公开(公告)号：US07868535B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11808770

申请日：2007-06-12

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Cheng-Hung Wei

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Cheng-Hung Wei

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J63/04 ,  C09K11/02 ,  C09K11/77

CPC分类号： H05B33/14 ,  C09K11/7721 ,  H01L33/502 ,  Y02B20/181

摘要： The present invention is a light emitting device which uses a specific phosphor powder. The phosphor powder is a combination of cerium (Ce) and lithium aluminum oxide (LiAlO2). They are mixed under a specific range of composition ratio. With the specific phosphor powder applied, the light emitting device has advantages in a low cost, a reduced power consumption, an easy production, a long life, and so on. In addition, a transformation efficiency of the phosphor powder is high and so a light emitting efficiency of the light emitting device is enhanced.

摘要翻译： 本发明是使用特定荧光体粉末的发光装置。 荧光体粉末是铈（Ce）和氧化铝锂（LiAlO 2）的组合。 它们在特定的组成比范围内混合。 通过使用特定的荧光体粉末，发光装置具有成本低廉，功耗降低，生产容易，寿命长等优点。 此外，荧光体粉末的转换效率高，因此发光器件的发光效率提高。

公开(公告)号：US07863164B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11808931

申请日：2007-06-13

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262

摘要： A thick gallium nitride (GaN) film is formed on a LiAlO2 substrate through two stages. First, GaN nanorods are formed on the LiAlO2 substrate through chemical vapor deposition (CVD). Then the thick GaN film is formed through hydride vapor phase epitaxy (HVPE) by using the GaN nanorods as nucleus sites. In this way, a quantum confined stark effect (QCSE) becomes small and a problem of spreading lithium element into gaps in GaN on using the LiAlO2 substrate is mended.

摘要翻译： 通过两个阶段在LiAlO 2衬底上形成厚的氮化镓（GaN）膜。 首先，通过化学气相沉积（CVD）在LiAlO 2衬底上形成GaN纳米棒。 然后通过使用GaN纳米棒作为核部位，通过氢化物气相外延（HVPE）形成厚的GaN膜。 以这种方式，量子限制效应（QCSE）变小，并且在使用LiAlO 2衬底时将锂元素扩散到GaN中的间隙中的问题被修补。

公开(公告)号：US20080233415A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11808564

申请日：2007-06-11

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： B32B15/04

CPC分类号： C30B29/20 ,  C30B29/16 ,  H01L33/0066 ,  H01S2301/173

摘要： A lithium aluminum oxide (LiAlO2) substrate suitable for a zinc oxide (ZnO) buffer layer is found. The ZnO buffer layer is grown on the LiAlO2 substrate. Because the LiAlO2 substrate has a similar structure to that of the ZnO buffer layer, a quantum confined stark effect (QCSE) is effectively eliminated. And a photoelectrical device made with the present invention, like a light emitting diode, a piezoelectric material or a laser diode, thus obtains an enhanced light emitting efficiency.

摘要翻译： 发现适用于氧化锌（ZnO）缓冲层的氧化锂铝（LiAlO 2 N 2）衬底。 ZnO缓冲层在LiAlO 2衬底上生长。 由于LiAlO 2衬底具有与ZnO缓冲层类似的结构，因此有效地消除了量子限制的Stark效应（QCSE）。 并且，通过本发明制造的光电器件，如发光二极管，压电材料或激光二极管，从而获得增强的发光效率。

公开(公告)号：US20070020873A1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：US11245163

申请日：2005-10-07

申请人： Jer-Liang Yeh ,  Jing-Yi Huang ,  Wen-Ching Hsu ,  Ya-Lan Ho ,  Sung-Lin Hsu ,  Jung-Tsung Wang

发明人： Jer-Liang Yeh ,  Jing-Yi Huang ,  Wen-Ching Hsu ,  Ya-Lan Ho ,  Sung-Lin Hsu ,  Jung-Tsung Wang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76256

摘要： The invention provides a method of manufacturing a composite wafer structure. In particular, the method, according to the invention, is based on the fracture mechanics theory to actively control fracture induced during the manufacture of the composite wafer structure and to further protect from undesired edge damage. Thereby, the method, according to the invention, can enhance the yield rate of industrial mass production regarding the composite wafer structure.

