公开(公告)号：US20070228429A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11757660

申请日：2007-06-04

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78621 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/847

摘要： A method of fabricating a structure and fabricating related semiconductor transistors and novel semiconductor transistor structures. The method of fabricating the structure includes: providing a substrate having a top surface; forming an island on the top surface of the substrate, a top surface of the island parallel to the top surface of the substrate, a sidewall of the island extending between the top surface of the island and the top surface of the substrate; forming a plurality of carbon nanotubes on the sidewall of the island; and performing an ion implantation, the ion implantation penetrating into the island and blocked from penetrating into the substrate in regions of the substrate masked by the island and the carbon nanotubes.

摘要翻译： 一种制造结构并制造相关半导体晶体管和新型半导体晶体管结构的方法。 制造该结构的方法包括：提供具有顶表面的基底; 在所述基板的顶表面上形成岛，所述岛的顶表面平行于所述基底的顶表面，所述岛的侧壁在所述岛的顶表面和所述基底的顶表面之间延伸; 在岛的侧壁上形成多个碳纳米管; 并且进行离子注入，所述离子注入在所述岛状体和所述碳纳米管所掩盖的基板的区域中贯穿所述岛并阻止其侵入所述基板。

公开(公告)号：US20070215224A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11276772

申请日：2006-03-14

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

IPC分类号： F15C1/06

CPC分类号： F15C1/06 ,  F04B43/043 ,  F15C5/00 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0015 ,  F16K99/0051 ,  F16K2099/0074 ,  F16K2099/0094 ,  Y10T29/49236 ,  Y10T29/49412 ,  Y10T137/2224

摘要： Micro-valves and micro-pumps and methods of fabricating micro-valves and micro-pumps. The micro-valves and micro-pumps include electrically conductive diaphragms fabricated from electrically conductive nano-fibers. Fluid flow through the micro-valves and pumping action of the micro-pumps is accomplished by applying electrostatic forces to the electrically conductive diaphragms.

摘要翻译： 微型阀门和微型泵以及制造微型阀门和微型泵的方法。 微型阀和微型泵包括由导电纳米纤维制成的导电隔膜。 通过微型阀的流体流动和微型泵的泵送作用是通过将静电力施加到导电隔膜来实现的。

公开(公告)号：US20070207604A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US11745610

申请日：2007-05-08

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： Conductive sidewall spacer structures are formed using a method that patterns structures (mandrels) and activates the sidewalls of the structures. Metal ions are attached to the sidewalls of the structures and these metal ions are reduced to form seed material. The structures are then trimmed and the seed material is plated to form wiring on the sidewalls of the structures.

摘要翻译： 使用图案结构（心轴）并激活结构的侧壁的方法形成导电侧壁间隔结构。 金属离子附着在结构的侧壁上，这些金属离子被还原成晶种。 然后对结构进行修整，并且种子材料被电镀以在结构的侧壁上形成布线。

公开(公告)号：US20070123028A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11670778

申请日：2007-02-02

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02115 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76888 ,  H01L2221/1047

摘要： Methods of forming low-k dielectric layers for use in the manufacture of semiconductor devices and fabricating semiconductor structures using the low-k dielectric material. The low-k dielectric material comprises carbon nanostructures, like carbon nanotubes or carbon buckyballs, that are characterized by an insulating electronic state. The carbon nanostructures may be converted to the insulating electronic state either before or after a layer containing the carbon nanostructures is formed on a substrate. One approach for converting the carbon nanostructures to the insulating electronic state is fluorination.

