公开(公告)号：US07071007B2

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：US10313776

申请日：2002-12-06

申请人： Yuan-Chieh Tseng ,  Chao-Hsiung Wang ,  Tai-Bor Wu

发明人： Yuan-Chieh Tseng ,  Chao-Hsiung Wang ,  Tai-Bor Wu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L28/55

摘要： A method of forming a low-voltage drive thin film ferroelectric capacitor includes the steps of depositing a ferroelectric and platinum thin film dielectric layer over a bottom electrode, annealing the dielectric layer, wherein a nanocomposite layer is formed including nanoparticles of platinum and forming a top electrode over the dielectric layer. An integrated circuit is also provided including a ferroelectric capacitor. The capacitor includes a bottom electrode formed over a substrate and a ferroelectric and platinum thin film nanocomposite dielectric layer formed over the bottom electrode, wherein the nanocomposite layer includes nanoparticles of platinum. A top electrode is formed over the dielectric layer.

摘要翻译： 形成低电压驱动薄膜铁电电容器的方法包括以下步骤：在底部电极上沉​​积铁电和铂薄膜电介质层，对电介质层进行退火，其中形成纳米复合材料层，包括铂纳米颗粒并形成顶部 电极在电介质层上。 还提供了包括铁电电容器的集成电路。 电容器包括形成在衬底上的底部电极和形成在底部电极上的铁电和铂薄膜纳米复合电介质层，其中纳米复合层包括铂纳米颗粒。 在电介质层上形成顶部电极。

公开(公告)号：US20060097316A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US10977236

申请日：2004-10-28

申请人： Hao-Yu Chen ,  Fu-Liang Yang ,  Hung-Wei Chen ,  Ping-Kun Wu ,  Chao-Hsiung Wang

发明人： Hao-Yu Chen ,  Fu-Liang Yang ,  Hung-Wei Chen ,  Ping-Kun Wu ,  Chao-Hsiung Wang

IPC分类号： H01L27/01 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： This invention discloses a method and a semiconductor structure for integrating at least one bulk device and at least one silicon-on-insulator (SOI) device. The semiconductor structure includes a first substrate having an SOI area and a bulk area, on which the bulk device is formed; an insulation layer formed on the first substrate in the SOI area; and a second substrate, on which the SOI device is formed, stacked on the insulation layer. The surface of the first substrate is not on the substantially same plane as the surface of the second substrate.

公开(公告)号：US20060038214A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：US11253178

申请日：2005-10-18

申请人： Yuan-Chieh Tseng ,  Chao-Hsiung Wang ,  Tai-Bor Wu

发明人： Yuan-Chieh Tseng ,  Chao-Hsiung Wang ,  Tai-Bor Wu

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L28/55

摘要： A method of forming a low-voltage drive thin film ferroelectric capacitor includes the steps of depositing a ferroelectric and platinum thin film dielectric layer over a bottom electrode, annealing the dielectric layer, wherein a nanocomposite layer is formed including nanoparticles of platinum and forming a top electrode over the dielectric layer. An integrated circuit is also provided including a ferroelectric capacitor. The capacitor includes a bottom electrode formed over a substrate and a ferroelectric and platinum thin film nanocomposite dielectric layer formed over the bottom electrode, wherein the nanocomposite layer includes nanoparticles of platinum. A top electrode is formed over the dielectric layer.

摘要翻译： 形成低电压驱动薄膜铁电电容器的方法包括以下步骤：在底部电极上沉​​积铁电和铂薄膜电介质层，对电介质层进行退火，其中形成纳米复合材料层，包括铂纳米颗粒并形成顶部 电极在电介质层上。 还提供了包括铁电电容器的集成电路。 电容器包括形成在衬底上的底部电极和形成在底部电极上的铁电和铂薄膜纳米复合电介质层，其中纳米复合层包括铂纳米颗粒。 在电介质层上形成顶部电极。

公开(公告)号：US20050236616A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US10831981

申请日：2004-04-26

申请人： Horng-Huei Tseng ,  Chung-Hu Ge ,  Chao-Hsiung Wang

发明人： Horng-Huei Tseng ,  Chung-Hu Ge ,  Chao-Hsiung Wang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/045 ,  H01L2223/54466 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A reliable semiconductor structure and its fabrication method. Active regions and/or scribe lines on a semiconductor substrate are configured along a crack resistant crystalline direction. Thermal cracking due to the abrupt temperature ramp of rapid thermal processing can be avoided.

摘要翻译： 可靠的半导体结构及其制造方法。 半导体衬底上的有源区和/或划线沿着耐裂纹结晶方向配置。 可以避免由于快速热处理的突然温度斜坡导致的热裂纹。

公开(公告)号：US20050234659A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US10827769

申请日：2004-04-20

申请人： Wen Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  Chao-Hsiung Wang

发明人： Wen Lin ,  Denny Tang ,  Li-shyue Lai ,  Chao-Hsiung Wang

IPC分类号： G11C11/15 ,  G01F1/00 ,  G11C5/06 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C5/063

摘要： A magnetic random access memory device (MRAM) and the method for forming the same are disclosed. The MRAM has a magnetic tunnel junction (MTJ) device, a first write line, and a second write line orthogonal to the first write line, wherein at least one of the first and second write lines has a width narrower than that of the MTJ.

