公开(公告)号：US6099954A

公开(公告)日：2000-08-08

申请号：US327795

申请日：1999-06-08

申请人： Walter J. Urbanavage ,  Heinz F. Reinhardt

发明人： Walter J. Urbanavage ,  Heinz F. Reinhardt

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24D99/00 ,  B24D17/00

CPC分类号： B24B37/24 ,  B24D3/32 ,  C08L75/04 ,  C08K3/0033 ,  C08K3/36

摘要： A polishing pad for polishing hard surfaces such as glass and silicon wafers and a method of polishing using such a polishing pad.

摘要翻译： 用于抛光诸如玻璃和硅晶片的硬表面的抛光垫和使用这种抛光垫的抛光方法。

公开(公告)号：US6106754A

公开(公告)日：2000-08-22

申请号：US814514

申请日：1997-03-10

申请人： Lee Melbourne Cook ,  David B. James ,  Charles William Jenkins ,  Heinz F. Reinhardt ,  John V. H. Roberts ,  Raj Raghav Pillai

发明人： Lee Melbourne Cook ,  David B. James ,  Charles William Jenkins ,  Heinz F. Reinhardt ,  John V. H. Roberts ,  Raj Raghav Pillai

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24D3/26 ,  B24D3/28 ,  B24D13/14 ,  B24D18/00 ,  B29C43/00 ,  B29C43/20 ,  B29C43/52

CPC分类号： B24B37/24 ,  B24B37/042 ,  B24D18/0009 ,  B24D3/26 ,  B24D3/28 ,  B29C43/006 ,  B29C43/203

摘要： A polishing pad having a substantially uniform, continuously interconnected porous surface. The pad can be produced by pressure sintering powder compacts of thermoplastic polymer at a temperature above the glass transition temperature but not exceeding the melting point of the polymer. The sintering process is conducted in a mold at a pressure in excess of 100 psi (0.07 MPa). In a preferred version, a mixture of two polymer powders is used, where one polymer has a lower melting point than the other.

摘要翻译： 抛光垫，其具有基本均匀的，连续相互连接的多孔表面。 垫可以通过在高于玻璃化转变温度但不超过聚合物熔点的温度下加压烧结热塑性聚合物的粉末压块来制备。 烧结过程在模具中在超过100psi（0.07MPa）的压力下进行。 在优选的方案中，使用两种聚合物粉末的混合物，其中一种聚合物的熔点比另一种低。

公开(公告)号：US6022268A

公开(公告)日：2000-02-08

申请号：US54948

申请日：1998-04-03

申请人： John V. H. Roberts ,  David B. James ,  Lee Melbourne Cook

发明人： John V. H. Roberts ,  David B. James ,  Lee Melbourne Cook

IPC分类号： B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B41/047 ,  B24D3/26 ,  B24D3/28 ,  B24D13/14 ,  B24B1/00

CPC分类号： B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B41/047 ,  B24D13/142 ,  B24D3/26 ,  B24D3/28

摘要： This invention describes improved polishing pads useful in the manufacture of semiconductor devices or the like. The pads of the present invention have an advantageous hydrophilic polishing material and have an innovative surface topography and texture which generally improves predictability and polishing performance.

摘要翻译： 本发明描述了可用于制造半导体器件等的改进的抛光垫。 本发明的垫具有有利的亲水性抛光材料，并且具有创新的表面形貌和纹理，其通常改善了可预测性和抛光性能。

公开(公告)号：US6095902A

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：US159478

申请日：1998-09-23

申请人： Heinz F. Reinhardt

发明人： Heinz F. Reinhardt

IPC分类号： B24B37/24 ,  B24D13/12 ,  B24D13/14 ,  B24B1/00

CPC分类号： B24B37/24

摘要： The present invention provides a polishing pad fabricated from both polyester and polyether polyurethanes. Methods for manufacturing the pads and methods for use of the pads for polishing are also provided.

摘要翻译： 本发明提供由聚酯和聚醚聚氨酯制成的抛光垫。 还提供了制造垫的方法和用于抛光用垫的方法。

公开(公告)号：US6074546A

公开(公告)日：2000-06-13

申请号：US915775

申请日：1997-08-21

申请人： Lizhong Sun ,  James Shen ,  Lee Melbourne Cook

发明人： Lizhong Sun ,  James Shen ,  Lee Melbourne Cook

IPC分类号： C25F3/30 ,  H01L21/3063 ,  B23H3/00 ,  B23H5/00 ,  C25F3/00 ,  C25F7/00

CPC分类号： C25F3/30 ,  H01L21/3063

摘要： A method is provided for photochemical polishing of a silicon wafer using electromagnetic waves within the spectrum of 150 to 2000 nanometers wavelength. A photochemical polishing apparatus is also disclosed in which the electromagnetic waves are provided by a waveguide in close proximity to the surface of a silicon wafer electrode.

摘要翻译： 提供了一种使用150-2000纳米波长范围内的电磁波对硅晶片进行光化学抛光的方法。 还公开了一种光化学抛光装置，其中电磁波由靠近硅晶片电极表面的波导提供。

公开(公告)号：US6071178A

公开(公告)日：2000-06-06

申请号：US109688

申请日：1998-07-02

申请人： Arthur Richard Baker, III

发明人： Arthur Richard Baker, III

IPC分类号： B24B37/24 ,  B24D3/28 ,  B24D13/14 ,  B24B1/00

CPC分类号： B24B37/24 ,  B24D3/28

摘要： A polishing pad is provided comprising an upper surface and a lower surface, substantially parallel to one another, wherein the pad has enhanced flexibility produced by scoring of either or both surfaces. The pad thickness is generally greater than 500.mu.. The scoring creates slits having a depth of less than 90% of the thickness.

