公开(公告)号：US09202932B2

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：US13834529

申请日：2013-03-15

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Seung-Woo Paek ,  Jung-Dal Choi ,  Young-Seop Rah ,  Byung-Kwan You ,  Seok-Won Lee

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L29/792 ,  H01L29/66 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/764 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a method of manufacturing a semiconductor device, a dielectric layer structure and a control gate layer can be formed sequentially on a substrate. The control gate layer can be partially etched to form a plurality of control gates. A gate spacer and a sacrificial spacer sequentially can be stacked on a sidewall of the control gate and on a portion of the dielectric layer structure. The dielectric layer structure can be partially etched using the sacrificial spacer and the gate spacer as an etching mask to form a plurality of dielectric layer structure patterns. The sacrificial spacer can be removed. An insulating interlayer can be formed on the substrate to form an air gap. The insulating interlayer can cover the dielectric layer structure pattern, the gate spacer and the control gate. The air gap can extend between the adjacent gate spacers and between the adjacent dielectric layer structure patterns.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，可以在衬底上依次形成电介质层结构和控制栅极层。 可以部分蚀刻控制栅极层以形成多个控制栅极。 栅极间隔物和牺牲隔离物可以顺序地堆叠在控制栅极的侧壁上以及电介质层结构的一部分上。 可以使用牺牲间隔物和栅极间隔物作为蚀刻掩模来部分地蚀刻电介质层结构，以形成多个电介质层结构图案。 可以去除牺牲隔离物。 可以在基板上形成绝缘中间层以形成气隙。 绝缘中间层可以覆盖电介质层结构图案，栅极间隔物和控制栅极。 气隙可以在相邻的栅极间隔件之间和相邻的介电层结构图案之间延伸。

公开(公告)号：US07804084B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US12113846

申请日：2008-05-01

申请人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

发明人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： Methods of fabricating phase change memory elements include forming an insulating layer on a semiconductor substrate, forming a through hole penetrating the insulating layer, forming a lower electrode in the through hole and forming a recess having a sidewall comprising a portion of the insulating layer by selectively etching a surface of the lower electrode relative to the insulating layer. A phase change memory layer is formed on the lower electrode. The phase change memory layer has a portion confined by the recess and surrounded by the insulating layer. An upper electrode is formed on the phase change memory layer. Phase change memory elements are also provided.

摘要翻译： 制造相变存储元件的方法包括在半导体衬底上形成绝缘层，形成穿透绝缘层的通孔，在通孔中形成下电极，并通过选择性地形成具有侧壁的凹部，该侧壁包括绝缘层的一部分 相对于绝缘层蚀刻下电极的表面。 在下电极上形成相变存储层。 相变存储层具有被凹部限制并被绝缘层包围的部分。 在相变存储层上形成上电极。 还提供相变存储元件。

公开(公告)号：US09068162B2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US12704839

申请日：2010-02-12

申请人： Mark E. Van Dyke

发明人： Mark E. Van Dyke

IPC分类号： C12N5/00 ,  A61L27/22 ,  A61L27/34 ,  A61L27/52

CPC分类号： C12N5/0068 ,  A61L27/227 ,  A61L27/34 ,  A61L27/52 ,  C12N5/0075 ,  C12N2533/50 ,  C08L89/04

摘要： Provided are keratin compositions useful in cell culture. In some embodiments the keratins are biocompatible, promote cell growth, promote cell adhesion and provide an excellent substrate for cell culture. Keratin compositions described herein may be used as coatings, gels, three-dimensional scaffolds, additives to cell culture media, microcarriers, etc. The keratin substrates may also be used to deliver cells, e.g., for cell therapy applications.

摘要翻译： 提供可用于细胞培养的角蛋白组合物。 在一些实施方案中，角蛋白是生物相容性的，促进细胞生长，促进细胞粘附并为细胞培养提供优异的底物。 本文所述的角蛋白组合物可用作包衣，凝胶，三维支架，细胞培养基，微载体等添加剂。角蛋白底物也可用于递送细胞，例如用于细胞治疗应用。

公开(公告)号：US08154039B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12401832

申请日：2009-03-11

申请人： John Adam Edmond ,  David Beardsley Slater, Jr. ,  Jayesh Bharathan ,  Matthew Donofrio

发明人： John Adam Edmond ,  David Beardsley Slater, Jr. ,  Jayesh Bharathan ,  Matthew Donofrio

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44

摘要： A light emitting diode is disclosed having a vertical orientation with an ohmic contact on portions of a top surface of the diode and a mirror layer adjacent the light emitting region of the diode. The diode includes an opening in the mirror layer beneath the geometric projection of the top ohmic contact through the diode that defines a non-contact area between the mirror layer and the light emitting region of the diode to encourage current flow to take place other than at the non-contact area to in turn decrease the number of light emitting recombinations beneath the ohmic contact and increase the number of light emitting recombinations in the more transparent portions of the diode.

