公开(公告)号：US08861267B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13413118

申请日：2012-03-06

申请人： Changkyu Seol ,  Euncheol Kim ,  Junjin Kong ,  Hong Rak Son

发明人： Changkyu Seol ,  Euncheol Kim ,  Junjin Kong ,  Hong Rak Son

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/34 ,  H01L27/115 ,  G11C11/56

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3427 ,  G11C2211/5641 ,  H01L27/11578

摘要： A nonvolatile memory device includes a memory cell array having multiple memory blocks. Each memory block includes memory cells arranged at intersections of multiple word lines and multiple bit lines. At least one word line of the multiple word lines is included in an upper word line group and at least one other word line of the multiple word lines is included in a lower word line group. The number of data bits stored in memory cells connected to the at least one word line included in the upper word line group is different from the number of data bits stored in memory cells connected to the at least one other word line included in the lower word line group.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括具有多个存储块的存储单元阵列。 每个存储块包括布置在多个字线和多个位线的交点处的存储器单元。 多个字线的至少一个字线被包括在上部字线组中，并且多个字线的至少一个其它字线被包括在下部字线组中。 连接到包括在上部字线组中的至少一个字线的存储器单元中存储的数据位的数量不同于存储在连接到包含在下一个字中的至少一个其它字线的存储器单元中的数据位的数量 线组。

公开(公告)号：US08730738B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13211743

申请日：2011-08-17

申请人： Eun Chu Oh ,  Hong Rak Son ,  KyoungLae Cho ,  Junjin Kong

发明人： Eun Chu Oh ,  Hong Rak Son ,  KyoungLae Cho ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454

摘要： Methods of operating nonvolatile memory devices including a plurality of cell strings each having at least one ground selection transistor, a plurality of memory cells, and at least one string selection transistor, the operating methods including receiving a command and an address, determining a voltage applying time in response to the input command and address, and applying a specific voltage to memory cells of cell strings corresponding to the input address during the determined voltage applying time.

摘要翻译： 操作包括多个单元串的非易失性存储器件的方法，每个单元串具有至少一个接地选择晶体管，多个存储单元和至少一个串选择晶体管，所述操作方法包括接收命令和地址，确定施加的电压 响应于输入命令和地址的时间，以及在确定的电压施加时间期间，将特定电压施加到对应于输入地址的单元串的存储单元。

公开(公告)号：US08717817B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13161940

申请日：2011-06-16

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Heeseok Eun ,  Junjin Kong

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Heeseok Eun ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459

摘要： A method of programming a non-volatile memory device including a plurality of strings arranged in rows and columns comprises activating all or a part of selection lines in one column at the same time depending upon data to be programmed, driving a bit line corresponding to the one column with a bit line program voltage, and repeating the activating and the driving until bit lines corresponding to the columns are all driven.

摘要翻译： 一种编程包括以行和列排列的多个串的非易失性存储器件的方法包括根据要编程的数据同时激活一列中的一列中的全部或一部分选择线，驱动对应于 具有位线编程电压的一列，并重复激活和驱动，直到与列相对应的位线都被驱动。

公开(公告)号：US09646706B2

公开(公告)日：2017-05-09

申请号：US15070122

申请日：2016-03-15

申请人： Hyejeong So ,  Junjin Kong ,  Changkyu Seol ,  Hong Rak Son ,  Seonghyeog Choi

发明人： Hyejeong So ,  Junjin Kong ,  Changkyu Seol ,  Hong Rak Son ,  Seonghyeog Choi

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/26 ,  G11C16/10 ,  G11C29/52 ,  H03M13/27 ,  H03M13/29 ,  H03M13/00 ,  G06F11/10 ,  G11C16/04 ,  G11C29/02 ,  G11C29/42 ,  G11C7/10

CPC分类号： G11C16/26 ,  G06F11/1048 ,  G11C7/1006 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42 ,  G11C29/52 ,  H03M13/2707 ,  H03M13/271 ,  H03M13/2789 ,  H03M13/2909 ,  H03M13/6508

摘要： An operating method is for a storage device that includes a nonvolatile memory and a memory controller configured to control the nonvolatile memory. The operating method may include the memory controller receiving a read request from an external device, the memory controller adjusting a read scheme according to target data indicated by the read request among data of one page of the nonvolatile memory, and the memory controller reading the target data from the nonvolatile memory according to the adjusted read scheme.

公开(公告)号：US20160148703A1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：US14883922

申请日：2015-10-15

申请人： KWANGHOON KIM ,  Younggeon Yoo ,  Junjin Kong

发明人： KWANGHOON KIM ,  Younggeon Yoo ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483

摘要： An operation method of a nonvolatile memory system in accordance with example embodiments of inventive concepts includes detecting an on-cell count of the memory cells using a sampling start voltage, comparing the detected on-cell count with a reference value, setting a plurality of sampling voltages based on the comparison result, performing a sampling operation with respect to the memory cells using the sampling voltages, and detecting an optimum read voltage for distinguishing any one program state among the program states based on a result of the sampling operation.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施例的非易失性存储器系统的操作方法包括使用采样开始电压来检测存储器单元的单元计数，将检测到的单元计数与参考值进行比较，设置多个采样 基于比较结果的电压，使用采样电压对存储单元执行采样操作，并且基于采样操作的结果，检测用于区分程序状态中的任何一个程序状态的最佳读取电压。

公开(公告)号：US09251099B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US14091684

申请日：2013-11-27

申请人： Kwanghoon Kim ,  Seongsik Hwang ,  Junjin Kong ,  Dongsoo Jun

发明人： Kwanghoon Kim ,  Seongsik Hwang ,  Junjin Kong ,  Dongsoo Jun

IPC分类号： G06F21/79 ,  G06F12/14 ,  G06F21/64

CPC分类号： G06F12/1433 ,  G06F21/64 ,  G06F2212/202

摘要： Memory modules and authorization systems include a nonvolatile memory, an authentication engine configured to receive an initialization request from a user system, configured to generate a certification value based on device identifiers of devices includes in the user system in response to the initialization request and configured to control access to the nonvolatile memory based on the certification value, and a certification value storage configured to store the certification value.

