公开(公告)号：US20130113031A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13288275

申请日：2011-11-03

申请人： Shing Ann Luo ,  Yung-Tai Hung ,  Chin-Ta Su ,  Tahone Yagn

发明人： Shing Ann Luo ,  Yung-Tai Hung ,  Chin-Ta Su ,  Tahone Yagn

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28114 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11558 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7841

摘要： A memory cell having a kinked polysilicon layer structure, or a polysilicon layer structure with a top portion being narrower than a bottom portion, may greatly reduce random single bit (RSB) failures and may improve high density plasma (HDP) oxide layer fill-in by reducing defects caused by various impurities and/or a polysilicon layer short path. A kinked polysilicon layer structure may also be applied to floating gate memory cells either at the floating gate structure or the control gate structure.

摘要翻译： 具有扭结多晶硅层结构的存储单元或具有比底部部分更窄的顶部的多晶硅层结构可以大大减少随机单位（RSB）故障，并且可以改善高密度等离子体（HDP）氧化物层填充 通过减少由各种杂质和/或多晶硅层短路导致的缺陷。 扭转多晶硅层结构也可以在浮动栅极结构或控制栅极结构处施加到浮动栅极存储器单元。

公开(公告)号：US08288280B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US11780024

申请日：2007-07-19

申请人： Yung-Tai Hung ,  Chin-Tsan Yeh ,  Chin-Ta Su ,  Ling-Wu Yang ,  Tung-Han Chuang

发明人： Yung-Tai Hung ,  Chin-Tsan Yeh ,  Chin-Ta Su ,  Ling-Wu Yang ,  Tung-Han Chuang

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/3212 ,  H01L21/32105

摘要： A conductor removal process is described, which is applied to a substrate that has thereon a plurality of patterns and a blanket conductor layer covering the patterns. An upper portion of the blanket conductor layer entirely over the patterns is oxidized to form a dielectric layer. A CMP step is performed to remove the dielectric layer and a portion of the remaining conductor layer in turn and thereby expose the patterns.

摘要翻译： 描述了导体去除工艺，其应用于其上具有多个图案的基板和覆盖图案的覆盖层导体层。 橡皮布导体层的整个图案上方的上部被氧化以形成电介质层。 执行CMP步骤以依次去除电介质层和剩余导体层的一部分，从而暴露图案。

公开(公告)号：US20110056432A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12945666

申请日：2010-11-12

申请人： Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

发明人： Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556

摘要： A method for depositing a barrier layer onto a substrate is disclosed. A layer of titanium (Ti) is deposited onto the substrate using an ionized metal plasma (IMP) physical vapor deposition process. The IMP process includes: generating gaseous ions, accelerating the gaseous ions towards a titanium target, sputtering the titanium atoms from the titanium target with the gaseous ions, ionizing the titanium atoms using a plasma, and depositing the ionized titanium atoms onto the substrate to form the layer of Ti. A first layer of titanium nitride (TiN) is deposited onto the layer of Ti using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process. A second layer of TiN is deposited onto the first layer of TiN using a thermal chemical vapor deposition process. The newly completed barrier layer is annealed in the presence of nitrogen at a temperature of between about 500° C. to about 750° C.

摘要翻译： 公开了一种在衬底上沉积阻挡层的方法。 使用电离金属等离子体（IMP）物理气相沉积工艺将一层钛（Ti）沉积到衬底上。 IMP过程包括：产生气体离子，将气态离子加速到钛靶，用钛离子溅射钛原子与气态离子，使用等离子体离子化钛原子，并将离子化的钛原子沉积到基底上形成 Ti层。 使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺将第一层氮化钛（TiN）沉积到Ti层上。 使用热化学气相沉积工艺将第二层TiN沉积到第一TiN层上。 将新完成的阻挡层在氮气存在下在约500℃至约750℃的温度下进行退火。

公开(公告)号：US07625819B2

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：US11806541

申请日：2007-06-01

申请人： Tuung Luoh ,  Ling-Wu Yang ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

发明人： Tuung Luoh ,  Ling-Wu Yang ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76828

摘要： An interconnection process is provided. The process includes the following steps. Firstly, a semiconductor base having at least a electrical conductive region is provided. Next, a dielectric layer with a contact hole is formed to cover the semiconductor base, wherein the contact hole exposes part of the electrical conductive region. Then, a thermal process is performed on the semiconductor base covered with the dielectric layer. Lastly, a conductive layer is formed on the dielectric layer, wherein the conductive layer is electrically connected to the electrical conductive region through the contact hole.

摘要翻译： 提供互连过程。 该过程包括以下步骤。 首先，设置至少具有导电区域的半导体基板。 接下来，形成具有接触孔的电介质层以覆盖半导体基底，其中接触孔暴露部分导电区域。 然后，对覆盖有电介质层的半导体基板进行热处理。 最后，在电介质层上形成导电层，其中导电层通过接触孔与导电区电连接。

公开(公告)号：US20090033915A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12248547

申请日：2008-10-09

申请人： Tuung Luoh ,  Sheng-Hui Hsieh ,  Shing-Ann Luo ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

发明人： Tuung Luoh ,  Sheng-Hui Hsieh ,  Shing-Ann Luo ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

IPC分类号： G01N21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01J37/32972 ,  G01N21/68 ,  H01J37/32935

摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.

