公开(公告)号：US20130241542A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13419564

申请日：2012-03-14

申请人： Wolfgang Raberg

发明人： Wolfgang Raberg

IPC分类号： G01R33/02

CPC分类号： H01L43/12 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/09 ,  G01R33/095 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

摘要： Embodiments relate to magnetoresistive (xMR) sensors. In an embodiment, an xMR stack structure is configured to form two different xMR elements that can be coupled to form a locally differential Wheatstone bridge. The result is a highly sensitive magnetic sensor with small dimensions and robustness against thermal drift and sensor/encoder pitch mismatch that can be produced using standard processing equipment. Embodiments also relate to methods of forming and patterning the stack structure and sensors that provide information regarding direction in addition to speed.

摘要翻译： 实施例涉及磁阻（xMR）传感器。 在一个实施例中，xMR堆叠结构被配置成形成两个不同的xMR元件，其可被耦合以形成局部差分惠斯通电桥。 结果是一种高灵敏度的磁传感器，具有尺寸小，抗热漂移和传感器/编码器间距失配的鲁棒性，可以使用标准处理设备生产。 实施例还涉及形成和图案化堆叠结构的方法以及提供除了速度之外的关于方向的信息的传感器。

公开(公告)号：US20090213642A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12036518

申请日：2008-02-25

申请人： Wolfgang Raberg ,  Ulrich Klostermann

发明人： Wolfgang Raberg ,  Ulrich Klostermann

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/22 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

摘要： According to an embodiment, an integrated circuit includes a magneto-resistive memory cell. The magneto-resistive memory cell includes: a first ferromagnetic layer; a second ferromagnetic layer; and a nonmagnetic layer being disposed between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer. The integrated circuit further includes a programming circuit configured to route a programming current through the magneto-resistive memory cell, wherein the programming current programs the magnetizations of the first ferromagnetic layer and of the second ferromagnetic layer by spin induced switching effects.

摘要翻译： 根据实施例，集成电路包括磁阻存储单元。 磁阻存储单元包括：第一铁磁层; 第二铁磁层; 并且非磁性层设置在第一铁磁层和第二铁磁层之间。 集成电路还包括编程电路，其被配置为将编程电流路由到磁阻存储器单元，其中编程电流通过自旋感应开关效应对第一铁磁层和第二铁磁层的磁化进行编程。

公开(公告)号：US20090103351A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US11877558

申请日：2007-10-23

申请人： Cay-Uwe Pinnow ,  Wolfgang Raberg ,  Faiz Dahmani

发明人： Cay-Uwe Pinnow ,  Wolfgang Raberg ,  Faiz Dahmani

IPC分类号： G11C11/24 ,  H01G9/00

CPC分类号： H01G9/025 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/71 ,  H01G9/15 ,  H01L27/24 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment of the present invention, an integrated circuit includes at least one memory device including: a reactive electrode layer, an inert electrode layer, and a solid electrolyte layer being disposed between the reactive electrode layer and the inert electrode layer; at least one interface layer being disposed between the solid electrolyte layer and the reactive electrode layer and/or between the solid electrolyte layer and the inert electrode layer. The material parameters of the at least one interface layer are chosen such that a crystallization of the solid electrolyte layer is at least partially suppressed.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，集成电路包括至少一个存储器件，包括：反应电极层，惰性电极层和固体电解质层，设置在反应电极层和惰性电极层之间; 至少一个界面层设置在固体电解质层和反应性电极层之间和/或固体电解质层和惰性电极层之间。 选择至少一个界面层的材料参数，使得至少部分地抑制固体电解质层的结晶。

公开(公告)号：US20090015252A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US12171185

申请日：2008-07-10

申请人： Wolfgang Raberg ,  Juergen Zimmer

发明人： Wolfgang Raberg ,  Juergen Zimmer

IPC分类号： G01R33/02 ,  H01F7/06

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  H01L27/22 ,  Y10T29/4902

摘要： A magnetic field sensor structure including a first magnetoresistive element in a spin-valve arrangement with a first reference layer structure with a first reference magnetization direction and a second magnetoresistive element in a spin-valve arrangement with a second reference layer structure with a second reference magnetization direction, wherein the first and second magnetoresistive elements are arranged in a layer vertically above each other and galvanically isolated from each other by an intermediate layer, and wherein the first and second reference magnetization directions are different.

