公开(公告)号：US06919286B2

公开(公告)日：2005-07-19

申请号：US10308221

申请日：2002-11-26

申请人： Jun Yoshikawa ,  Yuji Katsuda

发明人： Jun Yoshikawa ,  Yuji Katsuda

IPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/582 ,  C04B35/5835 ,  C04B35/645 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

摘要： An aluminum nitride ceramic is provided, including 0.5 to 10 weight percent of boron atoms and 0.1 to 2.5 weight percent of carbon atoms. The ceramic has a room temperature volume resistivity not lower than 1×1014Ω·cm, and a volume resistivity at 500° C. of not lower than 1×108Ω·cm. An a-axis lattice constant of the aluminum nitride in the ceramic is not shorter than 3.112 angstrom and a c-axis lattice constant of the aluminum nitride is not shorter than 4.980 angstrom.

摘要翻译： 提供了一种氮化铝陶瓷，其包括0.5-10重量％的硼原子和0.1-2.5重量％的碳原子。 陶瓷具有不低于1×10 4Ω·cm的室温体积电阻率，并且500℃下的体积电阻率不低于1×10 8Ω·cm。 陶瓷中氮化铝的a轴晶格常数不低于3.112埃，氮化铝的c轴晶格常数不低于4.980埃。

公开(公告)号：US20050014628A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10876260

申请日：2004-06-24

申请人： Jun Yoshikawa ,  Naohito Yamada ,  Hiroya Sugimoto

发明人： Jun Yoshikawa ,  Naohito Yamada ,  Hiroya Sugimoto

IPC分类号： H05B3/14 ,  C04B35/581 ,  C04B35/582 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/80 ,  H01B1/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC分类号： C04B35/645 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/581 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  H05B3/141 ,  H05B3/145 ,  H05B2214/04 ,  Y10T428/30

摘要： An aluminum nitride sintered body containing carbon fibers is provided. This aluminum nitride sintered body is obtained by mixing carbon fibers and aluminum nitride together to form mixed powder, molding the mixed powder to form a compact, and heating and sintering the compact in any of a vacuum atmosphere, an inert atmosphere and a reductive atmosphere. By using electric conductivity and shapes with high aspect ratios of the carbon fibers, continuous electrically conductive paths are formed with a small content of the carbon fibers. In this way, a value of resistance of the aluminum nitride sintered body is reduced.

摘要翻译： 提供含有碳纤维的氮化铝烧结体。 该氮化铝烧结体通过将碳纤维和氮化铝混合在一起形成混合粉末，成型混合粉末以形成压块，并且在真空气氛，惰性气氛和还原气氛中进行加热和烧结。 通过使用碳纤维的高纵横比的电导率和形状，形成具有少量碳纤维的连续导电路径。 以这种方式，减小了氮化铝烧结体的电阻值。

公开(公告)号：US20130302992A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13885708

申请日：2011-11-16

申请人： Toshihisa Nozawa ,  Caizhong Tian ,  Masaru Sasaki ,  Naoki Mihara ,  Naoki Matsumoto ,  Kazuki Moyama ,  Jun Yoshikawa

发明人： Toshihisa Nozawa ,  Caizhong Tian ,  Masaru Sasaki ,  Naoki Mihara ,  Naoki Matsumoto ,  Kazuki Moyama ,  Jun Yoshikawa

IPC分类号： H05H1/46

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

摘要： An apparatus for plasma treatment contains a process vessel provided with a mounting table for mounting a substrate, a first gas supplying unit configured to supply a first gas into the process vessel, a first plasma generating unit configured to convert at least a part of the first gas to a first plasma, a second gas supplying unit configured to supply a second gas into the process vessel, and a second plasma generating unit configured to convert at least a part of the second gas to a second plasma. A height of ea an inlet of the second gas from the mounting table is lower than a height of an inlet of the first gas from the mounting table.