摘要翻译： 提供了一种用于等离子体处理机的先进过程控制（APC）系统，其包括至少一个光发射光谱（OES）系统和APC分析装置。 OES系统用于监测等离子体处理机中的测试对象。 APC分析装置用于分析从OES系统接收到的数据。

公开(公告)号：US20080132061A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11950319

申请日：2007-12-04

申请人： Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

发明人： Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

IPC分类号： H01L21/4763 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556

摘要： A method for depositing a barrier layer onto a substrate is disclosed. A layer of titanium (Ti) is deposited onto the substrate using an ionized metal plasma (IMP) physical vapor deposition process. The IMP process includes: generating gaseous ions, accelerating the gaseous ions towards a titanium target, sputtering the titanium atoms from the titanium target with the gaseous ions, ionizing the titanium atoms using a plasma, and depositing the ionized titanium atoms onto the substrate to form the layer of Ti. A first layer of titanium nitride (TiN) is deposited onto the layer of Ti using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process. A second layer of TiN is deposited onto the first layer of TiN using a thermal chemical vapor deposition process. The newly completed barrier layer is annealed in the presence of nitrogen at a temperature of between about 500° C. to about 750° C.

摘要翻译： 公开了一种在衬底上沉积阻挡层的方法。 使用电离金属等离子体（IMP）物理气相沉积工艺将一层钛（Ti）沉积到衬底上。 IMP过程包括：产生气体离子，将气态离子加速到钛靶，用钛离子溅射钛原子与气态离子，使用等离子体离子化钛原子，并将离子化的钛原子沉积到基底上形成 Ti层。 使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺将第一层氮化钛（TiN）沉积到Ti层上。 使用热化学气相沉积工艺将第二层TiN沉积到第一TiN层上。 将新完成的阻挡层在氮气存在下在约500℃至约750℃的温度下进行退火。

公开(公告)号：US07341910B2

公开(公告)日：2008-03-11

申请号：US10192565

申请日：2002-07-11

申请人： Tzung-Ting Han ,  Chin-Ta Su ,  Yun-Chi Yang

发明人： Tzung-Ting Han ,  Chin-Ta Su ,  Yun-Chi Yang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4916 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42324

摘要： This invention provides a method for forming a microcrystalline polysilicon layer by using silane or dislane with introducing hydrogen gas. This microcrystalline polysilicon layer can be used as a floating gate of a flash memory to improve the character of the flash memory.

摘要翻译： 本发明提供一种通过使用硅烷或二异氰酸酯引入氢气来形成微晶多晶硅层的方法。 该微晶多晶硅层可以用作闪存的浮动栅极以改善闪存的特性。

公开(公告)号：US07235496B2

公开(公告)日：2007-06-26

申请号：US10711512

申请日：2004-09-23

申请人： Chien-Hung Lu ,  Chin-Ta Su

发明人： Chien-Hung Lu ,  Chin-Ta Su

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/4584

摘要： A high density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD) process is disclosed. First, a first deposition step is performed on a wafer. Then, the wafer is rotated with an angle. A second deposition step is performed for completing the deposition. By the rotation of the wafer, the thin film is formed with a desired uniformity.

摘要翻译： 公开了一种高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）工艺。 首先，在晶片上进行第一沉积步骤。 然后，晶片以一定角度旋转。 执行第二沉积步骤以完成沉积。 通过晶片的旋转，以期望的均匀性形成薄膜。

公开(公告)号：US20060237802A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11110862

申请日：2005-04-21

申请人： Lee-Jen Chen ,  Chin-Ta Su ,  Kuang-Wen Liu ,  Chien-Hung Lu ,  Shing-Ann Luo

发明人： Lee-Jen Chen ,  Chin-Ta Su ,  Kuang-Wen Liu ,  Chien-Hung Lu ,  Shing-Ann Luo

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/31612 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/316 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

摘要： A method for forming a memory device includes providing a substrate, providing a plurality of features on the substrate, and forming a silicon-rich dielectric layer over the features. An inter-layer dielectric (ILD) or inter-metal dielectric (IMD) layer may be formed by a spin-on-glass (SOG) process on the silicon-rich dielectric layer, the silicon-rich dielectric layer preventing diffusion of a solvent used in the SOG process.

摘要翻译： 用于形成存储器件的方法包括提供衬底，在衬底上提供多个特征，以及在特征上形成富硅介电层。 层间电介质（ILD）或金属间电介质（IMD）层可以通过在富硅介电层上的旋涂玻璃（SOG）工艺形成，富硅介电层防止溶剂扩散 用于SOG过程。

公开(公告)号：US20060094232A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US10976539

申请日：2004-10-29

申请人： Chin-Ta Su ,  Jerry Lai ,  Yu-Lin Yen

发明人： Chin-Ta Su ,  Jerry Lai ,  Yu-Lin Yen

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7685

摘要： A method is provided for forming a semiconductor device that reduces metal-stress-induced photo misalignment by incorporating a multi-layered anti-reflective coating over a metal layer. The method includes providing a substrate with a conductive layer formed over the substrate, depositing a multi-layered anti-reflective coating (including alternating layers of titanium and titanium nitride), defining a plurality of conductive lines in connection with a first etching step, depositing a dielectric layer, and defining at least one via in connection with a second etching step.

摘要翻译： 提供了一种形成半导体器件的方法，该半导体器件通过在金属层上并入多层抗反射涂层来减少金属应力诱导的光失准。 该方法包括：在衬底上形成导电层的衬底，沉积多层抗反射涂层（包括钛和氮化钛的交替层），与第一蚀刻步骤相结合形成多条导电线，沉积 介电层，并且与第二蚀刻步骤相关地限定至少一个通孔。