公开(公告)号：US08829545B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US12119015

申请日：2008-05-12

申请人： Masaki Ueno ,  Takashi Kyono ,  Yusuke Yoshizumi

发明人： Masaki Ueno ,  Takashi Kyono ,  Yusuke Yoshizumi

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32

摘要： A group III nitride semiconductor light-emitting device comprises an n-type gallium nitride-based semiconductor layer, a first p-type AlXGa1-XN (0≦X

摘要翻译： III族氮化物半导体发光器件包括n型氮化镓基半导体层，第一p型AlXGa1-XN（0＆lt; NlE; X <1）层，包含InGaN层的有源层， 和第三p型AlZGa1-XN层（0＆amp; nlE; Z＆lt; EL; Y＆lt; NlE; X <1）和与第三p型AlZGa1相接触的p电极的第二p型AlYGa1-YN（0＆nlE; Y＆ -ZN层。 有源层设置在n型氮化镓基半导体层和第一p型AlXGa1-XN层之间。 在第一p型AlXGa1-XN层上设置第二p型AlYGa1-YN（0＆nlE; Y＆nlE; X <1）层。 第二p型AlYGa1-YN层的p型掺杂剂浓度大于第一p型AlXGa1-XN层的p型掺杂剂浓度。 在第二p型AlYGa1-YN层上设置第三p型AlZGa1-ZN层（0＆nlE; Z＆lt; Y; ​​Y＆nlE; X <1）。 第二p型AlYGa1-YN层的p型掺杂剂浓度大于第三p型AlZGa1-ZN层的p型掺杂剂浓度。

公开(公告)号：US08803274B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13054037

申请日：2010-06-18

申请人： Takashi Kyono ,  Yohei Enya ,  Yusuke Yoshizumi ,  Katsushi Akita ,  Masaki Ueno ,  Takamichi Sumitomo ,  Masahiro Adachi ,  Shinji Tokuyama

发明人： Takashi Kyono ,  Yohei Enya ,  Yusuke Yoshizumi ,  Katsushi Akita ,  Masaki Ueno ,  Takamichi Sumitomo ,  Masahiro Adachi ,  Shinji Tokuyama

IPC分类号： H01L31/102 ,  H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/343 ,  H01L33/16 ,  H01S5/34 ,  H01S5/32 ,  H01S5/22

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3404

摘要： A nitride-based semiconductor light-emitting element LE1 or LD1 has: a gallium nitride substrate 11 having a principal surface 11a which makes an angle α, in the range 40° to 50° or in the range more than 90° to 130°, with the reference plane Sc perpendicular to the reference axis Cx extending in the c axis direction; an n-type gallium nitride-based semiconductor layer 13; a second gallium nitride-based semiconductor layer 17; and a light-emitting layer 15 including a plurality of well layers of InGaN and a plurality of barrier layers 23 of a GaN-based semiconductor, wherein the direction of piezoelectric polarization of the plurality of well layers 21 is the direction from the n-type gallium nitride-based semiconductor layer 13 toward the second gallium nitride-based semiconductor layer 17.

摘要翻译： 氮化物系半导体发光元件LE1或LD1具有：氮化镓衬底11，其具有在40°至50°的范围内或大于90°至130°的范围内具有角度α的主表面11a， 其中参考平面Sc垂直于在c轴方向上延伸的参考轴线Cx; n型氮化镓系半导体层13; 第二氮化镓基半导体层17; 以及包括多个InGaN阱层和GaN基半导体的多个势垒层23的发光层15，其中多个阱层21的压电极化的方向是来自n型的方向 氮化镓系半导体层13朝向第二氮化镓系半导体层17。

公开(公告)号：US08772064B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13289507

申请日：2011-11-04

申请人： Shimpei Takagi ,  Yusuke Yoshizumi ,  Koji Katayama ,  Masaki Ueno ,  Takatoshi Ikegami

发明人： Shimpei Takagi ,  Yusuke Yoshizumi ,  Koji Katayama ,  Masaki Ueno ,  Takatoshi Ikegami