摘要翻译： 一种用于等离子体处理的装置，包括设置有用于安装基板的安装台的处理容器，构造成将第一气体供应到处理容器中的第一气体供给单元，第一等离子体产生单元，其被配置为将第一 第二气体供给单元，被配置为将第二气体供应到处理容器中;第二等离子体产生单元，被配置为将至少一部分第二气体转化为第二等离子体。 来自安装台的第二气体的入口的高度低于来自安装台的第一气体的入口的高度。

公开(公告)号：US08440270B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US12521179

申请日：2007-11-29

申请人： Eisuke Morisaki ,  Hirokatsu Kobayashi ,  Jun Yoshikawa

发明人： Eisuke Morisaki ,  Hirokatsu Kobayashi ,  Jun Yoshikawa

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

CPC分类号： H05B6/105 ,  C23C16/46 ,  H05B6/06

摘要： A film deposition apparatus which comprises: a processing chamber having a space inside which serves as a vacuum space to which a film deposition gas is supplied; a substrate supporting unit which is disposed in the vacuum space and supports a substrate; a coil which inductively heats the substrate supporting unit to thereby form a film from the film deposition gas on the substrate and which has been divided into regions; and a coil control unit which controls the coil region by region.

摘要翻译： 一种成膜装置，包括：处理室，其内部具有用作提供成膜气体的真空空间的空间; 基板支撑单元，其设置在真空空间中并支撑基板; 线圈，其感应加热所述基板支撑单元，从而从所述基板上的所述成膜气体形成膜，并且被划分为区域; 以及线圈控制单元，其逐个区域地控制线圈。

公开(公告)号：US07629282B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11724049

申请日：2007-03-14

申请人： Jun Yoshikawa ,  Yoshimasa Kobayashi ,  Naohito Yamada

发明人： Jun Yoshikawa ,  Yoshimasa Kobayashi ,  Naohito Yamada

IPC分类号： C04B35/581

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

摘要： A conductive channel formed of an (Sm, Ce)Al11O18 is interconnected in grain boundaries of aluminum nitride (AlN) particles, thereby reducing the temperature dependency of the volume resistivity of an AlN sintered body formed therefrom. At the same time, a solid solution of the AlN particles is formed with at least one of C and Mg, to prevent the conductive channel from moving into the AlN particles, thereby maintaining a high volume resistivity within the AlN particles even at a high temperature.

摘要翻译： 由（Sm，Ce）Al 11 O 18形成的导电沟道在氮化铝（AlN）颗粒的晶界处相互连接，从而降低了由其形成的AlN烧结体的体积电阻率的温度依赖性。 同时，用C和Mg中的至少一种形成AlN颗粒的固溶体，以防止导电通道移动到AlN颗粒中，从而即使在高温下也保持AlN颗粒内的高体积电阻率 。

公开(公告)号：US20090220404A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12463480

申请日：2009-05-11

申请人： Jun Yoshikawa ,  Yoshimasa Kobayashi ,  Naomi Teratani

发明人： Jun Yoshikawa ,  Yoshimasa Kobayashi ,  Naomi Teratani

IPC分类号： C01B21/072

CPC分类号： H01L21/6831 ,  C04B35/581 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/96

摘要： An aluminum nitride-based ceramic sintered body is provided, which is manufactured by sintering an aluminum nitride powder comprising aluminum nitride as a main component, carbon in an amount of 0.1 wt % or more to 1.0 wt % or less, and containing oxygen in an amount that is not greater than 0.7 wt %, wherein carbon and oxygen are dissolved in grains of the aluminum nitride powder. The a-axis length of the lattice constant of the aluminum nitride is in a range of 3.1120 Å or more to 3.1200 Å or less, and the a c-axis length of the lattice constant is in a range of 4.9810 Å or more to 4.9900 Å or less. The volume resistivity of the aluminum nitride-based ceramic sintered body at 500° C. is 109 Ω·cm or more.

