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    Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists
    41.
    发明授权
    Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists 失效
    用于光致抗蚀剂的顶部抗反射涂层中的金属离子还原

    公开(公告)号：US5516886A

    公开(公告)日：1996-05-14

    申请号：US258898

    申请日：1994-06-10

    申请人： M. Dalil Rahman ,  Dana L. Durham

    发明人： M. Dalil Rahman ,  Dana L. Durham

    IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08F6/06 ,  C08J7/00 ,  G03C1/00

    CPC分类号： G03F7/091

    摘要： The present invention provides methods for producing top anti-reflective coating compositions having a very low level of metal ions, utilizing specially treated ion exchange resins. A method is also provided for producing semiconductor devices using such top anti-reflective coating compositions.

    摘要翻译： 本发明提供了利用特殊处理的离子交换树脂生产具有非常低水平金属离子的顶部抗反射涂料组合物的方法。 还提供了一种用于制造使用这种顶部抗反射涂层组合物的半导体器件的方法。

    Photoactive Compounds
    43.
    发明申请
    Photoactive Compounds 失效
    光活性化合物

    公开(公告)号：US20080153032A1

    公开(公告)日：2008-06-26

    申请号：US11613403

    申请日：2006-12-20

    申请人： M. Dalil Rahman ,  Takanori Kudo

    发明人： M. Dalil Rahman ,  Takanori Kudo

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C07C309/63 ,  C07C313/04

    CPC分类号： C07C311/48 ,  C07C43/225 ,  C07C309/04 ,  C07C309/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12

    摘要： The present application relates to a compound of formula where X is selected from the group CF3SO3, C4F9SO3, N(SO2C2F5)2, N(SO2CF3SO2C4F9), N(SO2C3F7)2, N(SO2C4F9)2, CF3CHFO(CF2)2SO3, and CH3CH2CH2O(CF2)4SO3. A photoresist composition comprising a polymer containing an acid labile group, the above compounds, and one or more additional photoacid generators is also provided for.

    摘要翻译： 本申请涉及下式的化合物，其中X选自CF 3，SO 3，C 4 H 9， N（SO 2 CO 2）3 N 2 SO 2， >，N（SO 2，CF 3）3，SO 3，S 3，N 3， N（SO 2）2，N（SO 2 H 2 SO 3） CF 3（CH 2）2 CF 3，CF 3 CH 2（CF 2） 2 3 3和CH 3 3 CH 2 CH 2 O（CF 3） 4 3 3。 还提供了包含含有酸不稳定基团的聚合物，上述化合物和一种或多种另外的光酸产生剂的光致抗蚀剂组合物。

    Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
    45.
    发明授权
    Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds 有权
    用于深紫外光刻的光致抗蚀剂组合物，其包含光活性化合物的混合物

    公开(公告)号：US06991888B2

    公开(公告)日：2006-01-31

    申请号：US10439472

    申请日：2003-05-16

    申请人： Munirathna Padmanaban ,  Takanori Kudo ,  Sangho Lee ,  Ralph R. Dammel ,  M. Dalil Rahman

    发明人： Munirathna Padmanaban ,  Takanori Kudo ,  Sangho Lee ,  Ralph R. Dammel ,  M. Dalil Rahman

    IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F2/46 ,  C07C53/00 ,  G03C5/00

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/115

    摘要： The present invention relates to a novel photoresist composition that can be developed with an aqueous alkaline solution, and is capable of being imaged at exposure wavelengths in the deep ultraviolet. The invention also relates to a process for imaging the novel photoresist as well as novel photoacid generators.The novel photoresist comprises a) a polymer containing an acid labile group, and b) a novel mixture of photoactive compounds, where the mixture comprises a lower absorbing compound selected from structure 1 and 2, and a higher absorbing compound selected from structure 4 and 5, where, R1 and R2 R5, R6, R7, R8, and R9 are defined herein; m=1–5; X− is an anion, and Ar is selected from naphthyl, anthracyl, and structure 3, where R30, R31, R32, R33, and R34 are defined herein.

