公开(公告)号：US07598174B1

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：US12127547

申请日：2008-05-27

申请人： Haoren Zhuang

发明人： Haoren Zhuang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/1104

摘要： Methods of patterning features, methods of patterning material layers of semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. In one embodiment, a method of patterning features includes providing a workpiece having a material layer disposed thereon. A hard mask is formed over the material layer. A first pattern is formed in an upper portion of the hard mask, and a second pattern is formed in the upper portion of the hard mask. The first pattern and the second pattern are formed in a lower portion of the hard mask and the material layer, forming the features in the material layer.

摘要翻译： 公开了图形特征的方法，图案化半导体器件的材料层的方法以及制造半导体器件的方法。 在一个实施例中，图案特征的方法包括提供具有设置在其上的材料层的工件。 在材料层上形成硬掩模。 第一图案形成在硬掩模的上部，第二图案形成在硬掩模的上部。 第一图案和第二图案形成在硬掩模和材料层的下部，形成材料层中的特征。

公开(公告)号：US20090023259A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US11779810

申请日：2007-07-18

申请人： Danny Pak-Chum Shum ,  Haoren Zhuang ,  John R. Power

发明人： Danny Pak-Chum Shum ,  Haoren Zhuang ,  John R. Power

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/11529 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： A method of forming a floating gate structure is disclosed, and includes modifying the etch chemistry of a plasma treated reactive ion etch process using an inert atom to physically damage a dielectric region. The damaged dielectric region is subsequently etched using a wet etch process.

摘要翻译： 公开了一种形成浮栅结构的方法，并且包括使用惰性原子修改等离子体处理的反应离子蚀刻工艺的蚀刻化学物理损伤电介质区域。 随后使用湿蚀刻工艺蚀刻损坏的电介质区域。

公开(公告)号：US07115522B2

公开(公告)日：2006-10-03

申请号：US10886668

申请日：2004-07-09

申请人： Kazuhiro Tomioka ,  Haoren Zhuang

发明人： Kazuhiro Tomioka ,  Haoren Zhuang

IPC分类号： H01I21/302

CPC分类号： H01L21/02071 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device including a substrate to be processed having a conductive layer essentially consisting of platinum includes etching the conductive layer, and generating plasma and cleaning the substrate, to which an etching product adhere, by means of ions in the plasma. The cleaning includes heating the substrate to a first temperature, introducing gas, which contains chlorine and nitrogen and in which a ratio of chlorine atoms to nitrogen atoms is 9:1 to 5:5, and applying high-frequency power to an electrode, on which the substrate is placed.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括具有基本上由铂组成的导电层的待加工衬底，包括蚀刻导电层，并且通过等离子体中的离子产生等离子体并清洁蚀刻产物所附着的衬底。 清洁包括将基板加热到第一温度，引入含有氯和氮的气体，其中氯原子与氮原子的比例为9:1至5:5，并将高频电力施加到电极上 放置基板。

公开(公告)号：US07098142B2

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US10377083

申请日：2003-02-26

申请人： Ulrich Egger ,  Haoren Zhuang ,  Rainer Bruchhaus

发明人： Ulrich Egger ,  Haoren Zhuang ,  Rainer Bruchhaus

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

摘要： A method of etching a ferroelectric device 100 having a ferroelectric layer 112 between a top and a bottom electrode 114, 108 is disclosed herein. Hardmasks 116, 118 are deposited on the top electrode 114, two or more hardmasks being spaced apart by narrow first regions 115 and spaced apart from other hardmasks by wider second regions 117. The top electrode 114 and ferroelectric layer 112 are then etched to pattern the top electrode 114 thus forming capacitors 102, 104, and the bottom electrode 108 is etched by a process in which the second regions are etched more slowly than the second regions. Those capacitors having a first region between them have a common bottom electrode 108, but in the second regions the bottom electrode is severed. To pattern the bottom electrode 108, a fluorine-based chemistry followed thereafter by a CO-based chemistry are used in a two step etching process.

摘要翻译： 本文公开了一种在顶部和底部电极114,108之间蚀刻具有铁电层112的铁电体元件100的方法。 硬掩模116,118沉积在顶部电极114上，两个或更多个硬掩模被狭窄的第一区域115隔开，并且由较宽的第二区域117与其它硬掩模隔开。 然后蚀刻顶部电极114和铁电层112以对顶部电极114进行图案，从而形成电容器102,104，并且通过其中第二区域被蚀刻得比第二区域更慢的工艺来蚀刻底部电极108。 那些在它们之间具有第一区域的电容器具有共同的底部电极108，但是在第二区域中，底部电极被切断。 为了对底部电极108进行图案化，其后采用基于CO的化学物质的氟基化学物质用于两步蚀刻工艺。

公开(公告)号：US06924156B2

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US10676360

申请日：2003-09-30

申请人： Haoren Zhuang ,  Ulrich Egger

发明人： Haoren Zhuang ,  Ulrich Egger

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L28/55

摘要： A ferroelectric capacitor device, such as an FeRAM device is formed by forming a substrate extending in a first plane and comprising a number of layers of material, forming a hard mask layer on the substrate and forming a first layer of a first material on the hard mask layer. The hard mask shape is then defined by etching the hard mask layer. A second layer of the first material is deposited on the etched hard mask layer. The deposited second layer has one or more side surfaces extending substantially perpendicular to the plane of the substrate. The second layer and the number of layers forming the substrate are then etched to shape the ferroelectric capacitor device.