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/18 ,  H01S5/343 ,  H01S5/10 ,  H01S5/02 ,  H01S5/32 ,  H01S5/16

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/16 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

摘要： A method of fabricating a III-nitride semiconductor laser device includes: preparing a substrate having a hexagonal III-nitride semiconductor and having a semipolar primary surface; forming a substrate product having a laser structure, an anode electrode and a cathode electrode, the laser structure including a substrate and a semiconductor region formed on the semipolar primary surface; scribing a first surface of the substrate product in part in a direction of the a-axis of the hexagonal III-nitride semiconductor; and carrying out breakup of the substrate product by press against a second surface of the substrate product, to form another substrate product and a laser bar.

摘要翻译： 一种制造III族氮化物半导体激光器件的方法包括：制备具有六边形III族氮化物半导体并具有半极性主表面的衬底; 形成具有激光结构的衬底产品，阳极电极和阴极电极，所述激光器结构包括形成在所述半极性主表面上的衬底和半导体区域; 在六边形III族氮化物半导体的a轴的方向上划分基板产品的第一表面; 并且通过压靠衬底产品的第二表面进行衬底产品的分解，以形成另一衬底产品和激光棒。

公开(公告)号：US08741674B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13335560

申请日：2011-12-22

申请人： Yusuke Yoshizumi ,  Shimpei Takagi ,  Yohei Enya ,  Takashi Kyono ,  Masahiro Adachi ,  Masaki Ueno ,  Takamichi Sumitomo ,  Shinji Tokuyama ,  Koji Katayama ,  Takao Nakamura ,  Takatoshi Ikegami

发明人： Yusuke Yoshizumi ,  Shimpei Takagi ,  Yohei Enya ,  Takashi Kyono ,  Masahiro Adachi ,  Masaki Ueno ,  Takamichi Sumitomo ,  Shinji Tokuyama ,  Koji Katayama ,  Takao Nakamura ,  Takatoshi Ikegami

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

摘要： Provided is a group-III nitride semiconductor laser device with a laser cavity of high lasing yield, on a semipolar surface of a support base in which the c-axis of a hexagonal group-III nitride is tilted toward the m-axis. First and second fractured faces to form the laser cavity intersect with an m-n plane. The group-III nitride semiconductor laser device has a laser waveguide extending in a direction of an intersecting line between the m-n plane and the semipolar surface. In a laser structure, a first surface is opposite to a second surface. The first and second fractured faces extend from an edge of the first surface to an edge of the second surface. The fractured faces are not formed by dry etching and are different from conventionally-employed cleaved facets such as c-planes, m-planes, or a-planes.

摘要翻译： 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器件，其具有激光腔的高激光产生量，其中六边形III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基底的半极性表面。 第一和第二断裂面形成激光腔与m-n平面相交。 III族氮化物半导体激光器件具有在m-n平面和半极性表面之间的交线的方向上延伸的激光波导。 在激光结构中，第一表面与第二表面相对。 第一和第二断裂面从第一表面的边缘延伸到第二表面的边缘。 断裂面不是通过干蚀刻形成的，并且与常规使用的切割面不同，例如c面，m面或a平面。

公开(公告)号：US08633093B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13032117

申请日：2011-02-22

申请人： Kensaku Motoki ,  Masaki Ueno

发明人： Kensaku Motoki ,  Masaki Ueno

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02576 ,  C23C16/303 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： Oxygen can be doped into a gallium nitride crystal by preparing a non-C-plane gallium nitride seed crystal, supplying material gases including gallium, nitrogen and oxygen to the non-C-plane gallium nitride seed crystal, growing a non-C-plane gallium nitride crystal on the non-C-plane gallium nitride seed crystal and allowing oxygen to infiltrating via a non-C-plane surface to the growing gallium nitride crystal. Oxygen-doped {20-21}, {1-101}, {1-100}, {11-20} or {20-22} surface n-type gallium nitride crystals are obtained.