摘要翻译： 形成用于制造半导体器件的低k电介质层并使用低k电介质材料制造半导体结构的方法。 低k介电材料包括碳纳米结构，如碳纳米管或碳​​棒球，其特征在于绝缘电子状态。 碳纳米结构可以在包含碳纳米结构的层在基底上形成之前或之后转变为绝缘电子状态。 将碳纳米结构转化为绝缘电子态的一种方法是氟化。

公开(公告)号：US20070105319A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11163968

申请日：2005-11-04

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L27/1052 ,  Y10S438/95

摘要： A structure fabrication method. The method comprises providing a design structure that includes (i) a design substrate and (ii) M design normal regions on the design substrate, wherein M is a positive integer greater than 1. Next, N design sacrificial regions are added between two adjacent design normal regions of the M design normal regions, wherein N is a positive integer. Next, an actual structure is provided that includes (i) an actual substrate corresponding to the design substrate, (ii) a to-be-etched layer on the actual substrate, and (iii) a memory layer on the to-be-etched layer. Next, an edge printing process is performed on the memory layer so as to form (a) M normal memory portions aligned with the M design normal regions and (b) N sacrificial memory portions aligned with the N design sacrificial regions.

摘要翻译： 一种结构制造方法。 该方法包括提供一种设计结构，其包括（i）设计基板和（ii）设计基板上的M设计法线区域，其中M是大于1的正整数。接下来，在两个相邻设计之间添加N个设计牺牲区域 M正常区域的正常区域，其中N是正整数。 接下来，提供实际结构，其包括（i）与设计基板相对应的实际基板，（ii）实际基板上的待蚀刻层，以及（iii）待蚀刻的存储层 层。 接下来，对存储层执行边缘打印处理，以便形成（a）与M设计法线区域对准的M个正常存储器部分和（b）与N个设计牺牲区域对准的N个牺牲存储器部分。

公开(公告)号：US20070085156A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11161181

申请日：2005-10-13

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger ,  Leah Pastel

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger ,  Leah Pastel

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： G01P15/0802 ,  B82Y15/00 ,  G01P15/06 ,  G01P15/0891 ,  G01P15/135 ,  H01H1/0094 ,  H01H35/14

摘要： Acceleration and voltage measurement devices and methods of fabricating acceleration and voltage measurement devices. The acceleration and voltage measurement devices including an electrically conductive plate on a top surface of a first insulating layer; a second insulating layer on a top surface of the conductive plate, the top surface of the plate exposed in an opening in the second insulating layer; conductive nanotubes suspended across the opening, and electrically conductive contacts to said nanotubes.

摘要翻译： 加速度和电压测量装置以及制造加速度和电压测量装置的方法。 所述加速和电压测量装置包括在第一绝缘层的顶表面上的导电板; 在所述导电板的顶表面上的第二绝缘层，所述板的顶表面暴露在所述第二绝缘层的开口中; 导电纳米管悬挂在开口上，并与导电接触到所述纳米管。

公开(公告)号：US20070066009A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11162662

申请日：2005-09-19

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger ,  Kirk Peterson

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger ,  Kirk Peterson

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28132

摘要： A structure fabrication method. The method comprises providing a structure which comprises (a) a to-be-etched layer, (b) a memory region, (c) a positioning region, (d) and a capping region on top of one another. Then, the positioning region is indented. Then, a conformal protective layer is formed on exposed-to-ambient surfaces of the structure. Then, portions of the conformal protective layer are removed so as to expose the capping region to the surrounding ambient without exposing the memory region to the surrounding ambient. Then, the capping region is removed so as to expose the positioning region to the surrounding ambient. Then, the positioning region is removed so as to expose the memory region to the surrounding ambient. Then, the memory region is directionally etched with remaining portions of the conformal protection layer serving as a blocking mask.

摘要翻译： 一种结构制造方法。 该方法包括提供一种结构，该结构包括：（a）待蚀刻层，（b）存储区域，（c）位于彼此顶部的定位区域（d）和封盖区域。 然后，定位区域缩进。 然后，在结构的暴露于环境的表面上形成保形层。 然后，去除保形层的一部分，以将覆盖区域暴露于周围环境，而不会使存储区域暴露于周围环境。 然后，去除封盖区域，以将定位区域暴露于周围环境。 然后，移除定位区域，以将存储区域暴露于周围环境。 然后，存储区域被定向蚀刻，保形层的剩余部分用作阻挡掩模。

公开(公告)号：US20070051237A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11161220