摘要翻译： 公开了一种磁性随机存取存储器件（MRAM）及其形成方法。 MRAM具有与第一写入线正交的磁性隧道结（MTJ）器件，第一写入线和第二写入线，其中第一和第二写入线中的至少一个具有比MTJ窄的宽度。

公开(公告)号：US20050158971A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US11074738

申请日：2005-03-08

申请人： Chun Chich Lin ,  Yee-Chia Yeo ,  Chien-Chao Huang ,  Chao-Hsiung Wang ,  Tien-Chih Chang ,  Chenming Hu ,  Fu-Liang Yang ,  Shih-Chang Chen ,  Mong-Song Liang ,  Liang-Gi Yao

发明人： Chun Chich Lin ,  Yee-Chia Yeo ,  Chien-Chao Huang ,  Chao-Hsiung Wang ,  Tien-Chih Chang ,  Chenming Hu ,  Fu-Liang Yang ,  Shih-Chang Chen ,  Mong-Song Liang ,  Liang-Gi Yao

IPC分类号： C30B1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/36 ,  H01L21/84 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/324

摘要： A method of forming a strained silicon layer on a relaxed, low defect density semiconductor alloy layer such as SiGe is provided.

摘要翻译： 提供了在松弛的低缺陷密度半导体合金层（例如SiGe）上形成应变硅层的方法。

公开(公告)号：US20050118790A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US10725697

申请日：2003-12-01

申请人： Hsin-Hui Lee ,  Chien-Chao Huang ,  Chao-Hsiung Wang ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

发明人： Hsin-Hui Lee ,  Chien-Chao Huang ,  Chao-Hsiung Wang ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/301 ,  B28D5/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/00

摘要： A method is disclosed for dicing a wafer having a base material with a diamond structure. The wafer first undergoes a polishing process, in which a predetermined portion of the wafer is polished away from its back side. The wafer is then diced through at least one line along a direction at a predetermined offset angle from a natural cleavage direction of the diamond structure.

摘要翻译： 公开了一种用于切割具有金刚石结构的基底材料的晶片的方法。 晶片首先进行抛光处理，其中将晶片的预定部分从其背面抛光。 然后将晶片沿着与金刚石结构的天然裂解方向成预定偏移角的方向通过至少一条线切割。

公开(公告)号：US20160240372A9

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：US11714416

申请日：2007-03-06

申请人： Chien-Chao Huang ,  Yee-Chia Yeo ,  Chao-Hsiung Wang ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

发明人： Chien-Chao Huang ,  Yee-Chia Yeo ,  Chao-Hsiung Wang ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A method comprises providing a semiconductor alloy layer on a semiconductor substrate, forming a gate structure on the semiconductor alloy layer, forming source and drain regions in the semiconductor substrate on both sides of the gate structure, removing at least a portion of the semiconductor alloy layer overlying the source and drain regions, and forming a metal silicide region over the source and drain regions.

摘要翻译： 一种方法包括在半导体衬底上提供半导体合金层，在半导体合金层上形成栅极结构，在半导体衬底的栅极结构的两侧形成源区和漏极区，去除半导体合金层的至少一部分 覆盖源极和漏极区域，并且在源极和漏极区域上形成金属硅化物区域。

公开(公告)号：US20130113073A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13289666

申请日：2011-11-04

申请人： Chi-Wen Liu ,  Chao-Hsiung Wang

发明人： Chi-Wen Liu ,  Chao-Hsiung Wang

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1211 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit can include a MOM capacitor formed simultaneously with other devices, such as finFETs. A dielectric layer formed on a substrate has a first semiconductor fin therein and a second semiconductor fin therein. Respective top portions of the fins are removed to form respective recesses in the dielectric layer. First and second electrodes are formed in the recesses. The first and second electrodes and the interjacent dielectric layer form a MOM capacitor.

摘要翻译： 集成电路可以包括与其它器件（例如finFET）同时形成的MOM电容器。 形成在基板上的电介质层具有第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。 除去翅片的各顶部以形成电介质层中的相应凹部。 第一和第二电极形成在凹槽中。 第一和第二电极和中间介电层形成MOM电容器。

公开(公告)号：US20070117352A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11655008

申请日：2007-01-18

申请人： Hsin-Hui Lee ,  Chien-Chao Huang ,  Chao-Hsiung Wang ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

发明人： Hsin-Hui Lee ,  Chien-Chao Huang ,  Chao-Hsiung Wang ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/00

摘要： A method provides for dicing a wafer having a base material with a diamond structure. The wafer first undergoes a polishing process, in which a predetermined portion of the wafer is polished away from its back side. The wafer is then diced through at least one line along a direction at a predetermined offset angle from a natural cleavage direction of the diamond structure. A wafer is produced with one or more dies formed thereon with at least one of its edges at an offset angle from a natural cleavage direction of a diamond structure of a base material forming the wafer. At least one dicing line has one or more protection elements for protecting the dies from undesired cracking while the wafer is being diced along the dicing line.

摘要翻译： 一种方法提供用具有金刚石结构的具有基底材料的晶片切割。 晶片首先进行抛光处理，其中将晶片的预定部分从其背面抛光。 然后将晶片沿着与金刚石结构的天然裂解方向成预定偏移角的方向通过至少一条线切割。 制造具有一个或多个模具的晶片，其上的至少一个边缘与形成晶片的基底材料的金刚石结构的天然裂解方向成偏移角。 至少一个切割线具有一个或多个保护元件，用于在晶片沿着切割线切割时保护模具不受不期望的开裂。