摘要翻译： 本发明提供一种制造复合晶片结构的方法。 特别地，根据本发明的方法是基于断裂力学理论来主动控制在复合晶片结构的制造过程中引起的断裂并进一步防止不希望的边缘损伤。 因此，根据本发明的方法可以提高关于复合晶片结构的工业量产的产率。

公开(公告)号：US09493357B2

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US13416525

申请日：2012-03-09

申请人： Wen-Huai Yu ,  Cheng-Jui Yang ,  Yu-Min Yang ,  Kai-Yuan Pai ,  Wen-Chieh Lan ,  Chan-Lu Su ,  Yu-Tsung Chiang ,  Sung-Lin Hsu ,  Wen-Ching Hsu ,  Chung-Wen Lan

发明人： Wen-Huai Yu ,  Cheng-Jui Yang ,  Yu-Min Yang ,  Kai-Yuan Pai ,  Wen-Chieh Lan ,  Chan-Lu Su ,  Yu-Tsung Chiang ,  Sung-Lin Hsu ,  Wen-Ching Hsu ,  Chung-Wen Lan

IPC分类号： C30B11/14 ,  C01B33/02 ,  C30B29/06 ,  C30B11/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： C01B33/02 ,  C30B11/002 ,  C30B11/006 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/259

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of fabricating the same are provided. The method utilizes a nucleation promotion layer to facilitate a plurality of silicon grains to nucleate on the nucleation promotion layer from a silicon melt and grow in a vertical direction into silicon grains until the silicon melt is completely solidified. The increment rate of defect density in the silicon ingot along the vertical direction has a range of 0.01%/mm˜10%/mm.

摘要翻译： 提供一种晶体硅锭及其制造方法。 该方法利用成核促进层促进多个硅晶粒在硅熔体上在成核促进层上成核并在垂直方向上生长成硅晶粒，直到硅熔体完全固化。 硅锭沿垂直方向的缺陷密度增加率为0.01％/ mm〜10％/ mm。

公开(公告)号：US09315918B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US13416765

申请日：2012-03-09

申请人： Sung-Lin Hsu ,  Cheng-Jui Yang ,  Pei-Kai Huang ,  Sheng-Hua Ni ,  Yu-Min Yang ,  Ming-Kung Hsiao ,  Wen-Huai Yu ,  Ching-Shan Lin ,  Wen-Ching Hsu ,  Chung-Wen Lan

发明人： Sung-Lin Hsu ,  Cheng-Jui Yang ,  Pei-Kai Huang ,  Sheng-Hua Ni ,  Yu-Min Yang ,  Ming-Kung Hsiao ,  Wen-Huai Yu ,  Ching-Shan Lin ,  Wen-Ching Hsu ,  Chung-Wen Lan

IPC分类号： C01B33/02 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B11/006 ,  C01B33/02 ,  C30B9/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/02 ,  C30B11/14 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of fabricating the same are disclosed. The crystalline silicon ingot of the invention includes multiple silicon crystal grains growing in a vertical direction of the crystalline silicon ingot. The crystalline silicon ingot has a bottom with a silicon crystal grain having a first average crystal grain size of less than about 12 mm. The crystalline silicon ingot has an upper portion, which is about 250 mm away from said bottom, with a silicon crystal grain having a second average crystal grain size of greater than about 14 mm.

摘要翻译： 公开了一种晶体硅锭及其制造方法。 本发明的结晶硅锭包括在晶体硅锭的垂直方向上生长的多个硅晶粒。 晶体硅锭的底部具有第一平均晶粒尺寸小于约12mm的硅晶粒。 晶体硅锭的上部距离所述底部约250mm，硅晶粒具有大于约14mm的第二平均晶粒尺寸。

公开(公告)号：US20120292630A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13154445

申请日：2011-06-07

申请人： Yew-Chung Sermon Wu ,  Feng-Ching Hsiao ,  Yu-Chung Chen ,  Bo-Hsiang Tseng ,  Bo-Wen Lin ,  Chun-Yen Peng ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Yew-Chung Sermon Wu ,  Feng-Ching Hsiao ,  Yu-Chung Chen ,  Bo-Hsiang Tseng ,  Bo-Wen Lin ,  Chun-Yen Peng ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/30

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/007

摘要： A light emitting diode (LED) substrate including a sapphire substrate is provided. The sapphire substrate has a surface consisting of a plurality of upper trigonal and lower hexagonal tapers, wherein each of the upper trigonal and lower hexagonal tapers is consisted of a hexagonal taper and a trigonal taper on the hexagonal taper, and a pitch of the upper trigonal and lower hexagonal tapers is less than 10 μm. This LED substrate has high light-emitting efficiency.