    摘要翻译： 本发明涉及一种可用碱性水溶液显影的新型光刻胶组合物，能够在深紫外线的曝光波长下成像。 本发明还涉及用于对新型光致抗蚀剂以及新型光酸产生剂进行成像的方法。 新型光致抗蚀剂包含a）含有酸不稳定基团的聚合物，和b）光活性化合物的新混合物，其中该混合物包含选自结构1和2的较低吸收化合物和选自结构4和5的较高吸收化合物 ，其中R 1和R 2 R 5，R 6，R 7，或N R 8，R 9和R 9在本文中定义; m = 1-5; X - 是阴离子，Ar选自萘基，蒽基和结构3，其中R 30，R 31，R SUB > 32，R 33和R 34在本文中定义。

    Photoresist composition for deep UV and process thereof
    46.
    发明授权
    Photoresist composition for deep UV and process thereof 失效
    用于深紫外线的光致抗蚀剂组合物及其工艺

    公开(公告)号：US06447980B1

    公开(公告)日：2002-09-10

    申请号：US09619336

    申请日：2000-07-19

    申请人： M. Dalil Rahman ,  Munirathna Padmanaban ,  Ralph R. Dammel

    发明人： M. Dalil Rahman ,  Munirathna Padmanaban ,  Ralph R. Dammel

    IPC分类号： G03C1492

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/115

    摘要： The present invention relates to a chemically amplified system, which is, sensitive to wavelengths between 300 nm and 100 nm, and comprises a) a polymer that is insoluble an aqueous alkaline solution and comprises at least one acid labile group, b) a compound capable of producing an acid upon radiation. The present invention comprises a polymer that is made from a alicyclic hydrocarbon olefin, an acrylate with a pendant cyclic moeity, and a cyclic anhydride. The present invention also relates to a process for imaging such a photoresist.

    摘要翻译： 本发明涉及一种化学放大系统，其对300nm至100nm之间的波长敏感，并且包括a）不溶于碱性水溶液并且包含至少一种酸不稳定基团的聚合物，b）具有能力的化合物 在辐射时产生酸。 本发明包括由脂环烃烯烃，具有侧链环状的丙烯酸酯和环状酸酐制成的聚合物。 本发明还涉及这种光致抗蚀剂的成像方法。

    Metal ion reduction in novolak resin solution using an anion exchange resin
    47.
    发明授权
    Metal ion reduction in novolak resin solution using an anion exchange resin 失效
    使用阴离子交换树脂在酚醛清漆树脂溶液中金属离子还原

    公开(公告)号：US6043002A

    公开(公告)日：2000-03-28

    申请号：US902442

    申请日：1997-07-29

    申请人： M. Dalil Rahman

    发明人： M. Dalil Rahman

    IPC分类号： C08G8/00 ,  C08G8/08 ,  C08G8/10 ,  C08G8/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/023 ,  G03F7/00

    CPC分类号： G03F7/004 ,  C08G8/00 ,  C08G8/10 ,  C08G8/28 ,  G03F7/0236

    摘要： The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resins having a very low level of metal ions, utilizing a specially treated anion exchange resin. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such novolak resins and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.

    摘要翻译： 本发明提供了利用特殊处理的阴离子交换树脂生产具有非常低水平金属离子的水不溶性水溶性酚醛清漆树脂的方法。 还提供了一种用于生产具有来自这种酚醛清漆树脂的非常低水平的金属离子并且使用这种光致抗蚀剂组合物制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物的方法。

    Process for producing a developer having a low metal ion level
    50.
    发明授权
    Process for producing a developer having a low metal ion level 失效
    具有低金属离子水平的显影剂的制造方法

    公开(公告)号：US5286606A

    公开(公告)日：1994-02-15

    申请号：US996925

    申请日：1992-12-29

    申请人： M. Dalil Rahman ,  Dana L. Durham

    发明人： M. Dalil Rahman ,  Dana L. Durham

    IPC分类号： G03F7/32 ,  H01L21/027 ,  G03C5/305

    CPC分类号： G03F7/32

    摘要： The present invention provides a process for producing a developer containing a surfactant which contains a very low level of metal ions and a process for developing light sensitive photoresist compositions, using such a developer, to produce semiconductor devices.

    摘要翻译： 本发明提供一种制备包含含有非常低水平的金属离子的表面活性剂的显影剂的方法和使用这种显影剂显影光敏性光刻胶组合物以制备半导体器件的方法。