摘要翻译： 公开了一种发光二极管，其具有在二极管的顶表面的部分上的欧姆接触的垂直取向和与二极管的发光区相邻的镜层。 二极管包括通过二极管的顶部欧姆接触的几何投影下方的镜面层中的开口，其限定了二极管的反射镜层和发光区域之间的非接触区域，以促进电流流过而不是在 非接触区域又减少欧姆接触下方的发光复合数，并增加二极管透明部分中发光复合的数量。

公开(公告)号：US08110834B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12651727

申请日：2010-01-04

申请人： Jinho Kim ,  Sunghoi Hur ,  Hansoo Kim ,  Younggoan Jang ,  Sunil Shim

发明人： Jinho Kim ,  Sunghoi Hur ,  Hansoo Kim ,  Younggoan Jang ,  Sunil Shim

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

摘要： A three-dimensional semiconductor device includes a vertical channel pattern on the substrate, a plurality of cell gate patterns and a select gate pattern stacked on the substrate along the sidewall of the vertical channel pattern, a charge storage pattern between the vertical channel pattern and the cell gate pattern and a select gate pattern between the vertical channel pattern and the select gate pattern. The select gate pattern has a different work function from the cell gate pattern.

摘要翻译： 三维半导体器件包括在衬底上的垂直沟道图案，沿着垂直沟道图案的侧壁堆叠在衬底上的多个单元栅极图案和选择栅极图案，垂直沟道图案和垂直沟道图案之间的电荷存储图案 单元栅极图案和垂直沟道图案与选择栅格图案之间的选择栅极图案。 选择栅极图案具有与单元栅极图案不同的功函数。

公开(公告)号：US07879677B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US12170976

申请日：2008-07-10

申请人： Chang-Hyun Lee

发明人： Chang-Hyun Lee

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/792

摘要： A FinFET includes a fin that is on a substrate and extends away from the substrate. A device isolation layer is disposed on the substrate on both sides of the fin. An insulating layer is between the fin and the substrate. The insulating layer is directly connected to the device isolation layer and has a different thickness than the device isolation layer. A gate electrode crosses over the fin. A gate insulating layer is between the gate electrode and the fin. Source and drain regions are on the fins and on opposite sides of the gate electrode. Related nonvolatile memory devices that include FinFETs and methods of making FinFETs and nonvolatile memory devices are also disclosed.

摘要翻译： FinFET包括在衬底上并且远离衬底延伸的翅片。 器件隔离层设置在鳍片两侧的衬底上。 绝缘层位于散热片和基板之间。 绝缘层直接连接到器件隔离层，并且具有与器件隔离层不同的厚度。 栅电极跨过鳍。 栅极绝缘层位于栅电极和鳍之间。 源极和漏极区域位于鳍状物和栅电极的相对侧上。 还公开了包括FinFET和制造FinFET和非易失性存储器件的方法的相关非易失性存储器件。

公开(公告)号：US07305894B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US11128642

申请日：2005-05-13

申请人： Robert Hunter Moore ,  David Murphy

发明人： Robert Hunter Moore ,  David Murphy

IPC分类号： G01L5/00

CPC分类号： D21F3/06 ,  B41F13/24 ,  G01L5/0085

摘要： According to some embodiments of the present invention, a system for determining characteristics of two rolls configured in a nip press includes a strip configured to be placed in the nip press. A plurality of sensors embedded in the strip is configured to generate signals representative of the pressure and/or the nip width between the two rolls. Interface circuitry facilitates addressing of individual ones of the plurality of sensors via a data processing system.