摘要翻译： 诸如FeRAM器件的铁电电容器器件通过形成在第一平面中延伸并且包括多个材料层的衬底形成，在衬底上形成硬掩模层，并在硬质层上形成第一材料的第一层 掩模层。 然后通过蚀刻硬掩模层来限定硬掩模形状。 第一材料的第二层沉积在蚀刻的硬掩模层上。 沉积的第二层具有基本上垂直于衬底的平面延伸的一个或多个侧表面。 然后蚀刻第二层和形成衬底的层数，以形成铁电电容器器件。

公开(公告)号：US20050130076A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10734749

申请日：2003-12-11

申请人： Haoren Zhuang

发明人： Haoren Zhuang

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01G13/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239

CPC分类号： G03F7/0042 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L28/40

摘要： A method for producing a hard mask and a hard mask for use in a capacitor device comprises the steps of applying a photosensitive sol-gel layer to the capacitor device, applying a pattern to the sol-gel layer to form a patterned layer and applying a thermal decomposition treatment to the patterned layer to convert it to a hard mask layer.

摘要翻译： 一种用于制造用于电容器器件的硬掩模和硬掩模的方法包括以下步骤：将光敏溶胶 - 凝胶层施加到电容器器件上，向溶胶 - 凝胶层施加图案以形成图案化层并施加 对图案化层进行热分解处理以将其转变成硬掩模层。

公开(公告)号：US20050067649A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10672306

申请日：2003-09-26

申请人： Jenny Lian ,  Ulrich Egger ,  Haoren Zhuang

发明人： Jenny Lian ,  Ulrich Egger ,  Haoren Zhuang

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/75

摘要： A method for fabricating a device and a device, such as a ferroelectric capacitor, having a substrate, a contact plug through the substrate, a first barrier layer on the substrate, a first electrode on the first barrier layer, a dielectric layer on the first electrode, and a second electrode on the dielectric layer, comprises etching the second electrode and the dielectric layer of the device using a first hardmask, to shape the second electrode and the dielectric layer. The first hardmask is then removed and one or more encapsulating layers are applied to the second electrode and the dielectric layer. A further hardmask is applied to the one or more encapsulating layers. The first electrode is then etched according to the second hardmask down to the first barrier layer and the second hardmask is then removed from the one or more encapsulating layers.

摘要翻译： 一种制造器件和器件的方法，例如铁电电容器，具有衬底，通过衬底的接触插塞，衬底上的第一阻挡层，第一阻挡层上的第一电极，第一阻挡层上的电介质层 电极和第二电极，包括使用第一硬掩模蚀刻该器件的第二电极和介电层，以使第二电极和电介质层成型。 然后去除第一硬掩模，并且将一个或多个封装层施加到第二电极和电介质层。 另外的硬掩模应用于一个或多个封装层。 然后根据第二硬掩模将第一电极蚀刻到第一阻挡层，然后从一个或多个封装层移除第二硬掩模。

公开(公告)号：US20050051819A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10655757

申请日：2003-09-05

申请人： Bum-Ki Moon ,  Karl Hornik ,  Haoren Zhuang ,  Ulrich Egger ,  Jenny Lian ,  Andreas Hilliger

发明人： Bum-Ki Moon ,  Karl Hornik ,  Haoren Zhuang ,  Ulrich Egger ,  Jenny Lian ,  Andreas Hilliger

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/08 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L28/57 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/11507

摘要： A ferroelectric capacitor device comprises a substrate, a contact plug passing through the substrate, a first electrode formed on the substrate, the first electrode being electrically connected to said plug, a ferroelectric layer formed on the first electrode, a second electrode formed on the ferroelectric layer, one or more first encapsulation layers on the second electrode, the encapsulation layers extending over the device, and one or more hydrogen storage material layers on the encapsulation layers. One or more second encapsulation layers may be formed on the one or more hydrogen storage material layers.

摘要翻译： 铁电电容器装置包括基板，穿过基板的接触插塞，形成在基板上的第一电极，第一电极电连接到所述插头，形成在第一电极上的铁电层，形成在铁电体上的第二电极 层，在第二电极上的一个或多个第一封装层，在器件上延伸的封装层以及封装层上的一个或多个储氢材料层。 一个或多个第二封装层可以形成在一个或多个储氢材料层上。

公开(公告)号：US20050023582A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10629326

申请日：2003-07-28

申请人： Ulrich Egger ,  Haoren Zhuang ,  Rainer Bruchhaus

发明人： Ulrich Egger ,  Haoren Zhuang ,  Rainer Bruchhaus

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L28/65

摘要： A ferroelectric capacitor is fabricated using a noble metal hardmask. A hardmask is deposited on a top electrode of a capacitor stack comprising a ferroelectric layer sandwiched between the top electrode and a bottom electrode. The top electrode is patterned according to the pattern of the hardmask by etching at a first temperature. The top electrode serves as the noble metal hardmask and the ferroelectric layer is patterned according to the pattern of the top electrode at a second temperature lower than the first temperature, resulting in the top electrode having sidewalls beveled relative to a top surface of the top electrode etching. The bottom electrode is etched at a third temperature to form the capacitor.

摘要翻译： 使用贵金属硬掩模制造铁电电容器。 硬掩模沉积在电容器堆叠的顶部电极上，该电容器堆叠包括夹在顶部电极和底部电极之间的铁电层。 根据硬掩模的图案，通过在第一温度下蚀刻来对顶部电极进行图案化。 顶部电极用作贵金属硬掩模，并且铁电层根据顶部电极的图案在低于第一温度的第二温度下被图案化，导致顶部电极具有相对于顶部电极的顶表面倾斜的侧壁 蚀刻。 在第三温度下蚀刻底部电极以形成电容器。