摘要翻译： 提供了一种氮化铝系陶瓷烧结体，其通过以包含氮化铝为主要成分的氮化铝粉末以0.1重量％以上至1.0重量％以下的量烧结而形成， 量不大于0.7重量％，其中碳和氧溶解在氮化铝粉末的颗粒中。 氮化铝的晶格常数的a轴长度在3.1120以上至3.1200以下的范围内，晶格常数的c轴长度在4.98以上至4.9900以上的范围内 Å或更少。 在500℃下的氮化铝系陶瓷烧结体的体积电阻率为109Ω·cm以上。

公开(公告)号：US06607836B2

公开(公告)日：2003-08-19

申请号：US09982484

申请日：2001-10-18

申请人： Yuji Katsuda ,  Jun Yoshikawa ,  Masaaki Masuda ,  Chikashi Ihara

发明人： Yuji Katsuda ,  Jun Yoshikawa ,  Masaaki Masuda ,  Chikashi Ihara

IPC分类号： C04B35581

CPC分类号： H01L21/6833 ,  C04B35/581 ,  Y10T428/24917

摘要： A material with a low volume resistivity at room temperature composed of an aluminum nitride sintered body is provided. The sintered body contains samarium in a converted content calculated as samarium oxide of not lower than 0.04 mole percent. The sintered body contains an aluminum nitride phase and a samarium-aluminum complex oxide phase. The samarium-aluminum complex oxide phase forms intergranular layers with a low resistivity along the intergranular phase between aluminum nitride grains.

摘要翻译： 提供由氮化铝烧结体构成的室温体积电阻率低的材料。 烧结体含有以不低于0.04摩尔％的氧化钐计算的转化含量的钐。 烧结体包含氮化铝相和钐铝复合氧化物相。 钐铝复合氧化物相沿着氮化铝晶粒之间的晶间相形成具有低电阻率的晶间层。

公开(公告)号：US6066579A

公开(公告)日：2000-05-23

申请号：US781026

申请日：1997-01-09

申请人： Junichi Matsushita ,  Jun Yoshikawa ,  Masayuki Sanada ,  Tatsuya Shimizu

发明人： Junichi Matsushita ,  Jun Yoshikawa ,  Masayuki Sanada ,  Tatsuya Shimizu

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/3225 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  Y10S438/913

摘要： A heat treatment is performed in a hydrogen-gas containing atmosphere. A high-purity inert gas having a water content of not more than 2.57 ppm is used as a substitution gas for replacing a wafer-input air atmosphere and for replacing the hydrogen-gas containing atmosphere after the heat treatment.

摘要翻译： 在含氢气气氛中进行热处理。 使用含水量不大于2.57ppm的高纯度惰性气体作为置换气体，用于替换晶片输入空气气氛，并在热处理后更换含氢气体的气氛。

公开(公告)号：US5492229A

公开(公告)日：1996-02-20

申请号：US151386

申请日：1993-11-12

申请人： Takashi Tanaka ,  Jun Yoshikawa ,  Eiichi Toya ,  Atsuo Kitazawa ,  Kazunori Meguro ,  Tatsuo Nozawa ,  Yutaka Ishizuka ,  Yoshiyuki Watanabe ,  Masaru Seino ,  Hideo Nakanishi

发明人： Takashi Tanaka ,  Jun Yoshikawa ,  Eiichi Toya ,  Atsuo Kitazawa ,  Kazunori Meguro ,  Tatsuo Nozawa ,  Yutaka Ishizuka ,  Yoshiyuki Watanabe ,  Masaru Seino ,  Hideo Nakanishi

IPC分类号： C30B31/14 ,  H01L21/673 ,  A47F7/00

CPC分类号： H01L21/67309 ,  C30B31/14

摘要： A vertical boat for holding a plurality of semiconductor wafers comprising two end members (2) positioned at the top and the bottom of the vertical boat, and a plurality of support members (3,4,5,6,104) vertically mounted on the end members (2) for supporting the wafers, wherein each support member (3,4,5,6,104) is formed by a plate-like member having a series of slits (9,10,7,8,108) formed thereon in such a manner that a plurality of support arms are defined by the slits (9,10,7,8,108) at a predetermined interval, each support arm having a support projection (11,12,13,14,112) formed at the end thereof, and wherein the inner portions (P) of the wafer (1) is to be supported by the support projections (11,12,13,14,112) whereas the periphery of the wafer (1) does not contact the arms of the support members (3,4,5,6,104). The slits can be formed in two steps: forming a series of first slit portions on the plate-like member at a predetermined interval so as to retain two side walls of the plate-like member; and forming a series of second small slit portions on one of the side walls at the same interval so as to connect each second slit portion to the corresponding first slit portion.