摘要翻译： 根据本发明的一些实施例，用于确定在辊隙压机中配置的两个辊的特性的系统包括被配置成放置在辊隙压机中的条带。 嵌入在条带中的多个传感器被配置为产生表示两个辊之间的压力和/或辊隙宽度的信号。 接口电路有助于经由数据处理系统寻址多个传感器中的各个传感器。

公开(公告)号：US06900267B2

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：US10317506

申请日：2002-12-12

申请人： Joseph Royer ,  Joseph M. DeSimone ,  George W. Roberts ,  Saad A. Khan

发明人： Joseph Royer ,  Joseph M. DeSimone ,  George W. Roberts ,  Saad A. Khan

IPC分类号： C08F2/00 ,  C08F8/00 ,  C08F8/04 ,  C08F257/02 ,  C08F289/00 ,  C08F291/00 ,  C08L51/00 ,  C08L51/08 ,  C08F255/06 ,  C08J9/00

CPC分类号： C08F8/00 ,  C08F8/04 ,  C08F257/02 ,  C08F289/00 ,  C08F291/00 ,  C08L51/003 ,  C08L51/08 ,  C08F12/00 ,  C08F20/00 ,  C08L2666/02

摘要： Methods of carrying out a reactive extrusion processes are described that include combining at least one polymer, oligomer, or combination thereof, a carbon dioxide containing fluid, and at least one reactant in an extruder to form a mixture such that the carbon dioxide containing fluid comes into intimate contact with the at least one polymer, oligomer, or combination thereof and assists in a reaction between the at least one polymer, oligomer, or combination thereof and the at least one reactant, and wherein the at least one polymer, oligomer, or combination thereof is modified upon reaction with the at least one reactant.

摘要翻译： 描述了进行反应性挤出方法的方法，其包括在挤出机中组合至少一种聚合物，低聚物或其组合，含二氧化碳的流体和至少一种反应物以形成混合物，使得含二氧化碳的流体来 与所述至少一种聚合物，低聚物或其组合紧密接触并有助于所述至少一种聚合物，低聚物或其组合与所述至少一种反应物之间的反应，并且其中所述至少一种聚合物，低聚物或 当与至少一种反应物反应时，其组合被修饰。

公开(公告)号：US08660169B1

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US14068138

申请日：2013-10-31

申请人： EICES Research, Inc.

发明人： Peter D. Karabinis

IPC分类号： H04B1/38 ,  H04L5/16

CPC分类号： H04W12/04 ,  H04B1/69 ,  H04B1/707 ,  H04B1/7097 ,  H04B2201/70715 ,  H04K1/00 ,  H04K3/25 ,  H04K3/827 ,  H04K2203/18 ,  H04L1/0043 ,  H04L1/009 ,  H04L1/0091 ,  H04L5/0007 ,  H04L23/02 ,  H04L25/03834 ,  H04L25/03866 ,  H04L25/03987 ,  H04W12/06 ,  H04W12/08 ,  H04W36/18 ,  H04W48/02 ,  H04W84/045 ,  H04W88/08

摘要： A bandwidth that is allocated to a transmitted waveform need not be contiguous in frequency space and a frequency content of the transmitted waveform may vary, as needed, even on a signaling interval by signaling interval basis, in order to accommodate a desired transfer rate, reduce or avoid interference and/or enhance an end user experience. According to embodiments of the invention, a set of frequencies that is used to provide frequency content to elements of a waveform alphabet, used to form the transmitted waveform, is varied thus varying a frequency content of the transmitted waveform. A time span associated with the elements of the waveform alphabet may also be varied. Various transmitter/receiver embodiments are disclosed including direct synthesis transmitter/receiver embodiments.

摘要翻译： 分配给发送波形的带宽不需要在频率空间中是连续的，并且发送波形的频率内容也可以根据需要在信令间隔的基础上在信令间隔的基础上变化，以便适应期望的传输速率，减少 或避免干扰和/或增强最终用户体验。 根据本发明的实施例，用于提供用于形成发送波形的波形字母表的元素的频率内容的一组频率是变化的，从而改变发送波形的频率内容。 与波形字母表的元素相关联的时间间隔也可以变化。 公开了包括直接合成发射机/接收机实施例的各种发射机/接收机实施例。

公开(公告)号：US08455909B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US13356046

申请日：2012-01-23

申请人： Gerald H. Negley

发明人： Gerald H. Negley

IPC分类号： H01L33/56 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L33/58 ,  H01L33/486 ,  H01L33/507 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor light emitting devices include an aluminum nitride substrate, a light emitting diode on a face of the substrate and flexible silicone film that includes a silicone lens on the face of the substrate. The light emitting diode emits light through the silicone lens.

摘要翻译： 半导体发光器件包括氮化铝衬底，衬底表面上的发光二极管和在衬底的表面上包括硅氧烷透镜的柔性硅氧烷膜。 发光二极管通过硅胶透镜发光。