公开(公告)号：US20100127397A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12591617

申请日：2009-11-25

申请人： Wei-Yo Chen ,  Yen-Wen Chen ,  Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Tzer-Perng Chen

发明人： Wei-Yo Chen ,  Yen-Wen Chen ,  Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Tzer-Perng Chen

IPC分类号： H01L23/482

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/02 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022433 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor device includes a substrate, a semiconductor system having an active layer formed on the substrate and an electrode structure formed on the semiconductor system, wherein the layout of the electrode structure having at least a first conductivity type contact zone or a first conductivity type bonding pad, a second conductivity type bonding pad, a first conductivity type extension electrode, and a second conductivity type extension electrode wherein the first conductivity type extension electrode and the second conductivity type extension electrode have three-dimensional crossover, and partial of the first conductivity type extension electrode and the first conductivity type contact zone or the first conductivity type bonding pad are on the opposite sides of the active layer.

摘要翻译： 光电子半导体器件包括衬底，具有形成在衬底上的有源层和形成在半导体系统上的电极结构的半导体系统，其中具有至少第一导电类型接触区或第一导电类型的电极结构的布局 接合焊盘，第二导电型接合焊盘，第一导电型延伸电极和第二导电型延伸电极，其中第一导电类型延伸电极和第二导电类型延伸电极具有三维交叉，部分第一导电性 第一导电型接触区或第一导电型接合垫位于有源层的相对侧上。

公开(公告)号：US07615796B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11256400

申请日：2005-10-19

申请人： Chih-Chiang Lu ,  Ling-Chin Huang ,  Jen-Shul Wang ,  Wen-Huang Liu ,  Min-Hsun Hsieh

发明人： Chih-Chiang Lu ,  Ling-Chin Huang ,  Jen-Shul Wang ,  Wen-Huang Liu ,  Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A light emitting diode (LED) utilizes an adhesive layer to adhere a light emitting layer to a substrate. The LED further comprises an electrode buffer layer to enhance the adhesion between the electrode and the light emitting diode, and thus to improve the yield rate of the LED.

摘要翻译： 发光二极管（LED）利用粘合剂层将发光层粘附到基底上。 LED还包括电极缓冲层，以增强电极和发光二极管之间的粘附，从而提高LED的产率。

公开(公告)号：US20090162960A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12379561

申请日：2009-02-25

申请人： Ta-Cheng Hsu ,  Jung-Min Hwang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Ya-Lan Yang ,  De-Shan Kuo ,  Tsun-Kai Ko ,  Chien-Fu Shen ,  Ting-Chia Ko ,  Schang-Jing Hon

发明人： Ta-Cheng Hsu ,  Jung-Min Hwang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Ya-Lan Yang ,  De-Shan Kuo ,  Tsun-Kai Ko ,  Chien-Fu Shen ,  Ting-Chia Ko ,  Schang-Jing Hon

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L33/0095

摘要： A method for manufacturing a light-emitting device comprising the steps of cutting a light-emitting unit by a laser beam, and cleaning the light-emitting unit by an acid solution to remove by-products resulted from the laser cutting.

摘要翻译： 一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：用激光束切割发光单元，用酸溶液清洗发光单元，除去激光切割产生的副产物。

公开(公告)号：US20080190479A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12068887

申请日：2008-02-13

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Pai-Hsiang Wang

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Pai-Hsiang Wang

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/052 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L25/0756 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronical semiconductor device having a bonding structure comprises a first optoelectronical structure, a second optoelectronical structure, and a transparent bonding structure formed in-between.

摘要翻译： 具有接合结构的光电子半导体器件包括第一光电子结构，第二光电结构和在其间形成的透明结合结构。

公开(公告)号：US07154121B2

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：US10605808

申请日：2003-10-29

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Wen-Huang Liu

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Wen-Huang Liu

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/09 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L2933/0091

摘要： A light emitting device includes a micro-reflection structure carrier, which is formed by performing etching process on a carrier, a reflection layer, a light emitting layer, and a transparent adhesive layer, wherein the reflection layer is formed over the micro-reflection structure carrier and adheres to the light emitting layer through the transparent adhesive layer.

摘要翻译： 发光器件包括通过对载体，反射层，发光层和透明粘合剂层进行蚀刻工艺形成的微反射结构载体，其中反射层形成在微反射结构上 并通过透明粘合剂层粘附到发光层。

公开(公告)号：US20060126343A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11302732

申请日：2005-12-13

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Chou-Chih Yin ,  Chia-Liang Hsu ,  Jen-Shui Wang ,  Chia-Fen Tsai ,  Chien-Yuan Wang

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Chou-Chih Yin ,  Chia-Liang Hsu ,  Jen-Shui Wang ,  Chia-Fen Tsai ,  Chien-Yuan Wang

IPC分类号： F21V5/00

CPC分类号： F21K9/61 ,  F21K9/00 ,  F21Y2115/10

摘要： A tube type light emitting diode light source including a light source generator, a light guide and a diffuser is provided. The light source generator includes LEDs arranging in a line. The light guide has a grooved light incident surface and a grooved light-guiding surface. The grooved light incident surface encompasses the LEDs, and the grooved light-guiding surface is adapted for changing the propagating direction of an incident light. The diffuser covers the light guide.

