ,  H01S3/19 ,  H01L21/20 ,  H01S3/08

CPC分类号： H01S5/0264 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/34306

摘要： A long wavelength VCSEL with a photodetector, wherein the VCSEL includes a first and second stack of DBRs disposed on a first surface of a first substrate element, having an active region sandwiched therebetween, and a PIN photodetector including a first doped region disposed on a second substrate element, a undoped region disposed on the first doped region, and a second doped region disposed on the undoped region. The PIN photodetector is mounted to an opposed surface of the first substrate element, thereby monitoring a back VCSEL emission. The device is fabricated to allow for automatic power control (APC) of the VCSEL.

摘要翻译： 一种具有光电检测器的长波长VCSEL，其中所述VCSEL包括布置在第一衬底元件的第一表面上的第一和第二堆叠DBR，所述第一和第二叠层的DBR具有夹在其间的有源区和PIN光检测器，所述PIN光检测器包括设置在第二衬底元件上的第一掺杂区域 衬底元件，设置在第一掺杂区域上的未掺杂区域，以及设置在未掺杂区域上的第二掺杂区域。 PIN光检测器安装在第一衬底元件的相对表面上，从而监测反向VCSEL发射。 该器件被制造成允许VCSEL的自动功率控制（APC）。

公开(公告)号：US5832017A

公开(公告)日：1998-11-03

申请号：US616419

申请日：1996-03-15

申请人： Jamal Ramdani ,  Wenbin Jiang ,  Paul Claisse

发明人： Jamal Ramdani ,  Wenbin Jiang ,  Paul Claisse

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S3/19 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01S5/183 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3434

摘要： A near IR VCSEL including a mirror stack positioned on a substrate, formed of a plurality of pairs of relatively high and low index of refraction layers a second mirror stack formed of a plurality of pairs of relatively high and low index of refraction layers, an active region sandwiched between the first stack and the second stack, the active region being formed of active layers of GaInAsP having barrier layers of GaAlAs sandwiched therebetween.

摘要翻译： 近红外VCSEL，包括位于基板上的反射镜堆叠，由多对相对较高和较低的折射率层组成，第二反射镜叠层由多对相对较高和较低的折射率折射率层组成，主动 区域夹在第一堆叠和第二堆叠之间，有源区域由具有夹在其间的GaAlAs阻挡层的GaInAsP的有源层形成。

公开(公告)号：US5741724A

公开(公告)日：1998-04-21

申请号：US774819

申请日：1996-12-27

申请人： Jamal Ramdani ,  Michael S. Lebby ,  Paige M. Holm

发明人： Jamal Ramdani ,  Michael S. Lebby ,  Paige M. Holm

IPC分类号： C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  Y10S438/967

摘要： A method of growing gallium nitride on a spinel substrate by providing a supporting substrate having a surface, and disposing a plurality of buffer layers on the surface of the supporting substrate. The plurality of buffer layers including a first buffer layer of aluminum oxynitride having a low percentage of mismatch to the spinel substrate. The second buffer layer is disposed on the first buffer layer and includes a plurality of layers of a graded aluminum oxynitride having a low dislocation density. A third buffer layer of aluminum nitride is disposed on the second buffer layer. A fourth buffer layer of gallium nitride is disposed on the third buffer layer. Subsequently, a photonic device structure, such as a laser, LED or detector, an electronic device structure, such as a field effect transistor or modulation doped field effect transistor, or an optical waveguide is fabricated on the fourth buffer layer.

摘要翻译： 一种通过提供具有表面的支撑衬底在尖晶石衬底上生长氮化镓的方法，并且在支撑衬底的表面上设置多个缓冲层。 多个缓冲层包括与尖晶石衬底失配百分比低的氮氧化铝的第一缓冲层。 第二缓冲层设置在第一缓冲层上，并且包括具有低位错密度的多层梯度的氮氧化铝。 氮化铝的第三缓冲层设置在第二缓冲层上。 氮化镓的第四缓冲层设置在第三缓冲层上。 随后，在第四缓冲层上制造诸如激光，LED或检测器之类的光子器件结构，诸如场效应晶体管或调制掺杂场效应晶体管的电子器件结构或光波导。

公开(公告)号：US5638392A

公开(公告)日：1997-06-10

申请号：US441270

申请日：1995-05-15

申请人： Jamal Ramdani ,  Michael S. Lebby ,  Piotr Grodzinski

发明人： Jamal Ramdani ,  Michael S. Lebby ,  Piotr Grodzinski

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S3/19

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/0212 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32333 ,  H01S5/34326

摘要： A short wavelength vertical cavity surface emitting laser (101) is provided. A substrate (102) having a surface (103), wherein the substrate (102) includes gallium arsenide phosphide is formed. A first stack of mirrors (106) overlying the first surface (103) of the substrate (102) is formed. A first cladding region (107) is formed overlying the first stack of mirrors (106). An active region (108) is formed overlying the first cladding region (107). A second cladding region (109) is formed overlying the active region (108). A second stack of mirrors (110) is formed overlying the second cladding region (109). A contact region (126) is formed overlying the second stack of mirrors (110).