摘要翻译： 存储器模块和授权系统包括非易失性存储器，被配置为从用户系统接收初始化请求的认证引擎，被配置为基于设备的设备标识符生成认证值，所述设备标识符响应于初始化请求而包括在用户系统中并被配置为 基于所述认证值控制对所述非易失性存储器的访问，以及认证值存储器，被配置为存储所述认证值。

公开(公告)号：US09183138B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US14053893

申请日：2013-10-15

申请人： Younggeon Yoo ,  Junjin Kong ,  Changkyu Seol ,  Hong Rak Son ,  Hyunseuk Yoo

发明人： Younggeon Yoo ,  Junjin Kong ,  Changkyu Seol ,  Hong Rak Son ,  Hyunseuk Yoo

IPC分类号： G06F12/02 ,  G11C16/10 ,  G11C13/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/10 ,  G11C2013/0076

摘要： A method of programming data in a nonvolatile memory device comprises receiving program data to be programmed in selected memory cells of the nonvolatile memory device, reading data from the selected memory cells, encoding the program data using at least one encoding scheme selected from among multiple encoding schemes according to a comparison of the program data and the read data, generating flag data including encoding information, and programming the encoded program data and the flag data in the selected memory cells.

摘要翻译： 一种在非易失性存储器件中编程数据的方法包括：接收要在非易失性存储器件的选定存储器单元中编程的程序数据，从所选择的存储器单元读取数据，使用从多个编码中选择的至少一种编码方案对程序数据进行编码 根据程序数据和读取数据的比较，生成包括编码信息的标志数据，以及对选择的存储单元中的编码程序数据和标志数据进行编程的方案。

公开(公告)号：US09111626B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US14062092

申请日：2013-10-24

申请人： Kwanghoon Kim ,  Junjin Kong ,  Changkyu Seol ,  Hong Rak Son

发明人： Kwanghoon Kim ,  Junjin Kong ,  Changkyu Seol ,  Hong Rak Son

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/26 ,  G11C11/56 ,  G11C16/34 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3422 ,  G11C16/349

摘要： A memory system includes: a bit counter and a regression analyzer. The bit counter is configured to generate a plurality of count values based on data read from selected memory cells using a plurality of different read voltages, each of the plurality of count values being indicative of a number of memory cells of a memory device having threshold voltages between pairs of the plurality of different read voltages. The regression analyzer is configured to determine read voltage for the selected memory cells based on the plurality of count values using regression analysis.

摘要翻译： 存储器系统包括：位计数器和回归分析器。 位计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储器单元读取的数据生成多个计数值，多个计数值中的每一个表示具有阈值电压的存储器件的存储单元的数量 在多个不同读取电压的对之间。 回归分析器被配置为使用回归分析来基于多个计数值来确定所选择的存储器单元的读取电压。

公开(公告)号：US09059738B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13601057

申请日：2012-08-31

申请人： Biwoong Chung ,  Junjin Kong ,  Namshik Kim

发明人： Biwoong Chung ,  Junjin Kong ,  Namshik Kim

IPC分类号： H03M13/00 ,  H03M13/11 ,  G06F11/10

CPC分类号： H03M13/1111 ,  G06F11/1012

摘要： Methods of reading data from storage devices may include reading data stored in the storage device using normal read voltages; performing a first low density parity check (LDPC) decoding based on the read data; generating reliability bits of each of read bits according to the decoding result, the read bits being bits of the read data; and performing a second low density parity check (LDPC) decoding based on the read data and the reliability bits to perform a first error correction on the read data.

摘要翻译： 从存储装置读取数据的方法可以包括使用正常读取电压读取存储在存储装置中的数据; 基于读取的数据执行第一低密度奇偶校验（LDPC）解码; 根据解码结果产生每个读取比特的可靠性位，读取比特是读取数据的比特; 以及基于所述读取数据和所述可靠性位执行第二低密度奇偶校验（LDPC）解码，以对所读取的数据执行第一纠错。

公开(公告)号：US20120257455A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13211743

申请日：2011-08-17

申请人： Eun Chu Oh ,  Hong Rak Son ,  KyoungLae Cho ,  Junjin Kong

发明人： Eun Chu Oh ,  Hong Rak Son ,  KyoungLae Cho ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454

摘要： Methods of operating nonvolatile memory devices including a plurality of cell strings each having at least one ground selection transistor, a plurality of memory cells, and at least one string selection transistor, the operating methods including receiving a command and an address, determining a voltage applying time in response to the input command and address, and applying a specific voltage to memory cells of cell strings corresponding to the input address during the determined voltage applying time.

摘要翻译： 操作包括多个单元串的非易失性存储器件的方法，每个单元串具有至少一个接地选择晶体管，多个存储单元和至少一个串选择晶体管，所述操作方法包括接收命令和地址，确定施加的电压 响应于输入命令和地址的时间，以及在确定的电压施加时间期间，将特定电压施加到对应于输入地址的单元串的存储单元。