摘要翻译： 可以通过制备非C面氮化镓晶体，向非C面氮化镓晶种提供包括镓，氮和氧的材料气体，将氧可以掺杂到氮化镓晶体中，生长非C面 在非C面氮化镓晶种上形成氮化镓晶体，并允许氧通过非C面表面渗入生长的氮化镓晶体。 得到掺杂氧的{20-21}，{1-101}，{1-100}，{11-20}或{20-22}表面n型氮化镓晶体。

公开(公告)号：US08546163B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13240368

申请日：2011-09-22

申请人： Yusuke Yoshizumi ,  Yohei Enya ,  Takashi Kyono ,  Masahiro Adachi ,  Katsushi Akita ,  Masaki Ueno ,  Takamichi Sumitomo ,  Shinji Tokuyama ,  Koji Katayama ,  Takao Nakamura ,  Takatoshi Ikegami

发明人： Yusuke Yoshizumi ,  Yohei Enya ,  Takashi Kyono ,  Masahiro Adachi ,  Katsushi Akita ,  Masaki Ueno ,  Takamichi Sumitomo ,  Shinji Tokuyama ,  Koji Katayama ,  Takao Nakamura ,  Takatoshi Ikegami

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

摘要： Provided is a group-III nitride semiconductor laser device with a laser cavity allowing for a low threshold current, on a semipolar surface of a support base in which the c-axis of a hexagonal group-III nitride is tilted toward the m-axis. First and second fractured faces 27, 29 to form the laser cavity intersect with an m-n plane. The group-III nitride semiconductor laser device 11 has a laser waveguide extending in a direction of an intersecting line between the m-n plane and the semipolar surface 17a. In a laser structure 13, a first surface 13a is opposite to a second surface 13b. The first and second fractured faces 27, 29 extend from an edge 13c of the first surface to an edge 13d of the second surface 13b. The fractured faces are not formed by dry etching and are different from conventionally-employed cleaved facets such as c-planes, m-planes, or a-planes.

摘要翻译： 提供了在六边形III族氮化物的c轴朝向m轴倾斜的支撑基座的半极性表面上具有允许低阈值电流的激光腔的III族氮化物半导体激光器件。 第一和第二断裂面27,29以形成与m-n平面相交的激光腔。 III族氮化物半导体激光器件11具有在m-n平面和半极性表面17a之间的交线的方向上延伸的激光波导。 在激光结构13中，第一表面13a与第二表面13b相对。 第一和第二断裂面27,29从第一表面的边缘13c延伸到第二表面13b的边缘13d。 断裂面不是通过干蚀刻形成的，并且与常规使用的切割面不同，例如c面，m面或a平面。

公开(公告)号：US08541253B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US13416844

申请日：2012-03-09

申请人： Yusuke Yoshizumi ,  Yohei Enya ,  Takashi Kyono ,  Masahiro Adachi ,  Shinji Tokuyama ,  Takamichi Sumitomo ,  Masaki Ueno ,  Takatoshi Ikegami ,  Koji Katayama ,  Takao Nakamura

发明人： Yusuke Yoshizumi ,  Yohei Enya ,  Takashi Kyono ,  Masahiro Adachi ,  Shinji Tokuyama ,  Takamichi Sumitomo ,  Masaki Ueno ,  Takatoshi Ikegami ,  Koji Katayama ,  Takao Nakamura

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/34333

摘要： A method of fabricating a III-nitride semiconductor laser device includes: preparing a substrate with a semipolar primary surface, the semipolar primary surface including a hexagonal III-nitride semiconductor; forming a substrate product having a laser structure, an anode electrode, and a cathode electrode, the laser structure including a substrate and a semiconductor region, and the semiconductor region being formed on the semipolar primary surface; after forming the substrate product, forming first and second end faces; and forming first and second dielectric multilayer films for an optical cavity of the nitride semiconductor laser device on the first and second end faces, respectively.