摘要翻译： 一种磁场传感器结构，其包括具有第一基准磁化方向的第一参考层结构的自旋阀装置中的第一磁阻元件和具有第二参考层结构的自旋阀装置中的第二磁阻元件，所述第二参考层结构具有第二参考磁化强度 方向，其中所述第一和第二磁阻元件被布置在彼此垂直上方的层中并且通过中间层彼此电隔离，并且其中所述第一和第二参考磁化方向是不同的。

公开(公告)号：US20080203386A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11712217

申请日：2007-02-28

申请人： Ulrich Klostermann ,  Wolfgang Raberg ,  Guenter Schmid ,  Michael Sebald

发明人： Ulrich Klostermann ,  Wolfgang Raberg ,  Guenter Schmid ,  Michael Sebald

IPC分类号： H01L21/033 ,  G03C5/16

CPC分类号： H01L21/0271 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32139

摘要： A first embodiment discloses a method of forming a patterned resist layer for patterning a substrate. A resist layer is formed on or above a substrate. An inorganic layer is formed on the resist layer. The resist layer covered with the inorganic layer is lithographically exposed. The resist layer covered with the inorganic layer is patterned by etching, thereby forming a patterned resist layer.

摘要翻译： 第一实施例公开了一种形成用于图案化衬底的图案化抗蚀剂层的方法。 在基板上或上方形成抗蚀剂层。 在抗蚀剂层上形成无机层。 用无机层覆盖的抗蚀剂层被光刻曝光。 用无机层覆盖的抗蚀剂层通过蚀刻进行图案化，从而形成图案化的抗蚀剂层。

公开(公告)号：US20080006810A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11483264

申请日：2006-07-06

申请人： Chanro Park ,  Wolfgang Raberg ,  Ulrich Klostermann

发明人： Chanro Park ,  Wolfgang Raberg ,  Ulrich Klostermann

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L45/142 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： A solid state electrolyte memory structure includes a solid state electrolyte layer, a metal layer on the solid state electrolyte layer, and an etch stop layer on the metal layer.

公开(公告)号：US07149105B2

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US10785913

申请日：2004-02-24

申请人： Stephen L. Brown ,  Arunava Gupta ,  Ulrich Klostermann ,  Stuart Stephen Papworth Parkin ,  Wolfgang Raberg ,  Mahesh Samant

发明人： Stephen L. Brown ,  Arunava Gupta ,  Ulrich Klostermann ,  Stuart Stephen Papworth Parkin ,  Wolfgang Raberg ,  Mahesh Samant

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/15

摘要： Methods of manufacturing MTJ memory cells and structures thereof. A diffusion barrier is disposed between an anti-ferromagnetic layer and a pinned layer of an MTJ memory cell to improve thermal stability of the MTJ memory cell. The diffusion barrier may comprise an amorphous material or a NiFe alloy. An amorphous material may be disposed adjacent a bottom surface of a tunnel junction, within a free layer, or both. An MTJ memory cell with improved thermal stability and decreased Neel coupling is achieved.

摘要翻译： 制造MTJ记忆单元的方法及其结构。 在反铁磁层和MTJ存储单元的被钉扎层之间设置扩散阻挡层，以改善MTJ存储单元的热稳定性。 扩散阻挡层可以包括无定形材料或NiFe合金。 无定形材料可以设置在隧道结的底表面附近，在自由层内或两者之间。 实现了具有改进的热稳定性和降低的Neel耦合的MTJ存储单元。

公开(公告)号：US06985384B2

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：US10261709

申请日：2002-10-01

申请人： Gregory Costrini ,  John Hummel ,  Kia-Seng Low ,  Igor Kasko ,  Frank Findeis ,  Wolfgang Raberg