摘要翻译： 提供了包括蓝宝石衬底的发光二极管（LED）衬底。 蓝宝石衬底具有由多个上三角和六边形锥形组成的表面，其中上三角形和六边形锥形中的每一个由六边形锥形和六边形锥形上的三角锥形组成，并且上三角形 而较低的六角形锥度小于10μm。 该LED基板具有高发光效率。

公开(公告)号：US20110303143A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13098051

申请日：2011-04-29

申请人： Chung-Wen Lan ,  Ya-Lu Tsai ,  Sung-Lin Hsu ,  Chao-Kun Hsieh ,  Wen-Chieh Lan ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Chung-Wen Lan ,  Ya-Lu Tsai ,  Sung-Lin Hsu ,  Chao-Kun Hsieh ,  Wen-Chieh Lan ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： C30B11/02 ,  C01B33/021

CPC分类号： C30B11/14 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/02 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

摘要： An approach is provided for a method to manufacture a crystalline silicon ingot. The method comprises providing a mold formed for melting and cooling a silicon feedstock by using a directional solidification process, disposing a barrier layer inside the mold, disposing one or more silicon crystal seeds on the barrier layer, loading the silicon feedstock on the silicon crystal seeds, heating the mold to obtain a silicon melt, and cooling the mold by the directional solidification process to solidify the silicon melt into a silicon ingot. The mold is heated until the silicon feedstock is fully melted and the silicon crystal seeds are at least partially melted.

摘要翻译： 提供了一种制造晶体硅锭的方法。 该方法包括提供通过使用定向凝固方法熔化和冷却硅原料而形成的模具，在模具内设置阻挡层，在阻挡层上设置一个或多个硅晶体种子，将硅原料装载到硅晶种上 ，加热模具以获得硅熔体，并通过定向凝固工艺冷却模具，将硅熔体固化成硅锭。 将模具加热直到硅原料完全熔化，硅晶体晶种至少部分熔化。

公开(公告)号：US20100330730A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12493209

申请日：2009-06-28

申请人： Lu-Sheng HONG ,  Wen-Ching Hsu ,  Szu-Hua Ho

发明人： Lu-Sheng HONG ,  Wen-Ching Hsu ,  Szu-Hua Ho

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention discloses a method of manufacturing a solar cell by forming two electrode layers on the same side of a wafer, and avoiding sunlight incident to another side from being blocked by the electrode layers to enhance the photoelectric conversion efficiency, and each electrode layer is formed by using a mask layer to perform a vapor deposition process, without requiring any mask lithography or etching process. Of course, the issue of a high-temperature process that deteriorates the quality of the wafer no longer exists.

摘要翻译： 本发明公开了一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，在晶片的同一侧形成两个电极层，避免入射到另一侧的太阳光被电极层阻挡，提高光电转换效率， 通过使用掩模层进行气相沉积工艺形成，而不需要任何掩模光刻或蚀刻工艺。 当然，不再存在劣化晶片质量的高温处理的问题。

公开(公告)号：US20080233671A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11808565

申请日：2007-06-11

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A light emitting diode (LED) is made. The LED had a LiAlO2 substrate and a GaN layer. Between them, there is a zinc oxide (ZnO) layer. Because GaN and ZnO have a similar. Wurtzite structure, GaN can easily grow on ZnO. By using the ZnO layer, the GaN layer is successfully grown as a single crystal thin film on the LiAlO2 substrate. Thus, GaN defect density is reduced and lattice match is obtained to have a good crystal interface quality and an enhanced light emitting efficiency of a device thus made.

摘要翻译： 制造发光二极管（LED）。 LED具有LiAlO 2 N 2衬底和GaN层。 在它们之间，存在氧化锌（ZnO）层。 因为GaN和ZnO有类似的。 纤锌矿结构，GaN可以容易地在ZnO上生长。 通过使用ZnO层，GaN层在LiAlO 2衬底上成功生长为单晶薄膜。 因此，GaN缺陷密度降低，并且获得晶格匹配以具有良好的晶体界面质量和提高的发光效率。