摘要翻译： 一种用于保持多个半导体晶片的垂直船，包括位于垂直船的顶部和底部的两个端部构件（2）和垂直安装在端部构件上的多个支撑构件（3,4,5,6,104） （2），用于支撑晶片，其中每个支撑构件（3,4,5,6,104）由其上形成有一系列狭缝（9,10,7,8,108）的板状构件形成，其方式使得 多个支撑臂由狭缝（9,10,7,8,108）以预定的间隔限定，每个支撑臂具有在其端部形成的支撑突起（11,12,13,14,112），并且其中内部 晶片（1）的部分（P）将由支撑突起（11,12,13,14,112）支撑，而晶片（1）的周边不与支撑部件（3,4）的臂接触， 5,6,104）。 狭缝可以分成两个步骤：以预定间隔在板状构件上形成一系列第一狭缝部分，以便保持板状构件的两个侧壁; 并且在一个侧壁上以相同的间隔形成一系列第二小狭缝部分，以将每个第二狭缝部分连接到相应的第一狭缝部分。

公开(公告)号：US5153124A

公开(公告)日：1992-10-06

申请号：US393001

申请日：1989-08-11

申请人： Kouhei Furuya ,  Takao Okazaki ,  Yoshio Tsujita ,  Seigo Iwado ,  Kiyoshi Hamano ,  Masao Kuroda ,  Jun Yoshikawa ,  Toshiaki Iwai ,  Kunio Nakano

发明人： Kouhei Furuya ,  Takao Okazaki ,  Yoshio Tsujita ,  Seigo Iwado ,  Kiyoshi Hamano ,  Masao Kuroda ,  Jun Yoshikawa ,  Toshiaki Iwai ,  Kunio Nakano

IPC分类号： A61K31/225 ,  C07C67/31 ,  C07C69/675 ,  C07D309/10 ,  C07D309/30 ,  C12P7/62 ,  C12P17/06

CPC分类号： C12R1/645 ,  C07D309/10 ,  C12P17/06 ,  C12P7/62 ,  C12R1/365

摘要： Derivatives of ML-236B carboxylic acid, its salts and esters and corresponding lactone have a hydroxy group at the 3"-position and optionally also at the 6'-position. These derivatives may be prepared by the enzymatic hydroxylation of a corresponding ML-236B compound employing an enzyme produced by a microorganism of the genus Streptomyces or Amycolata, especially Streptomyces sp. SANK 62285, Streptomyces sp. SANK 62385, Streptomyces sp. SANK 62485, Streptomyces sp. SANK 62585, Amycolata autotrophica SANK 62781, Amycolata autotrophica subsp. canberrica SANK 62882 or Amycolata autotrophica subsp. amethystina SANK 62981. These derivatives have the ability to inhibit cholesterol biosynthesis.

摘要翻译： ML-236B羧酸的衍生物，其盐和酯和相应的内酯在3“位和任选也在6'位具有羟基。 这些衍生物可以通过使用由链霉菌属或Amycolata属的微生物，特别是链霉菌属（Streptomyces sp。）产生的酶的相应的ML-236B化合物的酶促羟基化来制备。 SANK 62285，Streptomyces sp。 SANK 62385，Streptomyces sp。 SANK 62485，Streptomyces sp。 SANK 62585，Amycolata autotrophica SANK 62781，Amycolata autotrophica subsp。 canberrica SANK 62882或Amycolata autotrophica subsp。 紫杉醇SANK 62981.这些衍生物具有抑制胆固醇生物合成的能力。