发明人： Gregory Costrini ,  John Hummel ,  Kia-Seng Low ,  Igor Kasko ,  Frank Findeis ,  Wolfgang Raberg

IPC分类号： G11C11/18

CPC分类号： H01L43/12

摘要： A magneto resistive memory device is fabricated by etching a blanket metal stack comprised of a buffer layer, pinned magnetic layer, a tunnel barrier layer and a free magnetic layer. The problem of junction shorting from resputtered metal during the etching process is eliminated by formation of a protective spacer covering the side of the freelayer and tunnel barrier interface. The spacer is formed following the first etch through the free layer which stops on the barrier layer. After spacer formation a second etch is made to isolate the device. The patterning of the device tunnel junction is made using a disposable mandrel method that enables a self-aligned contact to be made following the completion of the device patterning process.

摘要翻译： 通过蚀刻由缓冲层，钉扎磁性层，隧道势垒层和自由磁性层组成的覆盖金属堆叠来制造磁阻存储器件。 通过形成覆盖自由层和隧道屏障界面侧面的保护性间隔物，消除了在蚀刻过程期间与溅射金属接合短路的问题。 在通过在阻挡层上停止的自由层的第一次蚀刻之后形成间隔物。 在间隔物形成之后，进行第二次蚀刻以隔离该装置。 器件隧道结的图案化使用一次性心轴方法制造，其能够在器件图案化工艺完成之后进行自对准接触。

公开(公告)号：US20050277206A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US10709999

申请日：2004-06-11

申请人： Michael Gaidis ,  David Abraham ,  Stephen Brown ,  Arunava Gupta ,  Chanro Park ,  Wolfgang Raberg

发明人： Michael Gaidis ,  David Abraham ,  Stephen Brown ,  Arunava Gupta ,  Chanro Park ,  Wolfgang Raberg

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC分类号： G11C11/16 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

摘要： A method of patterning a magnetic tunnel junction (MTJ) stack is provided. According to such method, an MTJ stack is formed having a free layer, a pinned layer and a tunnel barrier layer disposed between the free layer and the pinned layer. A first area of the MTJ stack is masked while the free layer of the MTJ is exposed in a second area. The free layer is then rendered electrically and magnetically inactive in the second area.

摘要翻译： 提供了一种图案化磁性隧道结（MTJ）堆叠的方法。 根据这种方法，形成具有自由层，钉扎层和设置在自由层和被钉扎层之间的隧道势垒层的MTJ堆叠。 MTJ堆叠的第一区域被屏蔽，而MTJ的自由层在第二区域中被暴露。 然后，自由层在第二区域中被电气地且磁性地不起作用。

公开(公告)号：US20050185454A1

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：US10785913

申请日：2004-02-24

申请人： Stephen Brown ,  Arunava Gupta ,  Ulrich Klostermann ,  Stuart Papworth Parkin ,  Wolfgang Raberg ,  Mahesh Samant

发明人： Stephen Brown ,  Arunava Gupta ,  Ulrich Klostermann ,  Stuart Papworth Parkin ,  Wolfgang Raberg ,  Mahesh Samant

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/02 ,  G11C11/15 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/15

摘要： Methods of manufacturing MTJ memory cells and structures thereof. A diffusion barrier is disposed between an anti-ferromagnetic layer and a pinned layer of an MTJ memory cell to improve thermal stability of the MTJ memory cell. The diffusion barrier may comprise an amorphous material or a NiFe alloy. An amorphous material may be disposed adjacent a bottom surface of a tunnel junction, within a free layer, or both. An MTJ memory cell with improved thermal stability and decreased Neel coupling is achieved.

摘要翻译： 制造MTJ记忆单元的方法及其结构。 在反铁磁层和MTJ存储单元的被钉扎层之间设置扩散阻挡层，以改善MTJ存储单元的热稳定性。 扩散阻挡层可以包括无定形材料或NiFe合金。 无定形材料可以设置在隧道结的底表面附近，在自由层内或两者之间。 实现了具有改进的热稳定性和降低的Neel耦合的MTJ存储单元。