摘要翻译： 提供了一种抛光垫，其包括基本上彼此平行的上表面和下表面，其中所述垫具有通过任一表面或两表面的刻痕产生的增强的柔性。 垫厚一般大于500亩。 刻痕产生深度小于厚度的90％的狭缝。

公开(公告)号：US6019666A

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：US74667

申请日：1998-05-08

申请人： John V. H. Roberts ,  Lee Melbourne Cook ,  David B. James ,  Heinz F. Reinhardt

发明人： John V. H. Roberts ,  Lee Melbourne Cook ,  David B. James ,  Heinz F. Reinhardt

IPC分类号： B24B37/26 ,  B24B41/047 ,  B24D7/06 ,  B24D13/14 ,  B24D99/00 ,  B24B1/00

CPC分类号： B24B37/26 ,  B24B41/047 ,  B24D7/066

摘要： This invention provides polishing pad tiles which, by virtue of their geometry and surface features, can be arranged to form mosaic pads having channels at the seams which facilitate the flow of polishing fluid during polishing of a workpiece.

摘要翻译： 本发明提供抛光垫瓦片，其抛光垫片的几何形状和表面特征可以布置成形成在接缝处具有通道的马赛克垫片，这有利于在抛光工件期间抛光流体的流动。

公开(公告)号：US6143662A

公开(公告)日：2000-11-07

申请号：US252279

申请日：1999-02-18

申请人： Robert L. Rhoades ,  Robert C. Roberts ,  Paul J. Yancey

发明人： Robert L. Rhoades ,  Robert C. Roberts ,  Paul J. Yancey

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/762 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76229

摘要： The present invention provides a chemical mechanical polishing method for the planarization of shallow trench isolation structure and other integrated circuit structures. The method of the invention comprises the steps of providing a substrate having a plurality of patterned regions and polishing the substrate with a chemical mechanical polishing slurry comprising small abrasive particles having a mean diameter of between about 2 and 30 nm and large abrasive particles having a mean diameter of between 2 and 10 times larger than the mean diameter of the small abrasive particles. The chemical mechanical polishing slurries can also include viscosity additives and etchants for use in the invention.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于平坦化浅沟槽隔离结构和其他集成电路结构的化学机械抛光方法。 本发明的方法包括以下步骤：提供具有多个图案化区域的基材和用包含平均直径在约2nm至30nm之间的小磨料颗粒的化学机械抛光浆料抛光该基材，以及具有平均值的大磨料颗粒 直径比小磨料颗粒的平均直径大2至10倍。 化学机械抛光浆料还可以包括用于本发明的粘度添加剂和蚀刻剂。

公开(公告)号：US6132637A

公开(公告)日：2000-10-17

申请号：US71566

申请日：1998-05-01

申请人： Sharath D. Hosali ,  Anantha R. Sethuraman ,  Jiun-Fang Wang ,  Lee Melbourne Cook ,  Michael R. Oliver

发明人： Sharath D. Hosali ,  Anantha R. Sethuraman ,  Jiun-Fang Wang ,  Lee Melbourne Cook ,  Michael R. Oliver

IPC分类号： C03C19/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C03C19/00 ,  H01L21/31055

摘要： A composition is provided for polishing a composite comprised of silica and silicon nitride comprising: an aqueous medium, abrasive particles, a surfactant, and a compound which complexes with the silica and silicon nitride wherein the complexing agent has two or more functional groups each having a dissociable proton, the functional groups being the same or different.

摘要翻译： 提供了一种用于抛光由二氧化硅和氮化硅组成的复合体的组合物，包括：水性介质，磨料颗粒，表面活性剂和与二氧化硅和氮化硅复合的化合物，其中络合剂具有两个或更多个各自具有 可解离的质子，官能团相同或不同。

公开(公告)号：US6099394A

公开(公告)日：2000-08-08

申请号：US49864

申请日：1998-03-27

申请人： David B. James ,  William D. Budinger ,  John V. H. Roberts ,  Michael R. Oliver ,  Nina G. Chechik ,  Richard M. Levering, Jr.

发明人： David B. James ,  William D. Budinger ,  John V. H. Roberts ,  Michael R. Oliver ,  Nina G. Chechik ,  Richard M. Levering, Jr.

IPC分类号： B24B37/26 ,  B24B41/047 ,  B24D3/28 ,  B24D3/34 ,  B24D13/10 ,  B24D13/14 ,  G11B23/00 ,  H01L21/306 ,  B24B7/00

CPC分类号： B24B37/26 ,  B24B41/047 ,  B24D13/10 ,  B24D3/28 ,  B24D3/34 ,  H01L21/30625 ,  G11B23/0021

摘要： A chemical-mechanical polishing system which is particularly well suited for use in the manufacture of semiconductor devices or the like. The invention is directed to a self-dressing, polishing pad comprising a high modulus phase and a low modulus phase. The multi-phase polishing pads are very efficient and effective in providing high performance polishing along an entire polishing surface interface.

摘要翻译： 一种特别适用于制造半导体器件等的化学机械抛光系统。 本发明涉及一种包括高模量相和低模量相的自修整抛光垫。 多相抛光垫在提供沿着整个抛光表面界面的高性能抛光方面是非常有效和有效的。