公开(公告)号：US3940288A

公开(公告)日：1976-02-24

申请号：US468876

申请日：1974-05-10

申请人： Mikio Takagi ,  Hajime Kamioka ,  Kazufumi Nakayama ,  Haruo Shimoda

发明人： Mikio Takagi ,  Hajime Kamioka ,  Kazufumi Nakayama ,  Haruo Shimoda

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/033 ,  H01L21/225 ,  H01L23/485 ,  H01L29/00 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/00 ,  H01L21/033 ,  H01L21/2257 ,  H01L29/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10S148/111 ,  Y10S148/124 ,  Y10S148/141 ,  Y10S148/143 ,  Y10S148/145

摘要： A method of making a semiconductor device capable of high-speed operation is disclosed in which when the current gain-bandwidth is increased by the formation of a shallow base region. A side etching process is used to decrease the base spreading resistance and to allow ease in the formation of an emitter region of fine pattern. When the emitter region is formed by using polycrystalline silicon as a source of impurity diffusion, that area of an insulating film on a semiconductor substrate which adjoins the polycrystalline silicon is removed before the impurity diffusion so as to prevent an abnormal diffusion phenomenon.BACKGROUND OF THE INVENTION

摘要翻译： 公开了一种制造能够高速运行的半导体器件的方法，其中当通过形成浅的基极区域增加电流增益带宽时。 使用侧蚀刻工艺来降低基极扩散电阻并且容易形成精细图案的发射极区域。 当通过使用多晶硅作为杂质扩散源形成发射极区域时，在杂质扩散之前去除邻接多晶硅的半导体衬底上的绝缘膜的面积，以防止异常扩散现象。

公开(公告)号：US20050221622A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US11090272

申请日：2005-03-28

申请人： Yoshimi Shioya ,  Haruo Shimoda ,  Kazuo Maeda

发明人： Yoshimi Shioya ,  Haruo Shimoda ,  Kazuo Maeda

IPC分类号： C23C16/42 ,  C09D4/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/509 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D4/00 ,  C23C16/401 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76835

摘要： The present invention relates to a deposition method in which an insulating film that coats wirings mainly made of copper film and has low dielectric constant. Its constitution in the deposition method, where deposition gas is transformed into plasma and reaction is caused to form the insulating film having low dielectric constant, is that the deposition gas has a first silicon containing compound having cyclic siloxane bond and at least one of methyl group and methoxy group, and a second silicon containing organic compound having straight-chain siloxane bond and at least one of methyl group and methoxy group, as primary constituent gas.

摘要翻译： 本发明涉及一种沉积方法，其中涂覆主要由铜膜制成的布线并具有低介电常数的绝缘膜。 使沉积气体转化为等离子体并进行反应的沉积方法的结构形成具有低介电常数的绝缘膜，即沉积气体具有含有环状硅氧烷键的第一含硅化合物和甲基的至少一种 和甲氧基，以及具有直链硅氧烷键和甲基和甲氧基中的至少一个作为主要构成气体的第二含硅有机化合物。

公开(公告)号：US4389967A

公开(公告)日：1983-06-28

申请号：US227075

申请日：1981-01-11

申请人： Haruo Shimoda ,  Kaoru Tanabe

发明人： Haruo Shimoda ,  Kaoru Tanabe

IPC分类号： H01L21/22 ,  C30B31/10 ,  B61B13/00

CPC分类号： C30B31/103

摘要： In a boat with wheels for carrying semiconductor substrates, the friction surfaces of the wheel systems are coated with a silicon nitride film to prevent seizure from occurring during a diffusion, oxidation or annealing process for semiconductor substrates.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP80 / 00099 Sec。 371日期：1981年1月11日 102（e）日期1980年12月31日PCT提交日期1980年5月9日PCT公布。 公开号WO80 / 02622 日期为1980年11月27日。在具有用于承载半导体衬底的轮子的船上，轮系统的摩擦表面涂覆有氮化硅膜，以防止在半导体衬底的扩散，氧化或退火过程期间发生卡塞。

公开(公告)号：US4210473A

公开(公告)日：1980-07-01

申请号：US955754

申请日：1978-10-30

申请人： Mikio Takagi ,  Hajime Kamioka ,  Haruo Shimoda ,  Hidekazu Miyamoto

发明人： Mikio Takagi ,  Hajime Kamioka ,  Haruo Shimoda ,  Hidekazu Miyamoto

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/223 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L21/223 ,  H01L21/32155

摘要： Disclosed is a process for producing a semiconductor device, especially, a high speed silicon gate field effect semiconductor device, by diffusing an impurity substance, such as arsenic or phosphorus, into a polycrystalline silicon layer to be converted into a silicon gate having a high electroconductivity and into portions of a single crystal silicon substrate to be converted into source and drain regions, in a sealed capsule, at an elevated temperature, under a vacuum. During the above-mentioned diffusing operation, the impurity substance can diffuse into the polycrystalline silicon layer at a higher diffusing speed than into the single crystal silicon substrate.

摘要翻译： 公开了通过将诸如砷或磷的杂质物质扩散到多晶硅层中以形成具有高导电性的硅栅极的半导体器件，特别是高速硅栅极场效应半导体器件的制造方法 并且在真空下在高温下将其转化成密封胶囊中的单晶硅衬底的一部分以转化为源区和漏区。 在上述扩散操作期间，杂质物质可以以比单晶硅衬底更高的扩散速度扩散到多晶硅层中。