摘要翻译： 提供了一种短波长垂直腔面发射激光器（101）。 具有表面（103）的基板（102），其中形成基板（102）包括砷化镓磷化物。 形成覆盖衬底（102）的第一表面（103）的第一叠反射镜（106）。 第一包层区域（107）形成在第一反射镜叠层（106）上。 在第一包层区（107）上形成有源区（108）。 第二包层区域（109）形成在有源区域（108）上。 在第二包层区域（109）上形成第二层反射镜（110）。 接触区域（126）形成在第二反射镜叠层（110）上。

公开(公告)号：US5633886A

公开(公告)日：1997-05-27

申请号：US520061

申请日：1995-08-28

申请人： Jamal Ramdani ,  Michael S. Lebby ,  Hsing-Chung Lee

发明人： Jamal Ramdani ,  Michael S. Lebby ,  Hsing-Chung Lee

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S3/19

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3434

摘要： A short wavelength VCSEL including a mirror stack positioned on a substrate, formed of a plurality of pairs of relatively high and low index of refraction layers a second mirror stack formed of a plurality of pairs of relatively high and low index of refraction layers, an active region sandwiched between the first stack and the second stack, the active region being formed of quantum well layers of GaAsP having barrier layers of GaInP sandwiched therebetween, the quantum well and barrier layers having substantially equal and opposite lattice mismatch.

摘要翻译： 一种短波长VCSEL，其包括位于基板上的反射镜堆叠，由多对相对较高和较低的折射率折射率层组成，第二反射镜叠层由多对相对较高和较低的折射率折射率层组成， 区域夹在第一堆叠和第二堆叠之间，有源区域由GaAsP的量子阱层形成，其中GaInP的阻挡层夹在其间，量子阱和势垒层具有基本相等且相反的晶格失配。

公开(公告)号：US08940620B2

公开(公告)日：2015-01-27

申请号：US13374206

申请日：2011-12-15

申请人： Alexei Koudymov ,  Jamal Ramdani ,  Kierthi Swaminathan

发明人： Alexei Koudymov ,  Jamal Ramdani ,  Kierthi Swaminathan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/2007 ,  Y10T428/2495

摘要： A composite wafer includes a first substrate having a first vertical thickness and a top surface, the top surface being prepared in a state for subsequent semiconductor material epitaxial deposition. A carrier substrate is disposed beneath the first substrate. The carrier substrate has a second vertical thickness greater than the first vertical thickness. An interlayer bonds the first substrate to the carrier substrate.

摘要翻译： 复合晶片包括具有第一垂直厚度和顶表面的第一基板，该顶表面准备在随后的半导体材料外延沉积的状态。 载体基板设置在第一基板的下方。 载体衬底具有大于第一垂直厚度的第二垂直厚度。 中间层将第一衬底粘结到载体衬底上。

公开(公告)号：US08633094B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13373811

申请日：2011-12-01

申请人： Jamal Ramdani ,  Linlin Liu ,  John Paul Edwards

发明人： Jamal Ramdani ,  Linlin Liu ,  John Paul Edwards

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of fabricating a multi-layer structure for a power transistor device includes performing, within a reaction chamber, a nitrogen plasma strike, resulting in the formation of a nitride layer directly on a nitride-based active semiconductor layer. A top surface of the nitride layer is then exposed to a second source. A subsequent nitrogen-oxygen plasma strike results in the formation of an oxy-nitride layer directly on the nitride layer. The nitride layer comprises a passivation layer and the oxy-nitride layer comprises a gate dielectric of the power transistor device.

摘要翻译： 制造用于功率晶体管器件的多层结构的方法包括在反应室内进行氮等离子体冲击，直接在氮化物基有源半导体层上形成氮化物层。 然后将氮化物层的顶表面暴露于第二源。 随后的氮 - 氧等离子体冲击导致氮化物层直接在氮化物层上形成。 氮化物层包括钝化层，氧化氮化物层包括功率晶体管器件的栅极电介质。