摘要翻译： 提供了包括光源发生器，光导和扩散器的管式发光二极管光源。 光源发生器包括排列成一行的LED。 光导具有凹槽的光入射表面和带槽的光导表面。 带槽的光入射表面包围LED，并且带槽的光导表面适于改变入射光的传播方向。 扩散器覆盖光导。

公开(公告)号：US20060076571A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：US11222803

申请日：2005-09-12

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Chou-Chih Yin ,  Chien-Yuan Wang ,  Jen-Shui Wang ,  Chia-Fen Tsai ,  Chia-Liang Hsu

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Chou-Chih Yin ,  Chien-Yuan Wang ,  Jen-Shui Wang ,  Chia-Fen Tsai ,  Chia-Liang Hsu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/641 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor light-emitting element assembly, comprising a composite substrate, a circuit layout carrier, a connecting structure, a recess, and a semiconductor light-emitting element, is disclosed. The connecting structure is used for bonding the composite substrate with the circuit layout carrier. The recess is formed by the circuit layout carrier and extends toward the composite substrate. The semiconductor light-emitting element is deposited in the recess and electrically connected to the circuit layout carrier.

摘要翻译： 公开了一种半导体发光元件组件，包括复合衬底，电路布局载体，连接结构，凹部和半导体发光元件。 连接结构用于将复合基板与电路布线载体接合。 凹部由电路布局载体形成并朝向复合基板延伸。 半导体发光元件沉积在凹槽中并电连接到电路布局载体。

公开(公告)号：US20060006524A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US11160589

申请日：2005-06-29

申请人： Min-Hsun Hsieh

发明人： Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L23/10

CPC分类号： H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention is related to a light emitting diode having an adhesive layer provided with heat paths. In the present invention, an adhesive layer is formed to bond the substrate and the LED stack. There are a plurality of metal protrusions or semiconductor protrusions passing through the adhesive layer to form heat-dissipation paths to improve the heat-dissipation effect of the LED so as to enhance the stability and the light-emitting efficiency of the LED.

摘要翻译： 本发明涉及具有设置有热路的粘合剂层的发光二极管。 在本发明中，形成粘合层以将基板和LED叠层结合。 通过粘合层有多个金属突起或半导体突起，以形成散热路径，以提高LED的散热效果，从而提高LED的稳定性和发光效率。

公开(公告)号：US06972208B2

公开(公告)日：2005-12-06

申请号：US10709663

申请日：2004-05-21

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Keun-Ru Chuang ,  Shane-Shyan Wey ,  Chih-Chiang Lu ,  Ming-Jiunn Jou ,  Shu-Wen Sung ,  Chia-Cheng Liu ,  Chao-Nien Huang

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Keun-Ru Chuang ,  Shane-Shyan Wey ,  Chih-Chiang Lu ,  Ming-Jiunn Jou ,  Shu-Wen Sung ,  Chia-Cheng Liu ,  Chao-Nien Huang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8238 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/2007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

摘要： A light emitting diode having a transparent substrate and a method for manufacturing the same. The light emitting diode is formed by creating two semiconductor multilayers and bonding them. The first semiconductor multilayer is formed on a non-transparent substrate. The second semiconductor multilayer is created by forming an amorphous interface layer on a transparent substrate. The two semiconductor multilayers are bonded and the non-transparent substrate is removed, leaving a semiconductor multilayer with a transparent substrate.

摘要翻译： 一种具有透明基板的发光二极管及其制造方法。 发光二极管通过产生两个半导体多层并结合而形成。 第一半导体多层形成在非透明基板上。 通过在透明基板上形成非晶界面层来形成第二半导体多层。 将两个半导体多层结合，并且去除非透明衬底，留下具有透明衬底的半导体多层。

公开(公告)号：US06936860B2

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：US10063822

申请日：2002-05-16

申请人： Shu-Wen Sung ,  Chin-Fu Ku ,  Chia-Cheng Liu ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chao-Nien Huang ,  Chen Ou ,  Chuan-Ming Chang

发明人： Shu-Wen Sung ,  Chin-Fu Ku ,  Chia-Cheng Liu ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chao-Nien Huang ,  Chen Ou ,  Chuan-Ming Chang

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/325

摘要： An LED includes an insulating substrate; a buffer layer positioned on the insulating substrate; an n+-type contact layer positioned on the buffer layer, the contact layer having a first surface and a second surface; an n-type cladding layer positioned on the first surface of the n+-type contact layer; a light-emitting layer positioned on the n-type cladding layer; a p-type cladding layer positioned on the light-emitting layer; a p-type contact layer positioned on the p-type cladding layer; an n+-type reverse-tunneling layer positioned on the p-type contact layer; a p-type transparent ohmic contact electrode positioned on the n+-type reverse-tunneling layer; and an n-type transparent ohmic contact electrode positioned on the second surface of the n+-type contact layer. The p-type transparent ohmic contact electrode and the n-type transparent ohmic contact electrode are made of the same materials.

摘要翻译： LED包括绝缘基板; 位于所述绝缘基板上的缓冲层; 位于所述缓冲层上的n + + +型接触层，所述接触层具有第一表面和第二表面; 位于n +型接触层的第一表面上的n型覆层; 定位在n型包覆层上的发光层; 位于发光层上的p型覆层; 位于p型覆层上的p型接触层; 位于p型接触层上的n + H +型反向隧穿层; 位于n + +反向隧穿层上的p型透明欧姆接触电极; 以及位于n + +型接触层的第二表面上的n型透明欧姆接触电极。 p型透明欧姆接触电极和n型透明欧姆接触电极由相同的材料制成。