申请日：2005-07-27

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

IPC分类号： B03C3/41 ,  B03C3/60

CPC分类号： B03C3/41 ,  B03C3/60 ,  B03C2201/10 ,  Y10S977/742

摘要： An air particle precipitator and a method of air filtration comprise a housing unit; a first conductor in the housing unit; a second conductor in the housing unit; and a carbon nanotube grown on the second conductor. Preferably, the first conductor is positioned opposite to the second conductor. The air particle precipitator further comprises an electric field source adapted to apply an electric field to the housing unit. Moreover, the carbon nanotube is adapted to ionize gas in the housing unit, wherein the ionized gas charges gas particulates located in the housing unit, and wherein the first conductor is adapted to trap the charged gas particulates. The air particle precipitator may further comprise a metal layer over the carbon nanotube.

摘要翻译： 空气颗粒除尘器和空气过滤方法包括壳体单元; 住房单元中的第一个导体; 壳体单元中的第二导体; 和在第二导体上生长的碳纳米管。 优选地，第一导体与第二导体相对定位。 空气粒子除尘器还包括适于向壳体单元施加电场的电场源。 此外，碳纳米管适于使壳体单元中的气体电离，其中电离气体对位于壳体单元中的气体微粒进行充电，并且其中第一导体适于捕集带电气体微粒。 空气颗粒除尘器还可以包括在碳纳米管上的金属层。

公开(公告)号：US20060226480A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US10907565

申请日：2005-04-06

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger ,  Larry Nesbit

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger ,  Larry Nesbit

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76267 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/76283

摘要： The invention relates generally to a method for fabricating oxygen-implanted semiconductors, and more particularly to a method for fabricating oxygen-implanted silicon-on-insulation (“SOI”) type semiconductors by cutting-up regions into device-sized pieces prior to the SOI-oxidation process. The process sequence to make SOI is modified so that the implant dose may be reduced and relatively long and high temperature annealing process steps may be shortened or eliminated. This simplification may be achieved if, after oxygen implant, the wafer structure is sent to pad formation, and masking and etching. After the etching, annealing or oxidation process steps may be performed to create the SOI wafer.

摘要翻译： 本发明一般涉及一种用于制造氧注入半导体的方法，更具体地说，涉及一种用于将氧注入的硅绝缘（“SOI”）型半导体通过切割区域制造成器件尺寸的片之前的方法 SOI氧化工艺。 制造SOI的工艺顺序被修改，使得可以减少注入剂量并且相对较长并且可以缩短或消除高温退火工艺步骤。 如果在氧注入之后将晶片结构发送到焊盘形成以及掩模和蚀刻，则可以实现这种简化。 在蚀刻之后，可以执行退火或氧化工艺步骤以产生SOI晶片。

公开(公告)号：US20060172547A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US10905977

申请日：2005-01-28

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Hakey ,  Steven Holmes ,  David Horak ,  Charles Koburger

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659

摘要： A method for implanting gate regions essentially without implanting regions of the semiconductor layer where source/drain regions will be later formed. The method includes the steps of (a) providing (i) a semiconductor layer, (ii) a gate dielectric layer on the semiconductor layer, (iii) a gate region on the gate dielectric layer, wherein the gate region is electrically insulated from the semiconductor layer by the gate dielectric layer; (b) forming a resist layer on the gate dielectric layer and the gate region; (c) removing a cap portion of the resist layer essentially directly above the gate region essentially without removing the remainder of the resist layer; and (d) implanting the gate region essentially without implanting the semiconductor layer.

摘要翻译： 一种注入栅极区域的方法，其基本上不注入将在其后形成源极/漏极区域的半导体层的区域。 该方法包括以下步骤：（i）在半导体层上提供（i）半导体层，（ii）栅极电介质层，（iii）栅极介电层上的栅极区域，其中栅极区域与 半导体层由栅介质层; （b）在栅介质层和栅极区上形成抗蚀剂层; （c）基本上直接在栅极区域上方去除抗蚀剂层的盖部分，而不去除抗蚀剂层的其余部分; 和（d）基本上不注入半导体层来注入栅极区域。