摘要翻译： 一种制造III族氮化物半导体激光器件的方法包括：制备具有半极性主表面的衬底，所述半极性主表面包括六边形III族氮化物半导体; 形成具有激光结构的衬底产品，阳极电极和阴极电极，所述激光器结构包括衬底和半导体区域，并且所述半导体区域形成在所述半极性主表面上; 在形成基板产品之后，形成第一和第二端面; 以及分别在第一和第二端面上形成用于氮化物半导体激光器件的光腔的第一和第二电介质多层膜。

公开(公告)号：US08513684B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13294034

申请日：2011-11-10

申请人： Takashi Kyono ,  Yohei Enya ,  Yusuke Yoshizumi ,  Katsushi Akita ,  Masaki Ueno ,  Takamichi Sumitomo

发明人： Takashi Kyono ,  Yohei Enya ,  Yusuke Yoshizumi ,  Katsushi Akita ,  Masaki Ueno ,  Takamichi Sumitomo

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

摘要： A nitride semiconductor light emitting device is provided. A core semiconductor region, a first cladding region, and a second cladding region are mounted on a nonpolar primary surface of a support substrate of GaN which is not the polar plane. The core semiconductor region includes an active layer and a carrier block layer. The first cladding region includes an n-type AlGaN cladding layer and an n-type InAlGaN cladding layer. The n-type InAlGaN cladding layer is provided between the n-type AlGaN cladding layer and the active layer. A misfit dislocation density at an interface is larger than that at an interface. The AlGaN cladding layer is lattice-relaxed with respect to the GaN support substrate and the InAlGaN cladding layer is lattice-relaxed with respect to the AlGaN cladding layer.

摘要翻译： 提供一种氮化物半导体发光器件。 核心半导体区域，第一包层区域和第二包层区域安装在不是极平面的GaN的支撑衬底的非极性主表面上。 核心半导体区域包括有源层和载流子阻挡层。 第一包层区域包括n型AlGaN包覆层和n型InAlGaN包覆层。 n型InAlGaN包层设置在n型AlGaN包层和有源层之间。 界面处的错配位错密度大于界面处的位错密度。 AlGaN包层相对于GaN支撑衬底是晶格弛豫的，并且InAlGaN包层相对于AlGaN包层是晶格弛豫的。

公开(公告)号：US20130181226A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13822591

申请日：2011-07-06

申请人： Yu Saitoh ,  Masaya Okada ,  Masaki Ueno ,  Makoto Kiyama

发明人： Yu Saitoh ,  Masaya Okada ,  Masaki Ueno ,  Makoto Kiyama

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7788 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3006 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7789

摘要： There are provided a semiconductor device in which a drain leak current can be reduced in the transistor operation while high vertical breakdown voltage is achieved and a method for producing the semiconductor device. In the semiconductor device, an opening 28 that extends from an n+-type contact layer 8 and reaches an n-type drift layer 4 through a p-type barrier layer 6 is formed. The semiconductor device includes a regrown layer 27 located so as to cover portions of the p-type barrier layer 6 and the like that are exposed to the opening, the regrown layer 27 including an undoped GaN channel layer 22 and a carrier supply layer 26; an insulating layer 9 located so as to cover the regrown layer 27; and a gate electrode G located on the insulating layer 9. In the p-type barrier layer, the Mg concentration A (cm−3)and the hydrogen concentration B (cm−3) satisfy 0.1

摘要翻译： 提供了一种半导体器件，其中在实现高的垂直击穿电压的同时，在晶体管操作中可以减小漏极漏电流，以及制造半导体器件的方法。 在半导体器件中，形成从n +型接触层8延伸并通过p型阻挡层6到达n型漂移层4的开口28。 半导体器件包括再生长层27，其被覆盖以覆盖暴露于开口的p型阻挡层6等的部分，再生长层27包括未掺杂的GaN沟道层22和载流子供给层26; 定位成覆盖再生长层27的绝缘层9; 和位于绝缘层9上的栅电极G.在p型阻挡层中，Mg浓度A（cm-3）和氢浓度B（cm-3）满足0.1